欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:42450969
大小:39.50 KB
页数:4页
时间:2019-09-15
《晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程5546748998》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、A.晶圆封装测试工序一、IC检测1.缺陷检查DefectInspection2.DR-SEM(DefectReviewScanningElectronMicroscopy)用来检测出晶岡上是否冇瑕疵,主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外,对已印冇电路图案的图案品圆成品而言,则需要进行深次微米范围Z瑕疵检测。一般來说,图案晶圆检测系统系以口光或雷射光来照射晶圆表面。再山一或多组侦测器接收白晶圆表面绕射出来的光线,并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除,以辨识并发现瑕疵。3.CD-SEM(CriticalDimensioinMeasurement)对蚀刻后的图案作精确的
2、尺寸检测。二、IC封装1.构装(Packaging)IC构装依使用材料可分为陶瓷(cezniic)及塑胶(plastic)两种,而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装屮打线接介为例,其步骤依序为晶片切割(diesaw)、黏晶(diemount/diebond)>焊线(wirebond)>封胶(mold)^剪切/成形(trim/form)、印字(mark)电镀(plating)及检验(inspection)等。(1)晶片切割(diesaw)品片切割Z目的为将前制程加工完成Z晶圆上一颗颗Z晶粒(die)切割分离。举例来说:以0.2微米制程技术牛产,每片八寸晶圆上可制作近
3、六乔颗以上的64M微量。欲进行晶片切割,首先必须进行晶圆黏片,而厉再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上,而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒Z相互碰撞。(2)黏晶(diemount/diebond)黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着I古I定。黏晶完成厉之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内,以送至下一制程进行焊线。(3)焊线(wirebond)IC构装制程(Packaging)则是利用犁胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(IntegratedCircuit;简称IC),此制程的口的是为了制造出所生产的电路
4、的保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin),称Z为打线,作为与外界电路板连接Z用。(1)封胶(mold)封胶Z主要目的为防止湿气rh外部侵入、以机械方式支持导线、內部产牛热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架直于框架上并预热,再将框架置于压模机上的构装模上,再以树脂充填并待硬化。(2)剪切/成形(trim/form)剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开,并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除(dejunk)。成形之tJ的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状,以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一
5、部冲压机趾上多套不同制程Z模具,加上进料及出料机构所組成。(3)印字(mark)及电镀(plating)印字乃将字体印于构装完的胶体之上,其日的在于注明商品Z规格及制造者等资讯。(4)检验(inspection)晶片切割之目的为将询制程加工完成之晶圆上一颗颗之检验之目的为确定构装完成之产品是否合与使用。其屮项日包括诸如:外引脚之平整性、共而度、脚距、印字是否清晰及胶体是否有损伤等的外观检验。(5)封装制程处理的最后一道手续,通常还包含了打线的过程。以金线连接芯片与导线架的线路,再封装绝缘的塑料或陶瓷外壳,并测试集成电路功能是否正常。1.测试制程(InitialTestan
6、dFinalTest)(1)芯片测试(wafersort)(2)芯片目检(dievisual)(3)芯片粘贴测试(dieattach)(4)压焊强度测试(leadbondstrength)(5)稳定性烘焙(stabi1izationbake)(6)温度循环测试(temperaturecycle)(7)离心测试(constantacceleration)(8)渗漏测试(leaktest)(9)髙低温电测试(10)高温老化(burn-in)(11)老化后测试(post-burn-inelectricaltestB.半导体制造工艺流程NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为:外延
7、片一一编批——清洗一一水汽氧化次光刻一一检查——清洗一一干氧氧化一一硼注入一一淸洗一一UD0淀积一一请洗一一硼再扩散一一二次光刻一一检查一一单结测试一—清洗一一干氧氧化——磷注入——清洗——铝一KCVD—清洗一一发射区再扩散一一三次光刻一一检查一一双结测试一一清洗一一铝蒸发一一四次光刻一一检查一一氢气介金一一正向测试——淸洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测一一中测检查一一粘片一一减薄一一减薄后处理一一检查——清洗一一背面蒸发一一贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间
此文档下载收益归作者所有