半导体工艺半导体制造工艺试题库1答案

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1、项目—-二一〔四五总分满分100得分一、填空题（每空1分，计31分）1、工艺上用于四氯化硅的提纯方法有吸附法和精馅法。2、在晶片表而图形形成过程中，一般通过腐蚀的方法将抗蚀膜图形转移到晶片上，腐蚀的方法有湿法腐蚀和干法腐蚀。3、直拉法制备单晶硅的过程是：清洁处理一一装炉一一加热融化一一拉晶，其屮拉晶是最主要的工序，拉晶包括下种、缩颈、放肩、等径生长和收尾拉光等过程。3、抛光是晶片表面主要的精细加工过程，抛光的主要方式有化学抛光、机械抛光和化学机械抛光。4、掺杂技术包括•有热扩散、离子注入、合金和屮子嬪变等多种方法。5、晶片中的锂、钠、

2、钾等碱金属杂质，通常以间隙式（空位式或间隙式）扩散方式在晶片内部扩散，并且这类杂质通常称为快扩散（快扩散或慢扩散）杂质。6、在有限表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合髙斯分布函数；而在恒泄表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合余误差分布函数°7、在离子注入法的掺杂过程中，注入离子在非晶靶小的浓度分布函数满足对称的高斯分布，其浓度最大位于R匕处。8、在离子注入后，通常采用退火措施，可以消除由注入所产生的晶格损伤，常用的退火方式有_电子束退火、离子束退火、激光退火。9、根据分凝现象，若Ko>l,则分凝后杂质集中在尾部（头部或

3、尾部）;若Ko

4、网络结构变得更（A）（A）疏松（B）紧密（C）视磷元素剂量而言2.在微电子加工环境中，进入洁净区的工作人员必须注意以下事项（A.B.C.D）（A）进入洁净区要先穿戴好专用净化工作服、鞋、帽。（B）进入洁净区前先在风淋室风淋30秒，然后才能进入。（C）每周洗工作服，洗澡、理发、剪指甲，不用化妆品。（D）与工作无关的纸张、书报等杂物不得带入。3、离子注入设备的组成部分有（A、B、C、D）（A）离子源（B）质量分析器（C）扫描器（D）电子簇射器4、CVD淀积法的特点有（A、C、D）（A）淀积温度比较低（B）吸附不会彫响淀积速度（C）淀积材料

5、可以直接淀积在单晶基片上（D）样品本身不参与化学反应5、工艺中消除沟道效应的措施有（A、B、C、D）（A）增大注入剂量（B）增大注入速度（C）增加靶温（D）通过淀积膜注入6、液态源硼扩散所选用的硼源有（A、B、C）（A）硼酸三甲脂（B）硼酸三丙脂（C）三漠化硼（D）三氯氧磷三.判断（每题1分，计10分）1、I号液是碱性过氧化氢清洗液。（R）2、筛选器是用来去除杂质离子的设备。（R）3、石墨基座的清洁处理，首先用王水煮沸，再用去离子水冲洗。（R）4、注入窗口中淀积的二氧化硅薄层是起退沟道的作用。（R）5、以一般能量注入的重离子，在进入靶

6、片中，以电子阻挡为主。（F）6、硅烷热分解法淀积中，一旦源变成黄色就不能使用。（R）7、在二氧化硅氧化膜中，可动钠离子含量要求越高越好。（F）8、二氧化硅中的宏观缺陷是指用肉眼可以直接观察到的缺陷。（R）9、氮化硼（BN）是常用的固态硼杂质扩散源。（R）10、用四探针法可以测试扩散后的结深。（R）四、名词解释（每题5分，计20分）1、杂质分凝答：杂质在晶体中有一定分布，在固态中和液态中的分布又不一样，在晶体提纯时，利用杂质在晶体固态和液态的分布不一样，进行提纯，将杂质集中在晶体的头部或尾部，达到提纯的目的。2、鸟嘴效应答:硅氧化成二氧

7、化硅后体积会膨胀，所以窗口经热氧化会形成高度为0・55抵的台阶。而掩蔽氧化的Si3N4-SiO2图形周边由于受上述台阶的影响而向上翘起，形成所谓的鸟嘴效应。3、沟道效应答：在单晶硅中，晶体原子都是严格按照周期性排列，若注入离子垂直入射，离管道两边的硅原子距离都较远，所以受到硅原子碰撞的几率就很小，离子主要以电子碰撞为主，这样，其能力损失就很微弱，离子射程就很深，这句是沟道效应。4、溅射答：溅射是制备薄膜的一种方式，它是通过在真空系统中，采用辉光放电，产生等离子体，然后轰击溅射源材料，将源材料上的靶原子打出，沉积在衬底上，从而在衬底上得

8、到一层满足要求的薄膜。五、简答题（每题8分，计16分）1、请阐述离子注入掺杂法的优点（至少4点）答：（1）低温工艺；（2分）（2）离子通过精细筛选，掺杂纯度高；（2分）（3）掺杂浓度不受固溶度的限制；（2分）（4）对注入