bn掺杂和填隙对c和lcmo的结构、物性的影响

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1、的样品分为膜，块材，以及他们做的样品进行了比较，从这些可能的数据分析中，他们发现这些转换性质和磁性质之间（即磁有序温度Tc,饱和磁化强度Ms和电阻率ρ之间）存在一种恒定的关系。这种关系为：（1）当Tc减小时，ρ最大值增加；（2）ρ00最大值一般发生在T=Tc处；（3）样品产生的最大磁阻值ρ/ρ是发生在最低的铁磁有0序温度区内；（4）相同化合物的电阻率和磁化强度是有相互联系的。而且，这种金属到半导体和反铁磁到铁磁转变是产生CMR的必要条件。因此，围绕这两个转变做了大量的研究工作。[23]对于解释这种铁磁性和金属行为的起源，早在1950年，JonkerVansanten第一2+次研

2、究了LaMnO3是绝缘体，但是，当掺入一定量的二价杂质如Ca离子去替换部分3+的La离子时，在掺杂浓度为X≥0.3范围内，它展示了铁磁性和金属电导性的特点。[24]对于铁磁性和电导性之间的这种显著的相互联系，Zener提出了双交换相互作用模型，用于解释这种现象产生的机制。在50年代，第一个铁磁氧化物被充分的研究的[23]是（La1-xCax）MnO3系列。1.1.3影响CMR效应的一些因素（1）离子半径对磁电阻的影响[25]Hwang等人比较详细地研究了La0.7－xPrxCa0.3MnO3多晶的磁电阻与x的关系。当Pr逐渐增多时，Tp不断向低温移动。实验结果可以理解为稀土离子

3、平均半径r减R小，使公差因子t变小，居里点下降。（2）压力对磁电阻的影响[26]Moritomo等人加等静压方法，研究了La1－xSrxMnO3材料的电阻率和Tc随压力[27]的变化。与此同时，J.J.Neumeier等人也用此法研究了La1－xCaxMnO3，当掺杂在x=0.21，0.33，0.40时，压力不同对电阻率随温度的关系的影响。他们都发现压力的作用和磁场的作用结果极其相似。这种相似性可能和在Tc附近具有大磁致伸缩（对−4[13]La0.6Y0.07Ca0.33MnO3线和体磁致伸缩均在10量级），或与晶格结构的畸变相关联。（3）制备条件对薄膜材料的CMR的影响[28

4、]熊光成等人研究了两种体系Nd0.7Sr0.3MnO3和La0.67Ba0.33MnO3薄膜的GMR效应。他们发现：基片沉积温度不同、退火条件不同都会影响GMR效应。电阻率的极值随基片温度的升高而下降，但极值对应的温度Tp上升。3（4）膜厚对GMR的影响[29]S.Jin等人发现：GMR效应强烈的依赖于薄膜的厚度。在一定的范围内，GMR效应最大。熊光成等人也做了这方面的研究，并发现膜厚不同，其转变温度Tp峰位不同。随着膜厚的增加，Tp明显向高温区移动。1.2掺杂的钙钛矿氧化物的结构特征及电、磁特性1.2.1晶体结构特征（1）理想的ABO3(A为RE和碱土金属，B为Mn)钙钛矿具

5、有空间群为Pm3m的立方结构（见图1.1），如以A原子为立方晶胞的顶点，则氧和锰原子分别处在面心和体心位置。还可以看到B原子处于O原子形成的八面体中。实际的ABO3晶体都畸变成正交（orthorhombic）对称性或菱面体对称性（rhombohedral）。发生畸变的原因4主要是锰原子d中的eg电子使氧形成的八面体发生畸变，通称为Jahn-Teller不稳定性畸变。它使eg态的简并解除。另一种可能性是由于A原子比B原子大，使A-O层与B-O层原子直径之和有较大差别，引起相邻两层不匹配所致。如果定义一个公差因子（tolerancefoctor）t=(r+r)/2(r+r)AOBO

6、[30]当t在0.75和1.00之间，所形成的钙钛矿结构稳定，其中，r,r,r为相应离子ABO的经验半径。对一些氧化物的计算结果为：LaMnO3为0.89；SmMnO3为0.86；GdMnO3为0.85；YMnO3为0.83；CaMnO3为0.91；SrMnO3为0.99；BaMnO3为1.05；PbMnO3[23]为1.01（2）未掺杂的稀土锰氧化物多具有正交对称性，由于畸变使Mn-O间距由立方结构的0.197变成0.191，0.196和0.218nm。其a,b,c三个轴分别为2×0.4046nm，2×0.3834nm，2×0.3912nm。ABO3正交对称可具有两种类型。一

7、种称O-orthorhombic(a