芯片失效分析

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1、怎样进行芯片失效分析?一般来说，集成电路在研制、生产和使用过程屮失效不可避免，随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高，失效分析工作也显得越来越重要，通过芯片失效分析，可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作屮的不当等问题。失效分析的意义主要表现貝体來说，失效分析的意义主要表现在以下儿个方面：1.失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。2.失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。3.失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计，使Z与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。4.失效分析可以评估不同测试向量的有效性，为生产测试提供必要的补充,为

2、验证测试流程优化提供必要的信息基础。失效分析主要步骤和内容•芯片开封：去除IC封胶，同时保持芯片功能的完整无损，保持die,bondpads,bondwires乃至lead-frame不受损伤，为下一步芯片失效分析实验做准备。•SEM扫描电镜/EDX成分分析：包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。•探针测试：以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割：以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。•EMMI侦测：EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具，提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式，可侦测和定位非常微弱的发光（可见光及近红外

3、光），由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。•0BIRCH应用（镭射光束诱发阻抗值变化测试）:0BIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析。利用0B1RCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等，也能有效的检测短路或漏电，是发光显微技术的有力补充。•LG液晶热点侦测：利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组，在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像，找寻在实际分析屮困扰设计人员的漏电区域（超过10mA之故障点）。•定点/非定点芯片研磨：移除植于液晶驱动芯片Pad上的金凸块，保持Pad完好无损，以利后续分析

4、或rebondingo•X-Ray无损侦测：检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性，PCB制程屮可能存在的缺陷如对齐不良或桥接，开路、短路或不正常连接的缺陷，封装中的锡球完整性。•SAM(SAT)超声波探伤可对IC封装内部结构进行非破坏性检测，有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如：o晶元面脱层，o锡球、晶元或填胶中的裂缝，o封装材料内部的气孔，o各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞。芯片失效分析(2011-02-2323:10:01)转载标签：分类：学习cmmiobirchlc今天在网上看到关于失效分析的常用方法，现贴出来共享一下OBTRC

5、H原理：用激光束在器件表面扫描，激光束的部分能量转化为热量。如果互连线中存在缺陷或者空洞，这些区域附近的热量传导不同于其他的完整区域，将引起局部温度变化，从而引起电阻值改变如果对互连线施加恒定电压，则表现为电流变化△_!二(AR/V)12,通过此关系，将热引起的电阻变化和电流变化联系起來。将电流变化的大小与所成像的像素亮度对应，像素的位置和电流发生变化吋激光扫描到的位置相对应。这样就可以产生OBTRCH像来定位缺陷.OBIRCH应用:OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析•利用OBIRCII方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条屮的空洞、通孔下

6、的空洞。通孔底部高阻区等；也能有效的检测短路或漏电，是发光显微技术的有力补充。EMMI微光显微镜是一•种效率极高的失效分错析工具，提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式，可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光)，由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。EMMI侦测对应故障种类涵盖ESD,Latchup,1/0Leakage,junctiondefect,hotelectrons,oxidecurrentleakage等所造成的异常。EMM1对漏电流的侦测可达微安级别。而LC（液品热点侦测LiquidCrystal）对漏电流的捕捉仅达毫安级别。LC利用液品感测到

7、TC漏屯处分子排列重组，在显微镜下呈现岀不同于其它区域的斑状影像，找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域（超过10mA之故障点）。LC可侦测因ESD,E0S应力破坏导致芯片失效的具体位置。灵敏度背面观察现象LCmA级別NONOhotspotEMMIuA级别NOLightEmmisionOBIRCHuA级别YESThermo-electricProperty芯片失效分析服务简介-•般來说，集成电路在研制、生产和使用过程中失效不町避免，随着人们对产品质最和町靠性要求的不断提髙，失效分析工作也显得越来越巫要，通过芯片失效分析，可以帮助集成电路设