12机电电子技术月考一

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1、基础部12级机电专业电子技术学科第一次月考试卷成绩第一卷(请将答案写在第二卷前的答题卡上)一、判断2*10=201.在半导体内部,只有电子是载流子。()2.在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()3.单相全波桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。()4.用万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“+”号插孔中的测试表笔(通常是红色表笔)所连接的二极管的管脚是二极管的阳极,另一电极是阴极。()5.晶体二极管击穿后立即烧毁。()6.晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,反向

2、电流会迅速增大。()7.相量图法求交流电和、差,必须是同频率的交流电。()8.已知电流订=2sin(314t+45°)A,i2=3sin(314t+30°)A,其和则为i=il+i2=5sin(314t+75°)Ao()9.在纯电容交流电路中,电流永远超前电压90°o()10.交流电路的阻抗随电源频率的升高而增大,随频率的下降而减小。()二、选择16*3=4811・通常所说的交流电压220V或380V,是指它的()A平均值B有效值D最大值12.图6是电流、电压的相量图,由图可知()A有效值的数值I>UB电流、电压的相位差是15。D电流超前电压75。C电压超前电流

3、75°13.已知交流电路中,某元件的阻抗与频率成反比,则该元件是()A电阻B电感C电容14.若电路中某元件两端的电压u=36sin(314tT80°)V,电流i二4sin(314t+180°)A,则该元件是()A电阻B电感C电容15.图10是单一参数交流电路的电压、电流波形图,由图可知电路的参数是7A电阻B电感C电容16.图11所示的交流电路中,电压U不变,而频率升高,各灯泡亮度的变化B灯B变亮A灯A变亮C灯C变亮D所有的灯都变亮图1117.在电阻、电感和电容串联的正弦交流电路中,已知电阻R=2Q,容抗XC=8Q,感抗XL=8Q,则电路的阻抗Z为()。(A)2

4、Q(B)22Q(C)12Q(D)24Q18•纯电容电路中,正确的关系式是()Al=u)CUBl=U/u)CCl=Um/XcDI二u/Xc19.图7,当交流电源的电压为220V,频率为50HZ时,三只电灯的亮度相同,现将交流电的频率改为20H乙则下列情况正确的应是(〉AA灯比原来暗BB灯比原来亮CC灯比原来亮DC灯和原来一样亮20.知某负载上的电压为u=220V2sinu)tV,通过的电流为i二5VIsin(3t-300°)A,可以判断它的性质为(〉A感性负载B容性负载C为一纯电阻电路D可能发生了谐振21.ii、i2>i3的相量如图所示,则i・=ii+i2+i3的

5、有效值为<1AA:4AB:0A2AC:(2+V3)AD:(2-V3)A22•阻抗的幅角是()A:复阻抗的初相B:电压的初相C:电流与电压的相位差D:电压与电流的相位差23.当环境温度升髙时,晶体二极管的反向电流将()o24.当晶体二极管工作在区时,相当于一个阻值很大的电阻()。A.导通区B.只有在截止区C.击穿区D.截止区或死区25.错晶体二极管的导通电压是()。A.0.5VB.0.7VC・0.2VD・0.3V26.图1-4给出了错二极管和硅二极管的伏安特性曲线。其中硅二极管的特性曲线是由:A.a和c组成B・a和d组成C・b和c组成D.b和d组成答题纸12345

6、67891011121314151617181920212223242526第二卷三、填空2*10=2024.用万用表判别较大容量电容器质量时,应将万用表拨到欧姆档的档或档,若万用表指针向右偏转后又较快地回到起始位置的地方,说明电容器,若指偏转到零欧姆处不再返回,说明电容器内部已经若指针不偏转,则说明电容器内容已经。28•已知电压u=10sin(314t+30°)V,电流i=20sin(100nt-60°)A,则三角形式j二V,1=A;指数形式住=V,/=A;极坐标形式(/二V,/=Ao四、分析计算题。45分29.计算图1所示各电路的复阻抗Zab:12分10C(

7、a)图1(c)ion(d)ioa图(a〉乙b二Q;图(b)Zab二Q;过程:过程:图(c)Zab二过程:图(d)Zab二过程:31.在下图所示电路中,二极管是理想的。当UI二12V时,Uo二?。8分T+12V33、电路如图所示,求电流II,I2O(10,)R2=10Q,XC1=XC2=5Q,35.“5分〉在下图所示电路中,已知:R1=5Q,w=l(V2sin(Dr+^)VXL=15Q,2。求:(1)电路总复阻抗Z;(2)求电路总电流)(3)求R2上的电压〃R2;

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