半导体工艺半导体制造工艺技术试题库3

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1、项目—-二一〔四五总分满分100得分一、填空题（每空1分，计10分）1、工艺上用于四氯化硅的提纯方法有和O2、在晶片表而图形形成过程中，一般通过腐蚀的方法将抗蚀膜图形转移到晶片上，腐蚀的方法有和O3、抛光是晶片表面主要的精细加工过程，抛光的主要方式有、和O4、掺杂技术包括有、、合金和屮子嬪变等多种方法。5、在离子注入法的掺杂过程屮，注入离子在非晶靶中的浓度分布函数满足对称的高斯分布，其浓度最大位于处。二.选择题（每题2分，单项多项均有，计30分）1、在SiO?网络小，如果掺入了磷元素，能使网络结构变得更（）（A）疏松（B）紧密（C）视磷元素剂量而言2、在微电子加工环境中，进入洁净区的工作人员必

2、须注意以下事项（）（A）进入洁净区要先穿戴好专用净化工作服、鞋、帽。（B）进入洁净区前先在风淋室风淋30秒，然后才能进入。（C）每周洗工作服，洗澡、理发、剪指甲，不用化妆品。（D）与工作无关的纸张、书报等杂物不得带入。）（B）质塑分析器（D）电子簇射器3、离子注入设备的组成部分有（（A）离子源（C）扫描器4、CVD淀积法的特点有（）（A）淀积温度比较低（B）吸附不会影响淀积速度（C）淀积材料可以直接淀积在单晶基片上（D）样品本身不参与化学反应5、工艺中消除沟道效应的措施有（）（A）增人注入剂量（B）增大注入速度（C）增加靶温（D）通过淀积膜注入6、液态源硼扩散所选用的硼源有（(C)三漠化硼(D

3、)三氯氧磷7、在目前所用的钝化膜屮，对钠离子阻挡作用最强的是()(C)氮化硅(D)难熔金属)(B)中和剂(D)显影剂)(B)针压键合(D)超声键合)(B)氧化抛光(D)水气抛光(A)二氧化硅(B)PSG8、化学定影液屮的主要成分有((A)络合剂(C)保护剂9、工艺屮常用的键合方式有((A)热压键合(C)带式自动键合10、衬底气相抛光方式有((A)HC1气相抛光(C)C12抛光11、外延生长有如下几个过程：(1)在生长层表面进行化学反应，得到硅原子和其它副产物。(2)硅原子加接到晶格点阵上。(3)反应剂分子被吸附在生长层表面。(4)副产物脫离生长层表面的吸附。(5)反应剂质量从气相转移到生长层表

4、面。(6)解吸的副产物从生长层表面转移到气相，随主气流逸出反应室其正确的外延生长顺序是()(B)(3)(4)(2)(5)(6)(1)(D)(2)(5)(3)(1)(4)(6))(B)光刻腐蚀方便(D)节约大量钩丝和铝源(A)(1)(2)(3)(4)(5)(6)(C)(5)(3)(1)(4)(6)(2)12、工艺屮釆用电子束蒸发的优点有((A)膜纯度高，钠离子玷污少(C)镀膜层均匀13、在工艺中可采取下述哪几种溅射方法进行金属铝膜的制备()(A)直流二级溅射(B)射频溅射(C)磁控溅射(D)反应溅射14、光刻工艺是品圆制造中非常精细一个流程，为保证曝光精度，必须要考虑如下哪些参数(A)特征尺寸(

5、B)分辨率(C)套刻精度(D)工艺宽容度15、在SiO薄膜中，为改善材料性能，通常要添加P和B元素，其中B的作用是()(A)增加回流温度(B)降低回流温度(C)抵抗钠离子(D)提高稳定性三、判断（每题1分，计16分）1、I号液是碱性过氧化氢清洗液。（）2、筛选器是用来去除杂质离子的设备。（）3、石墨基座的清洁处理，首先用王水煮沸，再用去离子水冲洗。（）4、注入窗口中淀积的二氧化硅薄层是起退沟道的作用。（）5、以一般能量注入的重离子，在进入靶片中，以电子阻挡为主。（）6、硅烷热分解法淀积中，一旦源变成黄色就不能使用。（）7、在二氧化硅氧化膜中，可动钠离子含量要求越高越好。（）8、二氧化硅中的宏观

6、缺陷是指用肉眼可以直接观察到的缺陷。（）9、氮化硼（BN）是常用的固态硼杂质扩散源。（）10、用四探针法可以测试扩散后的结深。（）11、光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间反差要低。（）12、当机械泵抽气达到10'2Torr以后，再要抽气，必须使用油泵扩散。（）13、金属辂版的耐酸碱度远远低于乳胶版。（）14、在二氧化硅干法腐蚀中，添加一定量的氧，能提高腐蚀速率。（）15、干法刻蚀除了用于介质材料的的腐蚀以外，还可以用于去胶。（）16、晶片减薄以后通过背面蒸金以减小串联电阻。（）四、名词解释（每题5分，计20分）1、杂质分凝2、鸟嘴效应3、沟道效应4、溅射五、简答题（每题8分，计24分）1、请阐

7、述离子注入掺杂法的优点（至少4点）2、简述进行硅化反应的原因、步骤及原理。3、请分别阐述如何用湿法化学腐蚀二氧化硅和氮化硅?