半导体物理学-期末复习题

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1、有一块半导体样品，它的空穴浓度如图所示：1）求无外加电场时的空穴电流密度Jp（X）的表达式，并画出曲线2）此情况下，若使净空穴电流为零，试求所需电场的表达式，并画出曲线。3）若p（0）/p0=1000,求x=0和x=w处的电势差。解：（1）由图中曲线我们叮以写出空穴浓度以小的表示式如下:（込W斡2十〃（0〉=虹+仪0）W0W式中由于扩散形成的空穴电流密度为一qDpk0V才Wx>W（2）加外电场EG）后dpdj：当空穴电流密度为儿-qrpSE—qDp薯=0时，有E(疋)—一j亠—I_2.业E(jL)=<“y0

2、乂=0到x=W之间的电位差为V=[—edx0.0266djrkjr-rp(0)=-0.0261n>r+p(O)JIf-0.026[ln»一lnp(0)]=-0.0261n=-O.O26lnlO3=3X0.026510a13&9(mV)若用吸收系数大的波长光照半导体样品时，将在表面产生电子■空穴对，试求因迁移率不同两种载流子在xl和x2两点间感生的丹倍电动式中，禎和分别为x1和x2处的电导率。解：在一维情况下，电子和空穴的电流密度为人=炉"上+儿也T幾总电流密度J—人+人=q（Wn+Mr>"卜怂丁（冷£—他豁）电场J为内建电场」在开路条件下J=o］于是感生的丹倍电

3、场为r,k、T^r.dn/dx—ppd/>；d.j：上=Yqrir+pH悴为一级近似•取・7兀，d»r=dp.'

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