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1、蚌埠学院毕业设计（论文）文献综述楷体，3号1.5倍行距，段前0行，段后0.5行单层膜巨磁阻抗效应的研究现状与发展趋势楷体，4号单倍行距黑体加粗，5号1.5倍行距学生姓名：徐晓锦指导教师：陈卫平宋体，5号1.5倍行距段前0行，段后0行摘要：本文简要介绍了巨磁阻抗效应及其理论研究概况，阐述单层膜横向各向异性、驱动电流频率和外加直流磁场方向对巨磁阻抗效应的影响，并介绍其研究发展趋势。宋体，5号1.5倍行距段前0行，段后0行关键词：巨磁阻抗效应；单层膜；趋肤效应黑体加粗，5号1. 课题背景、作用及意义标题1：大纲级别1，黑体，4号，单倍行距，段前1行，段后1行正文：首行缩进2
2、字符，宋体，小4号，1.5倍行距，段前0行，段后0行自从1992年,由日本名古屋大学的Mohri等人[1]在FeCoSiB非晶丝中首次发现巨磁阻抗效应以来，巨磁阻抗效应材料受到材料科技工作者的高度重视。材料的阻抗随外加直流磁场的变化而变化的现象称为巨磁阻抗效应（Gaintmagneto-impedanceeffect），简称GMI效应[1]。该效应具有高灵敏度、低饱和场、响应快、无磁滞、稳定性好的优点,在磁记录和磁传感器[1-4]等方面有着巨大的应用前景，成为现代磁电子学领域中的研究热点之一[2]。………………………………………………………………标题2：大纲级别1，黑
3、体，4号，单倍行距，段前1行，段后1行2.研究现状从理论上讲，薄膜的巨磁阻抗效应可以利用经典电动力学和铁磁学进行解释。GMI效应是一种经典电磁效应。在高频下，外加直流磁场通过改变材料的有效磁导率来改变高频电流的趋肤深度，从而间接改变材料的阻抗。………………………………………………………………………………………2.1国内研究现状及发展趋势大纲级别2黑体，小4号，1.5倍行距段前0.5行，段后0.5行………………………………………………………………5蚌埠学院毕业设计（论文）文献综述图1(Fe88Zr7B5)1-xCux(X=0，3，4)样品纵向磁阻抗比随磁场的变化关系。宋
4、体5号，1.5倍行距，段前0行，段后0行2.2国外研究现状及发展趋势………………………………………………………………3尚待研究的问题………………………………………………………………标题3：大纲级别1，黑体，4号，单倍行距，段前1行，段后1行4.总结与展望自1992年K.Mohri等人在FeCoSiB非晶丝中发现巨磁阻抗效应至今仅十几年时间，所以目前对它的研究仅仅处于起步阶段。人们对GMI效应的研究从Co基和Fe5蚌埠学院毕业设计（论文）文献综述基非晶及纳米晶软磁合金细丝、薄带和薄膜，扩大到复合丝、三明治带和多层膜材料。随着现代信息技术的发展，促使电子领域中的器件向微型
5、化，集成化方向发展。因为薄膜的制备与集成电路工艺具有兼容性，所以具有巨磁阻抗效应的软磁薄膜在集成电路和传感器等技术领域具有广阔的应用前景。而单层膜的研究更是因为在工艺和测试上存在巨大的困难而进展缓慢。这导致科学工作者对它的研究仍将继续深入下去。目前对于单层膜巨磁阻抗效应的物理本质仍不十分清楚，解决这一问题的关键在于建立能清晰和有效描述磁导率与外磁场之间关系的物理模型，而这一工作无疑具有很大的难度和挑战性。………………………5蚌埠学院毕业设计（论文）文献综述Timesnewroman，5号，1.5倍行距,段前0行，段后0行另起一页题目：大纲级别1，黑体，4号，1.5倍行
6、距，段前1.5行，段后1.5行参考文献[1]R.S.Beach,A.E.Berkowitz.Sensitivefieldandfrequency-dependentimpedentspectraofamorphousFeCoSiBwireandribbon[J].J.Appl.Phys.,1994,(76),6209-6211.[2]陈卫平,萧淑琴,王文静,刘宜华.沉积态(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03软磁合金薄膜的磁性和巨磁阻抗效应[J].金属学报,2004,(12),1295-1296.宋体，5号，1.5倍行距段前0行，段后0行………………………………说
7、明：1．参考文献15篇左右。2．所有参考文献必须在正文中引用。3．各类参考文献条目的编排格式及示例如下：a．专著、学位论文、报告[序号]主要责任者.文献题名[文献类型标识].出版地:出版者,出版年,起止页码(任选).[1]刘国钧,陈业,王兴因.科目名[M].北京:高等教育出版社,1987,13-17.b.期刊文章[序号]主要责任者.文献题名[J].刊名,年,卷(期),起止页码.[2]何保田.读顾城<南明史>[J].中国史研究,1998,(3),167-169.[3]金显一,王昌伙,江磊.一种用于检测的的技术[J].清华大学学报(自然科学版),1993
