[精品]晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

[精品]晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

ID:43150444

大小:61.50 KB

页数:4页

时间:2019-09-27

[精品]晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程_第1页
[精品]晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程_第2页
[精品]晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程_第3页
[精品]晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程_第4页
资源描述:

《[精品]晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库

1、晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程.txt-两个人同时犯了错,站出来承担的那一方叫宽容,另一方欠下的债,早晚都要还。-不爱就不爱,别他妈的说我们合不来。A.晶圆封装测试工序一、IC检测1.缺陷检查DefectInspection2.DR-SEM(DefectReviewScanningElectronMicroscopy)用来检测岀晶圆上是否有瑕疵,主要是微尘粒了、刮痕、残留物等问题。此外,对已印有电路图案的图案晶圆成品而言,则盂要进行深次微米范围Z瑕疵检测。一般来说,图案晶鬪检测系统系以白光或雷射光来照射品圆表面。轉由一或多组侦测器接收口品圆表面绕射出来

2、的光线,并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除,以辨识并发现瑕疵。3.CD-SEM(CriticalDimensioinMeasurement)对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。二、IC封装1.构装(Packaging)IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种,而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例,其步骤依序为晶片切割(diesaw).黏晶(diemount/diebond)焊线(wirebond)^封胶(mold)、剪切/成形(trim/form)>印字(mark)>电镀(plating)及检验(in

3、spection)等。(1)晶片切割(diesaw)晶片切割之目的为将询制程加工完成之品圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。举例來说:以0.2微米制程技术生产,每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微虽。欲进行品片切割,首先必须进行品圆黏片,而后再送至品片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上,而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。(2)黏晶(diemount/diebond)黏品之目的乃将一颗颗之品粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏品完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)內,以送至下一制程进行焊线。(

4、3)焊线(wirebond)TC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(IntegratedCircuit;简称IC),此制程的目的是为了制造出所牛产的电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin),称Z为打线,作为与外界电路板连接之用。(1)封胶(mold)封胶Z主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产牛热量之去除及提供能够手持Z形体。其过程为将导线架置于框架上并预热,再将框架置于压模机上的构装模上,再以树脂充填并待硬化。(2)剪切/成形(trim/for

5、m)剪切ZFI的为将导线架上构装完成Z品粒独立分开,并把不需要的连接用材料及部份凸出Z树脂切除(dejunk)。成形ZFI的则是将外引脚压成各种预先设计好Z形状,以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要市一部冲压机配上多套不同制程之模具,加上进料及出料机构所組成。(3)印字(mark)及电镀(plating)卬字乃将字体印于构装完的胶体Z上,其H的在于注明商品Z规格及制造者等资讯。(4)检验(inspection)品片切割之目的为将前制程加工完成之品圆上一颗颗之检验之目的为确定构装完成之产品是否合与使用。其中项冃包括诸如:外引脚Z平整性、共面度、脚距、印字是

6、否清晰及胶体是否有损伤等的外观检验。(5)封装制程处理的最后一道手续,通常还包含了打线的过程。以金线连接芯片与导线架的线路,再封装绝缘的塑料或陶瓷外壳,并测试集成电路功能是否正常。1.测试制程(InitialTestandFinalTest)(1)芯片测试(wafersort)(2)芯片目检(dievisual)(3)芯片粘贴测试(dieattach)(4)压焊强度测试(leadbondstrength)(5)稳定性烘焙(stabilizationbake)(1)温度循环测试(temperaturecycle)(2)离心测试(constantaccelera

7、tion)(3)渗漏测试(leaktest)(4)高低温电测试(5)高温老化(burn-in)(6)老化后测试(post-burn-inelectricaltestB.半导体制造工艺流程NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为:外延片一一编批——清洗——水汽氧化次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积一一清洗一一硼再扩散——二次光刻一一检查——单结测试一一清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝KCVD一清洗——发射区再扩散——三次光刻——检査——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——疋向测试——清洗——铝上C

8、VD——检杏——五次光刻——检杏——氮气烘焙——检杳

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。