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时间:2019-10-09
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1、单项选择题:第1章原子结构与键合1.高分子材料中的C-H化学键属于。(A)氢键(B)离子键(C)共价键2.属于物理键的是。(A)共价键(B)范德华力(C)离子键3.化学键中通过共用电子对形成的是。(A)共价键(B)离子键(C)金属键第2章固体结构4.以下不具有多晶型性的金属是。(A)铜(B)锰(C)铁5.fcc、bcc、hcp三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是。(A)fcc(B)bcc(C)hcp6.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。(A)氮(B)碳(C)硼7.面心立方晶体的孪晶面是。(A){112}(B){110}(C){111}8.以下属于正常价化合物的是。
2、(A)Mg2Pb(B)Cu5Sn(C)Fe3C第3章晶体缺陷9.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为。(A)肖特基缺陷(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷10.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为。(A)肖脱基缺陷(B)Frank缺陷(C)堆垛层错11.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是?(A)垂直(B)平行(C)交叉12.能进行攀移的位错必然是。(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错13.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是(A)孪晶铜(B)中碳钢(C)亚共晶铝硅合金14.大角度晶界具有____________个自由度。(A)3(B)4(C)5第
3、4章固体中原子及分子的运动15.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随变化。(A)距离(B)时间(C)温度16.在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为。(A)原子互换机制(B)间隙机制(C)空位机制17.固体中原子和分子迁移运动的各种机制中,得到实验充分验证的是(A)间隙机制(B)空位机制(C)交换机制18.原子扩散的驱动力是。(4.2非授课内容)(A)组元的浓度梯度(B)组元的化学势梯度(C)温度梯度1.A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A试样方向移动,则。(A)A组元的扩散速率大于B组元(B)B组元的扩散速率大于A组元(C)A、B两组元的扩散速率相同2.
4、下述有关自扩散的描述中正确的为。(A)自扩散系数由浓度梯度引起(B)自扩散又称为化学扩散(C)自扩散系数随温度升高而增加第5章材料的形变和再结晶3.在弹性极限se范围内,应变滞后于外加应力,并和时间有关的现象称为(A)包申格效应(B)弹性后效(C)弹性滞后4.塑性变形产生的滑移面和滑移方向是(A)晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向(B)晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向(C)晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向5.bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中,_________具有最少的滑移系,因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。(A)bcc(B)fcc(C)hcp
5、6.,位错滑移的派-纳力越小。(A)位错宽度越大(B)滑移方向上的原子间距越大(C)相邻位错的距离越大7.Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是:(A)溶质原子再扩散到位错周围(B)位错增殖的结果(C)位错密度降低的结果8.已知Cu的Tm=1083°C,则Cu的最低再结晶温度约为。(A)200°C(B)270°C(C)350°C9.已知Fe的Tm=1538°C,则Fe的最低再结晶温度约为。(A)350°C(B)450°C(C)550°C10.位错缠结的多边化发生在形变合金加热的______________阶段。(A)回复(B)再结晶(C)晶粒长大11.形变后的材料再升温
6、时发生回复与再结晶现象,则点缺陷浓度下降明显发生在。(A)回复阶段(B)再结晶阶段(C)晶粒长大阶段12.形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是。(A)点缺陷的明显下降(B)形成亚晶界(C)位错重新运动和分布13.由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在___________部位不易形核。(A)大角度晶界和孪晶界(B)相界面(C)外表面14.纯金属材料的再结晶过程中,最有可能在以下位置首先发生再结晶形核(A)小角度晶界(B)孪晶界(C)外表面15.对于变形程度较小的金属,其再结晶形核机制为。(A)晶界合并(B)晶界迁移(C)晶界弓出1.再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界
7、面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着______________方向移动(A)曲率中心(B)曲率中心相反(C)曲率中心垂直2.开始发生再结晶的标志是:(A)产生多变化(B)新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织(C)晶粒尺寸显著增大3.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于。(A)复合强化(B)析出强化(C)固溶强化4.在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于。(A)复合强化(B)析出强化(C)固溶强化5.在纯铝的凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于。(A)复合强化(B)晶粒细化(
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