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1、2010I卷10•［化学一选修物质结构与性质］（15分）主要元素W、X、Y、Z的原子序数一次增大，W的原子最外层电子数是次外层电子数的3倍。X、Y和Z分属不同的周期，他们的原子序数之和是W原子序数的5倍。在由元素W、X、Y、Z组成的所有可能的二组分化合物中，由元素W与Y形成的化合物M的熔点最高。请回答下列问题：（1）W元素原子的L层电子排布式为,Ws分子的空间构型为;（2）X单质与水发生主要反应的化学方程式为；（3）化合物M的化学式为,其晶体结构与NaCI相同，而熔点高于NaCI。M熔点较高的原因是o将一定量的化合物ZX负载在M上可制得ZX/M催化剂，用于催化碳酸二甲酯与月桂醇酯交换
2、合成碳酸二月桂酯。在碳酸二甲酯分子屮，碳原子采用的杂化方式有,0-C-0的键角约为;（4）X、Y、Z可形成立方品体结构的化合物，其晶胞中X占据所有棱的中心，Y位于顶角，Z处于体心位置,则该晶体的组成为X：Y：Z=;（5）含有元素Z的盐的焰色反应为色。许多金屈盐都可以发生焰色反应，其原因是O201137.氮化硼（BN）是一种重要的功能陶瓷材料以天然硼砂为起始物，经过一系列反应可以得到BF3和BN,如下图所示：nh3-BN请冋答下列问题：由BO制备BFs、BT的化学方程式依次是、；基态B原子的电子排布式为；B和N相比，电负性较大的是,BN中B元素的化合价为在BF3分子屮，F-B-F的建角
3、是,B原子的杂化轨道类型为,BF3和过量NaF作用可生成NaBF,BF的立体结构为；在与石墨结构相似的六方氮化硼晶体中，层内B原子与N原子之间的化学键为,层间作用力为（5）六方氢化硼在高温高压下，可以转化为立方氮化硼，其结构与金刚石相似，硬度与金刚石相当，晶苞边长为361.5pm,立方氮化硼晶苞中含有个氮原子、个硼原子，立方氮化硼的密度是g-an3（只要求列算式，不必计算出数值，阿伏伽徳罗常数为NQ。201237.【选修3物质结构与性质】（15分）VIA族的氧、硫、硒（Se）、硏（Te）等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含VIA族元素的化台物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列
4、问题：（1）S单质的常见形式为其坏状结构如下图所示，S原子采用的轨道杂化方式是;（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，0、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为；（3）Se原子序数为,其核外M层电子的排布式为;（4）HzSe的酸性比&S（填“强”或“弱”）。气态Se（h分子的立体构型为,SO/离子的立体构型为；（5）H2SeO3的Ki和比分别为2.7x和2.5x10'8,H2SeO4第一步几乎完全电离,&为1.2X103请根据结构与性质的关系解释：©H2SeO3和H2SeO,第一步电离程度大于第二步电离的原因：■②H2SeOt
5、比H2SeO3酸性强的原因：（6）ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如下图所示，其晶胞边长为540.0pm.密度为列式并计算），a位置萨离子与b位置Zn「离子Z间的距离为pm（列示表示）2013II37.［化学一选修3：物质结构与性质］（15分）前四周期原子序数依次增大的元素A,B,C,D中，A和B的价电子层中未成对电子均只有1个，而且A和B的电子相差为8；与B位于同一周期的C和D,它们价电子层中的未成对电子数分别为4和2,且原子序数相差为2。回答下列问题：（1）的价层电子排布图为。（2）四种元素中第一电离最小的是,电负性最大的是o（填元素符号
6、）（3）A、B和D三种元素责成的一个化合物的品胞如图所示。①该化合物的化学式为:D的配位数为；②列式计算该晶体的密度g・cm%（4）AIT和少三种离子组成的化合物BaCA6,其中化学键的类型有:该化合物中存在一个复杂离子，该离子的化学式为，配位体是。2013137.［化学一选修3：物质结构与性质］（15分）硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础。请回答下列问题：（1）基态Si原子中，电子占据的最高能层符号为,该能层具有的原子轨道数为、电子数为。（2）硅主要以硅酸盐、等化合物的形式存在于地壳中。（3）单质硅存在与金刚石结构类似的晶体，其中原子与原子之间以相结合，其晶胞中共有8
7、个原子，其屮在面心位置贡献个原子。（4）单质硅可通过甲硅烷（SiHO分解反应来制备。工业上采用Mg2Si和NHQ在液氨介质中反应制得SiHo该反应的化学方程式为O（5）碳和硅的有关化学键键能如下所示，简要分析和解释下列有关事实：化学键c—CC—Hc—0Si—SiSi—HSi—0键能/(kj*mol1356413336226318452①硅与碳同族，也有系列孩化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷炷多，原因是0②SiH的稳定性小于Clh,更易生成氧化物，原因是
