哈工大模电答案 (最新详细版)

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1、习题第3章【3-1】如何用指针式万用表判断出一个晶体管是NPN型还是PNP型？如何判断出管子的三个电极？锗管和硅管如何通过实验区别？解：1．预备知识万用表欧姆挡可以等效为由一个电源（电池）、一个电阻和微安表相串联的电路，如图1.4.11所示。ececμAbbNPNPNP负极黑笔正极红笔图1.4.11万用表等效图图1.4.12NPN和PNP管等效图(1)晶体管可视为两个背靠背连接的二极管，如图1.4.12所示。(2)晶体管3个区的特点：发射区杂质浓度大，基区薄且杂质浓度低，集电区杂质浓度很低。因此，发射结正偏时，射区有大量

2、的载流子进入基区，且在基区被复合的数量有限，大部分被集电极所收集，所以此时的电流放大系数β大。如果把发射极和集电极调换使用，则集电结正偏时，集电区向基区发射的载流子数量有限，在基区被复合后能被发射极吸收的载流子比例很小，所以β反很小。2．判断方法(1)先确定基极：万用表调至欧姆×100或×1k挡，随意指定一个管脚为基极，把任一个表笔固定与之连接，用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻。若两次测得电阻都很大（或很小）。把表笔调换一下再测一次，若测得电阻都很小（或很大），则假定的管脚是基极。若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大

3、，为NPN型，反之为PNP型。(2)判断集电极：在确定了基极和晶体管的类型之后，可用电流放大倍数β的大小来确定集电极和发射极。现以NPN型晶体管为例说明判断的方法。先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起，并用一只手的中指和姆指捏住，红表笔与假定的发射极接在一起，再用捏集电极的手的食指接触基极，记下表针偏转的角度，然后两只管脚对调再测一次。这两次测量中，假设表针偏转角度大的一次是对的。这种测试的原理如图1.4.13所示。当食指与基极连接时，通过人体电阻给基极提供一个电流IB，经放大后有较大的电流流过表头，使表针偏转,β大，

4、表针偏转角度就大。因为β>>β反,所以表针偏转角度大的一次假设是正确的。人黑笔体电c阻beμA红笔图1.4.13测试示意图【3-2】图3.11.1所示电路中，当开关分别掷在1、2、3位置时，在哪个位置时IB最大，在哪个位置时IB最小？为什么?图3.11.1题3-2电路图[解]当开关处于位置2时，相当一个发射结，此时IB最大。当开关处于位置1时，c、e短路，相当于晶体管输入特性曲线中UCE=0V的那一条，集电极多少有一些收集载流子的作用，基区的复合还比较大，IB次之。当开关处于位置3时，因集电结有较大的反偏，能收集

5、较多的载流子，于是基区的复合减少，IB最小。【3-3】用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电位如图3.11.2所示，试判断晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)？图3.11.2题3-3电路图解：晶体管从左到右，工作状态依次为放大、饱和、截止、放大。【3-4】已知晶体管的=50，分析图3.11.3所示各电路中晶体管的工作状态。图3.11.3题3-4电路图[解]12VU(a)电路中，基极电流BE，可以根据基极电流值求晶体管的I0.2mAB10k(1)1k管压降UI12V(12)k

6、18V。然而在该电路中管压降不可能为负值，出现负CEB值的原因是错误的计算了集电极电流，实际上集电极电流因有Rc的限制不能达到I=10mA，故在该电路中集电极电路和基极电流不能满足倍的关系，工作在饱和区。B(b)电路中，发射结不能正偏，晶体管工作在截止区。12VUBE(c)电路中，I0.023mA，UI12V5.1k6.1V，管压降足以建立集电BCEB510k极结反压，晶体管工作在放大区。【3-5】分别画出图3.11.4所示各电路的直流通路和交流通路。图3.11.4题3-5电路图解：直流通

7、路，见图2-2(1)。VVCCVCCDDRRRcRdcRg1R1b1VTVTRgRR2b2RRR3SeRg2()a()b()c图2-2(b)交流通路，见图2-2(c)。图2-2(c)【3-6】放大电路如图3.11.5(a)所示，晶体管的输出特性曲线以及放大电路的交、直流负载线如图3.11.5(b)所示。设UBE0.6V，rbb300，试问：1．计算Rb、Rc、RL；2．若不断加大输入正弦波电压的幅值，该电路先出现截止失真还是饱和失真？刚出现失真时，输出电压的峰峰值为多大？3．计算放大电路的输入电阻、电压放大倍数A

8、u和输出电阻。4．若电路中其他参数不变，只将晶体管换一个β值小一半的管子，这时IBQ、ICQ、UCEQ以及Au将如何变化？VCCRcRC2b+C1+VTRLUoUi(a)(b)图3.11.5题3-6电路图[解]1．由图(b)可知IBQ=40、ICQ=2m、UCEQ=5V、VCC=10V，所以VU100.6