模电 第二章 半导体器件三极管

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1、第二章半导体三极管及其电路分析模拟电子技术PN结复习PN结的单向导电性1正向偏置（P区接电源正极，N区接电源负极）内电场外电场外电场的作用使空间电荷区变窄，扩散运动加剧，漂移运动减弱，从而形成正向电流。PN结2反向偏置（P区接电源负极，N区接电源正极）内电场外电场外电场的作用使空间电荷区变宽，扩散运动变弱，漂移运动加强，从而形成反向电流，也称为漂移电流。1正向偏置（P区接电源正极，N区接电源负极）N型半导体：电子为多子，空穴为少子P型半导体：空穴为多子，电子为少子PN结2反向偏置（P区接电源负极，N区接电源正极）2.

2、1双极型半导体三极管又称为双极型晶体管、晶体三极管，简称为晶体管。BJT为英文BipolarJunctionTransistor.实物图2.1.1、晶体管的结构及类型按功率的大小：大功率管和小功率管;按频率：高频管和低频管；按材料：硅管和锗管；按结构：NPN和PNP；NPN型结构剖面图结构示意图结构剖面图结构示意图PNP型2.1.2、三极管工作原理(三种状态)1电路连接要使NPN型BJT正常放大工作，则必须：①发射结正偏，即b和e之间加正电压VBB；②集电结反偏，即c和e之间加正电压VCC，1)放大的条件2放大Vc>

3、Vb>Ve(NPN)ECNNPECBICNICBOIBNIEN2)放大的原理3)电流之间关系饱和状态的条件2饱和状态发射结正向偏置，集电结正向偏置，Vb>Ve、Vb>Vc(NPN)VbVeVb>Vc(PNP)4、三极管的三种组态共集电极，集电极作为公共电极，用CC表示;共基极，基极作为公共电极，用CB表示。共发射极，发射极作为公共电极，用CE表示；发射结正偏，集电结反偏，即Vc>Vb>Ve(NP

4、N)Vc0.7V两个结都正偏，即Vb>Ve、Vb>Vc(NPN)VbVeVb>Vc(PNP)放大饱和截止总结例：测量三极管三个电极对地电位如图所示，试判断三极管的工作状。图三极管工作状态判断例：测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电压分别为VA=6.7V，VB=6V，VC=9V。问：硅还是锗？管子是NPN还是PNP？A、B、C分别对应哪个极？放大区A对应基极、B对应发射极0.7V（硅）0.2V

5、（锗）硅管；A、B对应基极发射极C肯定是集电极NPN在放大区时Vc>Vb>VePNP在放大区时Vc

6、曲线（2）输出特性曲线：发射结反偏，且集电结反偏,iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时截止区实际上当UBE

7、=6.7V，Ve=6V，VC=9V(2)Vb=8V，Ve=7.3V，VC=7.6V(3)Vb=1V，Ve=2V，VC=9V问：管子工作在输出特性曲线的什么区？例：测得PNP型、锗BJT的三个电极b、e、c的对地电压分别为(1)Vb=-6.2V，Ve=-6V，VC=-9V(2)Vb=1V，Ve=1.2V，VC=1.5V(3)Vb=8V，Ve=7.8V，VC=7V问：管子工作在输出特性曲线的什么区？⒈共射极电流放大系数β2.1.4、晶体管的主要参数β和　在晶体管的很大的一个工作范围之内近似相等。β的值一般选择在几十至一百

8、多；太大，管子性能不稳定；太小，管子放大能力差。UCE/V=IC/IBvCE=const⒉极间反向电流①集电极—基极反向饱和电流ICBO②集电极—发射极反向饱和电流ICEO在一定温度下，这个反向电流基本上是个常数，所以成为反向饱和电流，这个电流很小，它随温度的变化而变化。该电流从集电区穿过基区流至发射区，所以又称穿透电流。ICEO=（1