专题30物质结构与性质-2017年高考化学冲刺专题卷

专题30物质结构与性质-2017年高考化学冲刺专题卷

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1、专题30物质结构与性质1.元素周期表屮第四周期元素由于受3d电子的影响,性质的递变规律与短周期元素略有不同。I.第四周期元素的第一电离能随原子序数的增大,总趋势是逐渐增大的。稼GiGa)的基态电子排布式是;3iGa的第一电离能却明显低于3oZn,原因是;II•第四周期过渡元素的明显特征是形成多种多样的配合物。(1)CO和NH?可以和很多过渡金属形成趾合物。CO与2互为等电子体,CO分子中C原子上有一孤电子对,C、O原子都符合8电子稳定结构,则CO的结构式可表示为oNH3分子中N原子的杂化方式为朵化,NHs分子的空间立体构型是。(2)向盛有硫酸铜水溶液的试管中加氨水,首先形成蓝色沉淀,继续加入

2、氨水沉淀溶解,得到深蓝色透明溶液,向该溶液中加乙醇,析出深蓝色晶体。蓝色沉淀先溶解,后析出的原因是:(用相关的离子方程式和简单的文字说明加以解释)(3)图甲所示的二维平面晶体示意图中表示化学式为AX3的是o甲乙(4)图乙为一个金屈铜的晶胞,此晶胞立方体的边长为acm,Cu的相对原子质量为64,金屈铜的密度为pg/cm3,则阿伏加德罗常数可表示为mo卩(用含a、p的代数式表示)。2.芦笋中的天冬酰胺(结构如图)和微量元素硒、铅、猛等,具有提高身体免疫力的功效。(1)天冬酰胺所含元素中,(填元素名称,下同)元素基态原子核外未成对电子数最多,第一电离能最大的是。(2)天冬酰胺中碳原子的杂化轨道类型

3、为,分子中。键和兀键数1=1之比为。(3)0、S、Se为同主族元素,出0、H?S和FhSe的参数对比见表。化学式键长/nm键角h2o0.99104.5°h2s1.3492.3°H2Se1.4791.0°H2S的键角大于H2Sc的原因可能为oH2O.H2S.H2Se沸点由高到低的顺序为,酸性由强到弱的顺序为⑷写出珞的基态原子电子排布式:0(5)銘为体心立方晶体,晶胞结构如图,则该晶胞中含有个銘原子。若辂的密度为/?gcm3,相对原子质量为M,Na表示阿伏加德罗常数的值,则锯原子的半径为cm。1.铁氧体是一种磁性材料,具有广泛的应用。・⑴基态铁原子的核外电子排布式为[Ar]o(2)工业制备铁氧体

4、常使用水解法,制备时常加入尿素[CO(NH2)2]、醋酸钠等碱性物质。尿素分子屮四种不同元素的电负性由大至小的顺序是:醋酸钠中碳原子的杂化类型是0(3)工业制备铁氧体也可使用沉淀法,制备时常加入氨(NH3)、联氨(2出)等弱碱。比较下表中氨(NH3)、联氨(N2H4)的熔沸点,解释其高低的主要原因oN2H4NH3熔点/°c2-77.8沸点/°c113.5-33.5⑷下图是从铁氧体离子晶体FesCU屮,取出的能体现其晶体结构的一个立方体,则晶体中的氧离子是否构成了面心立方最密堆积(填“是”或“否"),该立方体是不是Fe3O4的晶胞(填“是”或“否立方体中三价铁离子处于氧离子围成的空隙(填空间结

5、构)。(5)解释该Fe3O4晶体能导电的原因,根据上图计算Fe3O4晶体的密度g・cnA(图中a=0.42nm,计算结果保留两位有效数字)1.硒(Se)是一种有抗癌、抗氧化作用的元素,可以形成多种化合物。(1)基态硒原子的价层电子排布式为。⑵错、神、硒的第一电离能大小排序为。H2SeO4的酸性比FhSeOs的强,其原因是。⑶H2SeO3的中心原子杂化类型是;SeO32'的立体构型。⑷H?Sc属于(填“极性”或“非极性”)分子;单质Sc的熔点为217°C,它属于晶体。(5)硒化锌是一种重要的半导体材料,其晶胞结构如图所示,该晶胞中硒原子的配位数为;若该晶胞密度为pgcm-3,硒化锌的摩尔质量为

6、Mg/moloNA代表阿伏加德罗常数,则晶胞参数a为pm。OZnJSe洒化锌品胞2.原子序数依次增大的A、B、C、D、E、F六种元素。其屮A的基态原子有3个不同的能级,各能级屮的电子数相等;C的基态原子2p能级上的未成对电子数与A原子的相同;D为它所在周期中原子半径最大的主族元素;E和C位于同一主族,F的原子序数为29。(1)F基态原子的核外电子排布式为.o(2)在A、B、C三种元素屮,第一电离能由小到大的顺序是(用元素符号回答)。(3)元素B的简单气态蛍化物的沸点(填“高于”或“低于”)元素A的简单气态蛍化物的沸点,其主要原因是o(4)由A、B、C形成的离子CAB一与AC?互为等电子体,则

7、CAB-的结构式为。(5)在元素A与E所形成的常见化合物中,A原子轨道的杂化类型为o(6)由B、C、D三种元素形成的化合物晶体的晶胞如图所示,则该化合物的化学式为o(7)FC在加热条件下容易转化为F2C,从原子结构的角度解释原因6.硝基苯可在金属锡、盐酸作用下生成氯化苯钱盐()、氯化亚锡(SnCl2)和水。(1)己知锡位于第五周期,与C同主族,写出S『+的最外层电子排布式;c「中有_个填充电子的能级。(2)画

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