材料科学基础复习题及部分答案

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1、单项选择题：第1章原子结构与键合1.高分子材料中的C-H化学键属于。（A）氢键（B）离子键（C）共价键2.属于物理键的是。（A）共价键（B）范德华力（C）离子键3.化学键中通过共用电子对形成的是。（A）共价键（B）离子键（C）金属键第2章固体结构4.以下不具有多晶型性的金属是。（A）铜（B）锰（C）铁5.fcc、bcc、hcp三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著的是。（A）fcc（B）bcc（C）hcp6.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。（A）氮（B）碳（C）硼7.面心立方晶体的孪晶面是。（A）{112}（B）

2、{110}（C）{111}8.以下属于正常价化合物的是。（A）Mg2Pb（B）Cu5Sn（C）Fe3C第3章晶体缺陷9.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为。（A）肖特基缺陷（B）弗仑克尔缺陷（C）线缺陷10.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为。（A）肖脱基缺陷（B）Frank缺陷（C）堆垛层错11.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是？（A）垂直（B）平行（C）交叉12.能进行攀移的位错必然是。（A）刃型位错（B）螺型位错（C）混合位错13.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是（A）孪晶铜

3、（B）中碳钢（C）亚共晶铝硅合金14.大角度晶界具有____________个自由度。（A）3（B）4（C）5第4章固体中原子及分子的运动15.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随变化。（A）距离（B）时间（C）温度16.在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为。（A）原子互换机制（B）间隙机制（C）空位机制17.固体中原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是（A）间隙机制（B）空位机制（C）交换机制18.原子扩散的驱动力是。（4.2非授课内容）（A）组元的浓度梯度（B）组元的化学势梯度（C）温度梯度18

4、1.A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，则。（A）A组元的扩散速率大于B组元（B）B组元的扩散速率大于A组元（C）A、B两组元的扩散速率相同2.下述有关自扩散的描述中正确的为。（A）自扩散系数由浓度梯度引起（B）自扩散又称为化学扩散（C）自扩散系数随温度升高而增加第5章材料的形变和再结晶3.在弹性极限se范围内，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为（A）包申格效应（B）弹性后效（C）弹性滞后4.塑性变形产生的滑移面和滑移方向是（A）晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向（B）晶体中原子密

5、度最大的面和原子间距最长方向（C）晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向5.bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中，_________具有最少的滑移系，因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。（A）bcc（B）fcc（C）hcp6.，位错滑移的派-纳力越小。（A）位错宽度越大（B）滑移方向上的原子间距越大（C）相邻位错的距离越大7.Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是：（A）溶质原子再扩散到位错周围（B）位错增殖的结果（C）位错密度降低的结果8.已知Cu的Tm=1083°C，则Cu的最低再结晶温度约为。（A）20

6、0°C（B）270°C（C）350°C9.已知Fe的Tm=1538°C，则Fe的最低再结晶温度约为。（A）350°C（B）450°C（C）550°C10.位错缠结的多边化发生在形变合金加热的______________阶段。（A）回复（B）再结晶（C）晶粒长大11.形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在。（A）回复阶段（B）再结晶阶段（C）晶粒长大阶段12.形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是。（A）点缺陷的明显下降（B）形成亚晶界（C）位错重新运动和分布13.由于晶核产生于

7、高畸变能区域，再结晶在___________部位不易形核。（A）大角度晶界和孪晶界（B）相界面（C）外表面14.纯金属材料的再结晶过程中，最有可能在以下位置首先发生再结晶形核（A）小角度晶界（B）孪晶界（C）外表面15.对于变形程度较小的金属，其再结晶形核机制为。（A）晶界合并（B）晶界迁移（C）晶界弓出16.再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着18______________方向移动（A）曲率中心（B）曲率中心相反（C）曲率中心垂直1.开始发生再结晶的标志是：（A）产生多变化（

8、B）新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织（C）晶粒尺寸显著增大2.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于。（A）复合强化（B）析出强化（C）固溶强化3.在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于。（A）复合强化（B）析出强化（C）固溶强化4.在纯铝的凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于。（A）复合强化（B）