模拟电子技术课程仿真实验报告

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1、Multisim电路仿真报告崔斯颖5130309602题目电流负反馈偏置的共发射极放人电路如图1所示，设晶体管P=100,rbb-100Qo(1)计算电路的电压增益Au尸v/vs,输入电阻&及输出电阻Ro；(2)研究耦合电容、旁路电容对低频截止频率fi.的彩响：①令C2,Ce足够大，计算由G引起的低频截止频率花；②令G，Ce足够大，计算由C2引起的低频截止频率九2；③令G，C?足够人，计算由Ce引起的低频截止频率九3；④同吋考虑G，C2,Ce时的低频截止频率fu(3)采用图1所示的电路结构，使用上述给定的晶体管参数，设Ri=3kQ,Rs=100Q,设计其它电路元

2、件参数，满足下列要求：Aus^40,fL^80Hzo计算(1)计算电路的电压增益Aus=Vo/Vs,输入电阻Ri及输出电阻Ro；Rb2VB=nfoX^C=2IZKB1十KB2vB—UBElE=门=1.3mAReUTrbe=rbbf+(1+/?)—=2.1kQlERi=^Bl//^B2//rbe=l・87kQRo=Rc=3.3/c/2仏=DRiDXmgE=86Ri+Rsrbe(2)①研究耦合电容、旁路电容对低频截止频率九的影响：令C2,Ce足够人，计算由C]引起的低频截止频率fu；1加一2叫（&十Rs厂"Hz②令C

3、,Ce足够大，计算由C2引起的低频截止频率九2；

4、1九2一2庇2（Rl+Rc）一'7Hz③令C

5、,C2足够大，计算由Ce引起的低频截止频率fL3；/Tbe+Rsl]RbJ]Rb2fL3=1/（2兀2（鬆〃一））=138Hz④同时考虑G，C2,Ce时的低频截止频率fl；fLl<40,&W80HZ。山以上计算可知，低频截止频率过高是因为射极耦合电容引起，因此要降低截止频率，要增大耦合电容或％。因此经过计算，可将G增大为

6、lOOuF,可取RBi=70kQ,RB2=10kQo为了满足放人倍数的条件，增人&至5kG,这样计算可得Aus=53,截止频率为54Hz,经过仿真得人审=47,低频截止频率为56Hz,满足要求。三、结果图2仿真电路图图3波形图V(rms):851mVV(rms):319mV>负载图4输出电阻由心=(Vo'/Vo一1)&，Ro=5.0kQ°V(rms):6.82mV：Cl：：V(rms):6.82mV二二二图5输入电阻曲图知，Ro=2.7kQo图6波特图由波特图知，201g

7、Aus

8、=33.508Aus=-47.4；fL=56Hz,均符合要求。四、结论实验结论:晶

9、体管放人电路的共发射极放大电路的放人倍数和输入输出电阻由纽成电路的元件确定，电压放人倍数的低频截止频率由电路屮的耦合电容和旁路电容等参数决定。通过改变参数，可以获得所需要的电路以及相应的功能。