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《【大高考】高考化学一轮总复习专题二十五物质结构与性质AB卷》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、物质结构与性质A卷全国卷原了结构打性质1.(2013•课标全国卷I,37,15分)硅是重要的半导体材料,构成了现代电子工业的基础。回答下列问题：(1)慕态Si原了中，电了占据的最高能层符号为，该能层具冇的原子轨道数为、电子数为。(2)硅主要以硅酸盐、等化合物的形式存在于地壳中。(3)单质硅存在与金刚石结构类似的晶体，其屮原子与原子之间以相结合,其晶胞中共有8个原子，其中在而心位置贡献个原子。(4)单质硅可通过甲硅烷(SiHj分解反应来制备。工业上采用Mg2Si和NHQ在液氨介质中反应制得SiH”该
2、反应的化学方程式为。(5)碳和硅的冇关化学键键能如下所示，简要分析和解释下列冇关事实:化学键c—CC—IIc—0Si—SiSi—11Si—0键能356413336226318452(kJ•mol-1)①硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷泾多，原因是②SiB的稳定性小于伽，更易生成氧化物，原因是o(6)在硅酸盐屮，Si(T四面体(如下图(a))通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图(b)为一种无限长单链结构的多硅酸根：其中Si原了的杂,Si与0的
3、原子数之比为，化学式为解析硅的核外电子排布式为ls22s22p63s23pM能层有s、p、d三个能级,共9个原子轨道；(3)立方体共有6个面，面心位置上贡献3个原子；(4)此反应不属于氧化还原反应，产物除SiHi外，还应有MgCb,另一生成物只能是NH：＜；(5)由信息可知应从反应物、产物键能的差界角度进行分析；(6)—个硅原子与四个氧原子相连，形成4个□键，硅原子最外层四个电子全部参与成键，无孤电了对，为sp‘杂化；①、②两个氧原了冇两个结构单元共用，如图再加上其他2个氧原了，一个结构单元中含
4、冇一个硅原了，3个氧原了，依据化合价可知一个结构单元表现的化合价为一2,即化学式为si(r或［si。』厂。答案(DM94(2)二氧化硅(3)共价键3(4)Mg2Si+4NH1C1=SiH4+4NH3+2MgC12(5)®C—C键和C—H键较强，所形成的烷桂稳定，而硅烷屮Si—Si键和Si—H键的键能较低，易断裂，导致长链硅烷难以牛成②C—H键的键能大于C—0键,C—H键比C—0键稳定•。而Si—H键的键能却远小于Si—0键，所以Si—H键不稳定而倾向于形成稳定性更强的Si—0键(6)sp31:3［
5、SiO：J厂(或SiO釣)考点二分子结构与性质1.(2016•课标全国卷II,37,15分)东晋《华阳国志•南中志》卷四中已有关于白铜的记载，云南镰白铜(铜银合金)闻名屮外，曾主要用于造币，亦可用于制作仿银饰品。冋答下列问题：⑴镰元素基态原子的电子排布式为,3d能级上的未成对电子数为o(2)硫酸银溶于氨水形成［Ni(NH：J6］SO.蓝色•溶液。①［Ni(NH3)6】SO冲阴离子的立体构型是o②在［Ni(NHs)6］2+屮N"4•与側之间形成的化学键称为,提供孤电了对的成键原子是O③氨的沸点(填“
6、高于”或“低于”)麟(PH：J,原因是；氨是分了(填“极性”或“非极性”)，中心原了的轨道杂化类型为0(3)单质铜及鎌都是由键形成的晶体；元索铜与鎳的第二电离能分别为：/cu=l958kj・mol-1.厶i=l753kJ・mol-1,厶Q厶i的原因是。(4)某線口铜合金的立方晶胞结构如图所示。OCuONi①品胞中铜原子与鎳原子的数量比为O②若合金的密度为dg•cm-3,ini胞参数a=nm0解析(1)傑是28号元素，位于第四周期，第VIII族，根据核外电子排布规则，其基态原子的电子排布式为ls22
7、s22p63s23p63d84s2；3d能级有5个轨道,根据洪特原则,先占满5个白旋方向相同的电子，再分别占据三个轨道，电子H旋方向相反，所以未成对的电子数为c_L9—9X42。(2)①根据价层电子对互斥理论，SO厂的。键电子对数等于4,孤电子对数为——=0,则阴离子的立体构型是正四面体形;②根据配位键的特点，在［Ni(NH3)J2+'PNf4■与NH3之间形成的化学键称为配位键，提供孤电了对的成键原了是N；③氨气分子间存在氢键,分子间作用力强，所以氨的沸点高于麟(PHJ；根据价层电子对互斥理论，
8、氨气中心原子N的。键电了对数等于3,孤电了对数为亍=1，则中心氮原了轨道杂化类型为sp‘杂化，分子为三角锥形，正负电荷重心不重證，氨气是极性分子。(3)铜和镰属于金属，则单质铜及線都是由金属键形成的晶体；铜失去的是全充满的3(T电子，镰失去的是4s】电子，所以心＞氐。(4)①根据均摊法计算，晶胞中铜原子个数为6X^=3,鎳原子的个数为8x
9、=l,则铜和傑的数量比为3:1；②根据上述分析，该晶胞的组成为CihNi,若合金的密度为dg・cm7,根据P=¥则晶胞参数X107nm。答案(1
