复习题-半导体物理学

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1、标准文档一、填空题1.半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（电离杂质散射）和（晶格振动散射）。2.纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（电子）。这种杂质称（施主）杂质；相应的半导体称（N）型半导体。3.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（扩散）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（漂移）运动。4.nopo=ni2标志着半导体处于（热平衡）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（不改变）；当温度变化时，nopo改变否？（改变）。5.硅的导带极小值位

2、于布里渊区的（<100>方向上），根据晶体对称性共有（6）个等价能谷。6.n型硅掺As后，费米能级向（Ec或上）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（Ei或下）移动。7.半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（增加），并使其光电导衰减规律（衰减时间延长）。8.若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（禁带宽度Eg增大）；若用砷的话，结果是（禁带宽度Eg减小）。9.已知硅的Eg为1.12eV，则本征吸收的波长限为（1.11微米）；Ge的Eg为0.67eV，则本征吸收的波长限为（1.85微米）。10.复合中心

3、的作用是（促进电子和空穴复合），起有效复合中心的杂质能级必须位于（Ei或禁带中心线），而对电子和空穴的俘获系数rn或rp必须满足（rn=rp）11.有效陷阱中心位置靠近（EF或费米能级）12.计算半导体中载流子浓度时，不能使用波尔兹曼统计代替费米统计的判定条件是（Ec-EF≤2koT以及EF-EV≤2koT），这种半导体被称为（简并半导体）。13.PN结电容可分为（扩散电容）和（势垒电容）两种。14.纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在Si晶体的共价键中产生了一个（空穴），这种杂质称（受主）杂

4、质；相应的半导体称（P）型半导体。15.半导体产生光吸收的方式（本征）、（激子）、（杂质）、（晶格振动）。半导体吸收光子后产生光生载流子，在均匀半导体中是（电导率）增加，可制成（光敏电阻）；在存在自建电场的半导体中产生（光生伏特），可制成（光电池实用大全标准文档）；光生载流子发生辐射复合时，伴随着（发射光子），这就是半导体的（发光）现象，利用这种现象可制成（发光管）。16.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（直接禁带半导体），否则称为（间接禁带半导体），那么按这

5、种原则分类，GaAs属于（直接）禁带半导体。17.简并半导体一般是（重）掺杂半导体，这时（电离杂质）对载流子的散射作用不可忽略。18.热平衡条件下，半导体中同时含有一种施主杂质和一种受主杂质情况下的电中性条件是（p0+nD+=n0+pA-）19.有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过（回旋共振）实验来测量。20.半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（带间电子-空穴直接复合）和（通过禁带内的复合中心进行复合）。二、选择题1.本征半导体是指（A）的半导体。A．不含杂质和缺陷B．电阻率最

6、高C．电子密度和空穴密度相等D．电子密度与本征载流子密度相等2.在P型半导体中（C）A．电子是多数载流子，空穴是少数载流子B．空穴的数量略多于电子C．空穴是多数载流子，电子是少数载流子D．没有电子3.当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（B）。A．扩散电流大于漂移电流、耗尽层变宽B．扩散电流小于漂移电流、耗尽层变宽C．扩散电流大于漂移电流、耗尽层变窄D．扩散电流小于漂移电流、耗尽层变窄4.PN结击穿主要有下列哪三种物理机制（A）A．雪崩击穿、隧道击穿、热电击穿B．高压击穿、

7、跃迁击穿、热电击穿C．雪崩击穿、隧道击穿、自发击穿D．隧道击穿、自发击穿、跃迁击穿5.某一处于热平衡状态下的非简并半导体掺有施主杂质浓度为ND=5×1017cm-3，当温度为300K时杂质已全部电离，已知本征载流子浓度为ni=1015cm-3，则电子和空穴浓度分别为（B）。A．n0=2×1015cm-3，p0=1×1017cm-3B．n0=5×1017cm-3，p0=2×1012cm-3C．n0=5×1017cm-3，p0=2×1015cm-3实用大全标准文档D．n0=2×1015cm-3，p0=5×10

8、15cm-36.在n型半导体中（C）A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子B．空穴的数量略多于电子C．电子是多数载流子，空穴是少数载流子D．没有电子7.杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（B）。A．变大，变小；B．变小，变大；C．变小，变小；D．变大，变大。8.当PN结外加正向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（C）。A．扩散电流大于