电子技术实训 第9章 全国大学生电子设计竞赛基础知识

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1、目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页在线圈通以合适电流，线圈就会产生与电流大小成一定比例的磁力，控制动片的吸合或释放，实现电路中控制点的接通或断开。目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页。目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页第三节测量放大器：目目录录返回上一页下一页二、程控测量

2、放大器目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页第四节半导体显示器件及光电耦合器一、发光二极管（LED）目目录录返回上一页下一页二、半导体数码管显示器目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页目目录录返回上一页下一页第五节常用驱动电路一、分立元件驱动电路UU3.6V0.7VABEI5030mACR5.1K目目录录返回上一页下一页二、集成驱动电路MC1413电路芯片内部已经接有续流二极管D3，应用时，

3、不需要再外接续流二极管，此外，电路内部还接了输入输出保护二极管D1和D2。应用时，因为集电极开路，所以要将负载串在电源与对应输出端之间，在输入高电平时，三极管饱和导通，为负载提供较大的驱动电流。目目录录返回上一页下一页2、MC1413应用电路图(a)是用MC1413直接驱动7只图(b)用MC1413驱动了一只继电器，（可以同时驱动多个），与图(a)不同的是，由于继电器LED（或一只共阴极的七段LED数属于感性负载，需要将片内的续流二极管与电码管）。当MC1413某一个输入端为源端相接，以防止在输入端

4、由高电平变为低电高电平时，经反相后输出低电平，平时，为继电器线圈提供续流回路，防止器件点亮相应的发光二极管。而输入端被烧坏。当I端为高电平时，输出端O为低电平77为低电平的相应LED不亮。，继电器线圈通电，继电器的动片发生动作，反之，继电器处于断电状态而维持常态。目目录录返回上一页下一页AA第六节步进电机及其驱动电路一、步进电机的工作原理目目录录返回上一页下一页360NZ36036030NZ34目目录录返回上一页下一页步进电机能实现高精度的角位移控制，被广泛应用于自动控制等领

5、域，为了使步进电机正常运行，需要有专门的驱动电路，图9-22是步进电机驱动电路的框图目目录录返回上一页下一页步进电机驱动电路的原理图：目目录录返回上一页下一页1f00.7(R2R2R)C12P1RP。SRDD目目录录返回上一页下一页第七节半导体存储器一、半导体存储器的分类与组成1、存储器分类2、存储器组成3、存储器容量目目录录返回上一页下一页二、只读存储器1、固定只读存储器固定ROM简称ROM，也称作掩模ROM，这种ROM在出厂前已采用掩模工艺将编好的程序、数据等二进制信息存储在每个存储单元中

6、，出厂后其存储的数据不能更改，只能读出数据。ROM的基本结构如图9-24所示。它是由地址译码器和存储单元组成。地址译码器图9-24ROM基本结构图目目录录返回上一页下一页一次可编程ROM称作PROM（ProgrammableReadOnlyMemory），PROM在出厂时未写入信息，用户可以根据需要，采用一定设备将程序和数据写入PROM中，一旦写入就不能再更改，所以称为一次编程ROM，一般采用熔丝编程工艺。一次可编程ROM的结构与固定ROM相类似，也是由地址译码器和存储单元构成，但一次可编程ROM在

7、出厂前各存储单元存储的信息完全相同，各存储单元全为1或全为0，在应用时，用户可根据需要用编程的方法改写原有数据，但一旦改写就不能再次更改3、紫外线擦除可编程存储器EPROM紫外线擦除ROM简称EPROM（ErasableProgrammableReadOnlyMemory），EPROM是一种即可以编程，又可以经紫外线光照擦除原来存储信息，并再次进行编程的只读存储器。EPROM芯片上有一个玻璃窗口，用来接收紫外线光以擦除原有信息。对已写入的数据，为防止被紫外线擦除，常用遮光纸贴于窗口上。若写入的数据需

8、要更改，可将遮光纸揭掉，用紫外线光对准EPROM上的窗口照射20分钟左右，即可擦除原来的信息，然后再重新写入新的数据。1）典型EPROM芯片介绍紫外线擦除可编程存储器芯片有多种型号，如：2716（2K×8B），2732（4K×8B），2764（8K×8B），27128（16K×8B）27256（32K×8B）等，它们的工作情况基本相同，只是存储的容量有所不同，型号的后两位数字表示其容量。下面以2716为例进行讨论目目录录返回上一页下一页2716型EPROM具有11位地