常用半导体器件313三极管

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1、模拟电子技术基础信息科学与工程学院·基础电子教研室内容回顾半导体二极管：1、二极管的符号：DD2、伏安特性UI导通压降:二极管导通反向击穿电压UBR死区电压：二极管截止正向导通正向截止反向截止二极管的工作区二极管非工作区反向电压3、二极管的主要参数1.最大整流电流IF2.最高反向工作电压UR4、二极管的等效电路5、稳压二极管及应用1）稳压管符号2）稳压管的伏安特性曲线3）稳压管的主要参数:①稳定电压UZ②稳压电流IZ③额定功耗PZM4）稳压管的稳压条件:（1）必须工作在反向击穿状态；（2）流过稳压管的电流在IZ和IZM之间。§1.3双极型

2、晶体管（又称为三极管、晶体管）§1.3双极型晶体管一、晶体管的结构和类型1、晶体管结构：三层半导体、两个PN结、引出三个极，构成晶体管。NPN型基区发射区集电区发射结集电结发射极基极集电极bec发射极箭头的方向为电流的方向bPNP集电极基极发射极cePNP型bPNPcePNP型bNPNceNPN型142、晶体管的内部结构特点（晶体管具有电流放大作用的内部条件）1）集电区与发射区的半导体类型相同。但是集电区的半导体掺杂浓度低，几何尺寸大；而发射区的半导体掺杂浓度高，几何尺寸小。2）基极很薄而且掺杂浓度低。正是晶体管这些内部结构特点，使得晶体

3、管工作时载流子遵循一定的分配原则，具有了电流放大作用。3、晶体管的类型：1）按结构分：NPN、PNP型晶体管；2）按组成材料分：硅晶体管、锗晶体管；3）按功率分：小功率管、大功率管；4）按频率分：高频率管、中频率管、低频率管。二、晶体管的电流放大作用放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能够控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真的放大输出，放大的对象是变化量。**1、晶体管工作在放大状态的外部条件：①发射结正向偏置；②集电结反向偏置。共射放大电路晶体管的放大作用表现为：小的基极电流可以控制大的集电极电流。1）发射

4、结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE2）扩散到基区的自由电子与空穴的复合形成基极电流IB3）集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流ICIBICIE2、晶体管内部载流子的运动(三个极电流的形成）NPN3、晶体管的三个极电流分配原则及关系1）根据电路的节点定律：IBICIE3、晶体管的三个极电流分配原则及关系2）根据晶体管内部结构形成的电流分配原则：共射直流电流放大系数，取值范围在20~200之间。IBICIE3、晶体管的三个极电流分配原则及关系由于基极电流IB<<集电极IC；或：3）根据以上电流关系：IBICIE**晶体管三个极电流关

5、系：IBICIEIBICIE------共射直流电流放大系数------共射交流电流放大系数一般认为：通常有两种电流放大系数：三、晶体管的共射特性曲线UCEIC+-UBEIB+-实验线路mAAVVRBVCCVBBRC1.输入特性（晶体管IB与UBE的关系曲线）iB(A)uBE(V)204060800.51.0工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。死区电压：硅管0~0.5V，锗管0~0.2V。晶体管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线基本一致，uCE≥1V以后特性曲线基本稳定。uCE≥1V时对应的特性曲线

6、2.输出特性(晶体管iC与uCE的关系曲线）iC(mA)1234uCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区（放大区:发射结正偏，集电结反偏）。IC只与IB有关，IC=IB。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,发射结、集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。饱和电压UCESIC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,I

7、C=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区：发射结、集电结反向偏置。穿透电流ICEO**输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且IC=IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE，IB>IC，UCE0.3V(3)截止区：发射结反偏，集电结反偏。UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO0**三极管工作状态判断方法（以NPN硅管为例）①当uBE＜0.7V时，截止≥0.7V时，放大或饱和②当uBC＜0时，放大>0时，饱和1）2）利用晶体管三个极电位判断两个PN结的工作情况，确定晶

8、体管的工作状态：①两个PN结均正向偏置，晶体管处于饱和状态；②两个PN结均反向偏置，晶体管处于截止状态；③发射结正向偏置，集电结反向偏置，晶体管处于放大状态。3）晶体管工作在放大状态时，三个极