山西省运城市空港新区2017届高三理综模拟考试试题二

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1、山西省运城市空港新区2017届高三理综模拟考试试题（二）本试卷分第I卷（选择题）和第II卷（非选择题）两部分，共300分，考试时间150分钟可能用到的相对原子质量：II1C12016Na23Al27S32第I卷（选择题共126分）一、选择题：本题共13小题，每小题6分。每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。1.下列有关细胞的物质或结构的叙述，正确的是A.蛋白质或氨基酸与双缩腺试剂作用后不需加热都能显现紫色B.组成细胞的元素和化合物在无机自然界中都能找到，没有一种为细胞所特有C.磷脂双分子层构成了细胞骨架D.蓝藻是能进行光合作用的自养生物，其细胞中含有藻蓝素和叶绿素2.为了观察

2、小鼠细胞的染色体，某兴趣小组对小鼠进行适当处理后，取出骨髄中的活细胞制成细胞悬液，经过低渗溶液处理（使染色体散开）、固定、染色后制片并观察。下列有关分析，错课的是••A.骨髓中含有干细胞，适合作为观察染色体的材料B.制备细胞悬液时，需使用盐酸和酒精混合液进行解离C.低渗溶液的浓度比细胞质浓度低，导致细胞渗透吸水膨胀D.最好选择有丝分裂中期的细胞观察染色体数目和形态特征3.2016年诺贝尔生理学或医学奖颁发给了日本生物学家大隅良典，以表彰其在细胞自噬方面的研究。细胞自噬是指在细胞核自噬基因的控制下细胞吞噬并分解自身细胞内蛋白质或受损的细胞器的过程。研究发现，细胞自噬还能消灭入侵细胞的病毒及

3、细菌，自噬基因的突变会导致疾病，癌症和神经类疾病的发生也与细胞的异常自噬有关。下列说法正确的是A.细胞自噬过程不会消耗的ATP但是伴随着生物膜的更新B.吞噬细胞中的细胞自噬发生频率高，主要依赖的细胞器为核糖体C.细胞自噬只能发牛在衰老和凋亡的细胞之中D.自噬基因突变导致的疾病可能会遗传给下一代4.下列有关渗透压的叙述正确的是A.血浆蛋白含塑的变化不会影响组织液的渗透压B.血浆和组织液的渗透压升高都容易引发组织水肿C.细胞外液渗透压的调节有激素和神经递质的参与［）•细胞外液渗透压的改变不会影响组织细胞的渗透压5.下列有关植物激素的相关表述，不正确的是A.采用流水浸泡种子降低脱落酸的含量，有

4、利于种子萌发A.去掉顶芽能抑制侧芽部分生长素的合成，以解除顶端优势B.乙烯能促进果实成熟进而产生更多的乙烯，属于反馈调节C.喷施赤霉素溶液或赤霉菌培养基滤液都能促进水稻牛.长1.基因突变、染色体变异常会导致不同类型的人类遗传病，分析、研究人类遗传病对于人类遗传病防治起着重要作用。已知抗维生素D佝偻病为伴X显性遗传病，血友病为伴X隐性遗传病。下列说法屮正确的是A.一对患有抗维生素D佝偻病的夫妇，所生的女儿不一定患病B.镰刀形细胞贫血症的根本病因是血红蛋白中一个氨基酸被替换C.某家庭中母亲患血友病，父亲正常，生了一个凝血正常且性染色体为XXY的孩子，则其形成原因可能是卵细胞界常D.人群中某常

5、染色体显性遗传病的发病率为19%,一对夫妇中妻子患病，丈夫正常，则所生子女不患该病的概率是9/192.下列生活屮常用的食物储存方法屮，所加物质不与氧气反应的是3.下列事实或现彖及结论均正确的是选项事实或现象结论A某钾盐屮滴加盐酸，产生使澄清石灰水变浑浊的无色气体该钾盐是K2CO3或KHCOaB加热蒸干MgSOi溶液能得到MgSO4固体;加热蒸干MgCb溶液得不到MgCl2固体H2SO4不易挥发,HC1易挥发C常温下，向相同的铝片屮分别加入足量的浓、稀硝酸，浓硝酸中的铝片先溶解完反应物的浓度越大，反应速率越快D冊3沸点低于PH3结构和组成相似的物质，沸点随相对分子质量增大而升高1.用下列实

6、验装置进行相应实验，装置正确且能达到实验目的的是C120厂C石墨饱和食盐水倉盤水DABA.用图q所示装置除去CL中含有的HC1B.用图b所示装置从饱和食盐水中提取氯化钠C.用图c所示装置制収乙烯气体D・用图d所示装置制取CI2、H21.同温同压下，ag气体A与bg气体B的分子数目相同，下列推断正确的是A.同质量的气体A与气体B,所含分子数目Z比为a：bB.气体A与气体B的摩尔质量之比为a:bC.相同条件下，ag气体A与bg气体B体枳之比为b：aD.相同条件下，气体A与气体B的密度之比为b:a2.阿司匹林（Aspirin）也叫乙酰水杨酸（结构如下图所示）是一种常用的解热镇痛、抗风湿类药物，

7、广泛应用于临床治疗和预防心脑血管疾病，近年来还不断发现它的新用途。下列有关说法正确的A.该化合物的分子式为GHioOiB.乙酰水杨酸的所有原子均在同一平面上C.与乙酰水杨酸具有相同官能团，且苯坏上只有两个取代基的芳香族同分异构体共有8种（不考虑立体异构）D.服用阿司匹林药量过大吋，可出现精神错乱、惊厥甚至昏迷等水杨酸反应，可用小苏打溶液解毒3.—种高能纳米级FeQ和镁的二次电池，其工作原理为:汁4Mg、看兰3Fe+4MgS,装置如图