半导体器件半导体三极管

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1、1.2半导体三极管一、三极管的结构和符号二、三极管的电流放大原理三、三极管的共射输入特性和输出特性四、主要参数五、温度对三极管特性的影响六、电路模型一、三极管的结构和符号NNP发射区：多子浓度高基区：多子浓度很低，且很薄集电区：面积大发射极e基极b集电极c发射结集电结ecbNPNecbPNP二、三极管的电流放大原理ICmAAVVUCEUBERBIBVCCVBB1、一组试验数据分析2、三极管放大的内部外部条件ecbNPN三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证beceRCRBIEIBNICN3、三极管内部载流子的运动NPNVCC

2、ceb因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区beceRCRBIEIBNICNNPNVCCcebICBO少数载流子的运动ICIB5、电流分配关系共发射极直流电流放大系数：几十到几百共基极直流电流放大系数：0.95-0.99例:某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。ABCIAIBIC三、三极管的共射输入特性和输出特性1、输入特性2、输出特性1、输入特

3、性为什么UCE增大曲线右移？对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。为什么像PN结的伏安特性？为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？2、输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态，iC曲线几乎是横轴的平行线？饱和区放大区截止区3、晶体管的三个工作区域状态发射结集电结IC截止＜UBE(th)反偏0(ICEO)放大≥UBE(th)反偏βiB饱和≥UBE(th)正偏＜βiB硅:UCES≈0.3V锗:UCES≈0.1VΔiCΔiB4、

4、电压放大原理描述电流的微小变化之间的关系IB+ibIC+icIE+ieUO+uoRL+-简单的电压放大电路晶体管工作在放大状态时，输出回路电流iC几乎仅仅决定于输入回路电流iB；即可将输出回路等效为电流iB控制的电流源iC例：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？1）VC＝6VVB＝0.7VVE＝0V2）VC＝6VVB＝4VVE＝3.6V3）VC＝3.6VVB＝4VVE＝3.3V例：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为：1）U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12V2）U1=6V、U2=1

5、1.8V、U3=12V判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。1、分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态；2、已知T导通时的UBE＝0.7V，若当uI=5V，则β在什么范围内T处于放大状态，在什么范围内T处于饱和状态？例：通过uBE是否大于UBE(th)判断管子是否导通判断饱和、放大的一般方法：1、电位法2、电流判别法3、假设法2、极间反向饱和电流ICBO、ICEO有害电流，由少子运动形成穿透电流四、主要参数1、电流放大系数c-e间击穿电压最大集电极耗散功率PCM=iCuCE安全工作区3、极限参数：ICM、P

6、CM、U（BR）CEO最大集电极电流五、温度对三极管的影响六、电路模型1、大信号模型UBE(on)ECBEICIBIB放大状态UBE(on)ECBEICIBUCES饱和状态,等效于开关闭合ECBEICIB截止状态2、小信号模型1）低频简化π型等效电路ibicuceube+-+-icibibube+-uce+-rbebec晶体管的b、e之间可用rbe等效代替晶体管的c、e之间可用一受控电流源ic=ib等效代替电流方向与ib的方向是关联的。静态电流rb’b基区的体电阻,查阅手册发射结电阻rberbbbceβibbibrberbbbcegmu

7、bebib跨导：自变量是交流电压rce很大，基区宽度效应rbbrbeCbeCbcgmubebcbee2)三极管的高频微变等效电路集电结电容发射结电容手册查得由fT计算得到