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时间:2019-09-30
《云南省德宏州芒市一中高二下学期期末化学试卷含解析》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、云南省德宏州芒市一中2015-2016学年高二(下)期末化学试卷一、选择题(本题包括13小题,每题3分,共39分.每小题只有一个选项符合题意・)1.下列能层中,有f能级的是()D.ND.ds区A.KB.LC.M2.根据电子排布的特点,铜元素在周期表属于()A.s[XB.p(XC.d[X3.在基态多电子原子屮,关于核外电子能量的叙述错误的是()A.最易失去的电子能量最高B.L层电子比K层电子能量高C.p轨道电子能量一定高于s轨道电子能量D.在离核最近区域内运动的电子能量最低4.下列化合物分子屮一定既含。键又含兀键的是()D.H2O2A.CH4B.
2、NH3C.C2H45.下列说法或有关化学用语的表达正确的是()A.在基态多电子原子中,p轨道电子能量一定高于s轨道电子能量B.基态Fe原子的外围电子排布图为:▲▲▲▲▲3d4sC.因氧元素电负性比氮元素大,故氧原子第一电离能比氮原子第一电离能大D.根据原子核外电子排布的特点,Cu在周期表中属于s区元素6.下面的排序不正确的是()A.晶体熔点由低到高:CF4碳化硅〉晶体硅C.熔点由高到低:Na>Mg>AlD.晶格能由大到小:NaF>NaCl>NaBr>NaI7.下列分子或离子中,VSEPR模型
3、名称与分子或离子的立体构型名称不一致的是()A.CO2B.H2OC.CO32_D.CC148.现有四种元素的基态原子的电子排布式如下:①ls22s22p63s23p4;②ls22s22p63s23p3;®ls22s22p5.则下列有关比较中正确的是()A.第一电离能:®>@>®B•原子半径:③,②〉①C.电负性:最高正化合价:®>@>®1.麟(PH3)又称为磷化氢,在常温下是一种无色有大蒜臭味的有毒气体,电石气的杂质中常含之.它的分子是三角锥形.以下关于PH3的叙述中,正确的是()A.PH3是非极性分子B.PH3分子中有未成键的电子对C.PH3
4、是强氧化剂D.PH3分子中的P-H键是非极性键2.关于化学式[TiCl(H2O)5]C12H2O的配合物的下列说法中正确的是()A.配位体是C「和H2O,配位数是9B.中心离子是Ti4+,配离子是[TiCl(H2O)5]"C.内界和外界中的C「的数目比是1:2D.加入足量AgNCh溶液,所有C「均被完全沉淀3.一种由钛(Ti)原子和碳原子构成的气态团簇分子,分子模型如图所示,其中圆圈表示钛原子,黑点表示碳原子,则它的化学式为()A.TiCB.Ti]3C】4C5、电子且无空轨道;Y原子的特征电子构型为3d64s2;Z原子的L电子层的p能级上有一个空轨道;Q原子的L电子层的P能级上只有一对成对电子;T原子的M电子层上p轨道半充满.下列叙述不正确的是()A.元素Y和Q可形成化合物Y2Q3B.T和Z各有一种单质的空间构型为正四面体形C.X和Q结合生成的化合物为离子化合物D.ZO2是极性键构成的非极性分子5.下列叙述错误的是()①离子键没有方向性和饱和性,而共价键有方向性和饱和性②配位键在形成时,是由成键双方各提供一个电子形成共用电子对③金属键的实质是金属中的“自由电子〃与金属阳离子形成的一种强烈的相互作用④在6、冰晶体中,既有极性键、非极性键,又有氢键⑤化合物NH4CI和CuSO45H2O都存在配位键⑥NaCl、HF、CH3CH2OH、SO2都易溶于水,但原因不完全相同.A.①③B.&④C.②⑤D.④⑥二、非选择题(本题包括4小题,共61分)1.碑化镣(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等.回答下列问题:(1)写出基态As原子的核外电子排布式.(2)根据元素周期律,原子半径GaAs,第一电离能GaAs.AsCb分子的立体构型为,其中As的杂化轨道类型为.(4)GaFg的熔点高于1000°C,GaCl3的熔点为力.9°C7、,其原因是•(5)GaAs的熔点为1238°C,密度为pgem-3,其晶胞结构如图所示.该晶体的类型为,Ga与As以键键合.Ga和As的摩尔质量分别为Mcagmol则GaAs晶7和MAsgmol-1,原子半径分别为「Gapm和「Aspm,阿伏伽德罗常数值为Na,胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为.•GaoAs1.错(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛.回答下列问题:(1)基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar],有个未成对电子.(2)Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、参键,但Ge原子之间难以形成双键或童键.从原子结构角8、度分析,原因是.(3)比较下列错卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因.GeCl4GeBi*4Ge【4熔点/°c-49.526146沸点/°c83.
5、电子且无空轨道;Y原子的特征电子构型为3d64s2;Z原子的L电子层的p能级上有一个空轨道;Q原子的L电子层的P能级上只有一对成对电子;T原子的M电子层上p轨道半充满.下列叙述不正确的是()A.元素Y和Q可形成化合物Y2Q3B.T和Z各有一种单质的空间构型为正四面体形C.X和Q结合生成的化合物为离子化合物D.ZO2是极性键构成的非极性分子5.下列叙述错误的是()①离子键没有方向性和饱和性,而共价键有方向性和饱和性②配位键在形成时,是由成键双方各提供一个电子形成共用电子对③金属键的实质是金属中的“自由电子〃与金属阳离子形成的一种强烈的相互作用④在
6、冰晶体中,既有极性键、非极性键,又有氢键⑤化合物NH4CI和CuSO45H2O都存在配位键⑥NaCl、HF、CH3CH2OH、SO2都易溶于水,但原因不完全相同.A.①③B.&④C.②⑤D.④⑥二、非选择题(本题包括4小题,共61分)1.碑化镣(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等.回答下列问题:(1)写出基态As原子的核外电子排布式.(2)根据元素周期律,原子半径GaAs,第一电离能GaAs.AsCb分子的立体构型为,其中As的杂化轨道类型为.(4)GaFg的熔点高于1000°C,GaCl3的熔点为力.9°C
7、,其原因是•(5)GaAs的熔点为1238°C,密度为pgem-3,其晶胞结构如图所示.该晶体的类型为,Ga与As以键键合.Ga和As的摩尔质量分别为Mcagmol则GaAs晶7和MAsgmol-1,原子半径分别为「Gapm和「Aspm,阿伏伽德罗常数值为Na,胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为.•GaoAs1.错(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛.回答下列问题:(1)基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar],有个未成对电子.(2)Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、参键,但Ge原子之间难以形成双键或童键.从原子结构角
8、度分析,原因是.(3)比较下列错卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因.GeCl4GeBi*4Ge【4熔点/°c-49.526146沸点/°c83.
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