微机原理 第4章

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1、第五章存储技术1第四章　存储器技术4.1概述4.2常用存储器芯片4.3动态存储器4.4存储卡24.1概述4.1.1存储器的分类4.1.2主要性能指标35.1.1存贮器的分类存储器：用来存放微机工作所用的信息（程序和数据）。内存+外存内存：通过内存总线和CPU相连，存放正在执行的程序和数据。一般由半导体材料组成。外存：要通过专门的接口电路和CPU相连。用来存放暂不执行的程序和数据。磁盘和光盘组成。使用时，由外存调入内存。451．读写存贮器RAMRamdomAccessMemory读写存贮器(RAM)按其制造工艺又可以分为双极型RAM和金属氧化物RAM。(1)双极型RA

2、M双极型RAM的主要特点是存取时间短，通常为几到几十纳秒(ns)。但是，集成度低，功耗大。6(2)金属氧化物(MOS)RAM用MOS器件构成的RAM又可分为静态读写存贮器(SRAM)和动态读写存贮器(DRAM)。①SRAM（StaticRAM）静态主要特点是，其存取时间为几十到几百ns，不需刷新，易于掉电保护。②DRAM（DynamicRAM）动态集成度最高，需刷新电路。功耗低。存取速度最低。7集成度：双极型

3、ableROM(3)可擦去的PROMErasableProgrammableROM(4)电可擦去的PROMElactrically-ErasablePROM95.1.2存贮器的主要性能指标1．存贮容量这里指的是存贮器芯片的存贮容量，其表示方式一般为：芯片的存贮单元数×每个存贮单元的位数。2.存取时间存取时间就是存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间。3．可靠性微型计算机要正确地运行，必然要求存贮器系统具有很高的可靠性。104．功耗使用功耗低的存贮器芯片构成存贮系统，不仅可以减少对电源容量的要求，而且还可以提高存贮系统的可靠性。MOS型<双极型5．价格构成存贮系统时，

4、在满足上述要求的情况下，应尽量选择价格便宜的芯片。114.2常用存储器芯片4.2.1SRAM4.2.2EPROM4.2.3EEPROM4.2.4其他存储器125.2.1静态读写存贮器(SRAM)1．概述1)8K×8bit的CMOSRAM芯片现以6264(或6164)芯片为例，说明其引线功能。该芯片的引脚图如图5.1所示。(1)引线功能6264(6164)有28条引出线，它们包括：A0～A12为13条地址信号线。13图5.1SRAM6264引脚图14D0～D7为8条双向数据线。CS2为两条片选信号的引线。为输出允许信号。是写允许信号。15表5.16264真值表162．

5、连接使用(1)全地址译码方式利用CPU的所有地址线来连接存储芯片。每一个存储器单元惟一地对应CPU的一个地址。比如：下图地址空间为：F0000H-----------F1FFFH8KB17图5.2SRAM6264的全地址译码连接18图5.3另一种译码器19图5.4SRAM6264的部分地址译码连接20(2)部分地址译码方式分析图5.4所示的连接图，可以发现，此时的8KB芯片6264所占据的内存地址空间为:DA000H～DBFFFHDE000H～DFFFFHFA000H～FBFFFHFF000H～FFFFFH21(3)译码器电路①利用厂家提供的现成的译码器芯片。②利用

6、厂家提供的数字比较器芯片。③利用ROM做译码器。④利用PLD。223．静态RAM连接举例图5.7SRAM6116引线图23图5.5两片6116与8位总线的连接图244.SRAM的时序25(2)6264(6164)的工作过程图5.11SRAM6264数据写入波形26图5.12SRAM6264数据读出波形275.2.2EPROMEPROM是一种可以擦去重写的只读存贮器。1．2764的引线2764是一块8K×8bit的EPROM芯片，引线图如图5.13所示。A0～A12为13条地址信号输入线，说明芯片的容量为8K个单元。D0～D7为8条数据，表明芯片的每个存贮单元存放一个

7、字节(8位二进制数)。28图5.132764引线图29为片选允许输入信号。是输出允许信号。为编程脉冲输入端。2．2764的连接使用2764在使用时，仅用于将其存贮的内容读出。其过程与RAM的读出十分类似。即送出要读出的地址，然后使和均有效(低电平)，则在芯片的D0～D7上就可以输出要读出的数据。其过程如下所示。30EPROM的读出过程31图5.142764的连接图323．EPROM的编程(1)擦除(2)编程①标准编程。图5.16EPPOM27C04033图5.17EPPOM27C040的编程时序34图5.1827C040快速编程流程图351．典型EEPROM芯片