欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:41461208
大小:115.99 KB
页数:3页
时间:2019-08-25
《半导体物理学-期末复习题》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、有一块半导体样品,它的空穴浓度如图所示:1)求无外加电场时的空穴电流密度Jp(X)的表达式,并画出曲线2)此情况下,若使净空穴电流为零,试求所需电场的表达式,并画出曲线。3)若p(0)/p0=1000,求x=0和x=w处的电势差。解:(1)由图中曲线我们叮以写出空穴浓度以小的表示式如下:(込W斡2十〃(0〉=虹+仪0)W0W式中由于扩散形成的空穴电流密度为一qDpk0V才Wx>W(2)加外电场EG)后dpdj:当空穴电流密度为儿-qrpSE—qDp薯=0时,有E(疋)—一j亠—I_2.业E(jL)=<“y02、乂=0到x=W之间的电位差为V=[—edx0.0266djrkjr-rp(0)=-0.0261n>r+p(O)JIf-0.026[ln»一lnp(0)]=-0.0261n=-O.O26lnlO3=3X0.026510a13&9(mV)若用吸收系数大的波长光照半导体样品时,将在表面产生电子■空穴对,试求因迁移率不同两种载流子在xl和x2两点间感生的丹倍电动式中,禎和分别为x1和x2处的电导率。解:在一维情况下,电子和空穴的电流密度为人=炉"上+儿也T幾总电流密度J—人+人=q(Wn+Mr>"卜怂丁(冷£—他豁)电场J为内建电场」在开路条件下J=o]于是感生的丹倍电3、场为r,k、T^r.dn/dx—ppd/>;d.j:上=Yqrir+pH悴为一级近似•取・7兀,d»r=dp.'4、)6
2、乂=0到x=W之间的电位差为V=[—edx0.0266djrkjr-rp(0)=-0.0261n>r+p(O)JIf-0.026[ln»一lnp(0)]=-0.0261n=-O.O26lnlO3=3X0.026510a13&9(mV)若用吸收系数大的波长光照半导体样品时,将在表面产生电子■空穴对,试求因迁移率不同两种载流子在xl和x2两点间感生的丹倍电动式中,禎和分别为x1和x2处的电导率。解:在一维情况下,电子和空穴的电流密度为人=炉"上+儿也T幾总电流密度J—人+人=q(Wn+Mr>"卜怂丁(冷£—他豁)电场J为内建电场」在开路条件下J=o]于是感生的丹倍电
3、场为r,k、T^r.dn/dx—ppd/>;d.j:上=Yqrir+pH悴为一级近似•取・7兀,d»r=dp.'4、)6
4、)6
此文档下载收益归作者所有