半导体制造工艺流程_(可排版)

《半导体制造工艺流程_(可排版)》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、半导体制造工艺流程半导体相关知识木征材料：纯硅9・10个9250000Q3x/a>.cmN型硅：掺入V族元素-磷P、础As、怫SbP型硅：掺入III族元素一铢Ga>硼BPN结：NP+++++半导体元件制造过程可分为前段(FrontEnd)制程晶圆处理制程(WaferFabrication；简称WaferFab)>晶圆针测制程(WaferProbe)；后段(BackEnd)构装(Packaging)>测试制程(InitialTestandFinalTest)一、晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件(如电晶体、电容体、逻辑闸等)，为上述各制程中所需技术最复朵且资金投入

2、最多的过程，以微处理器(Microprocessor)为例，其所需处理步骤口J达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘(Particle)均需控制的无尘室(Clean-Room),虽然详细的处理程序是随著产胡种类与所使用的技术冇关；不过其基本处理步骤通常是品圆先经过适当的清洗(Cleaning)Z后，接著进行氧化(Oxidation)及沈积，最后进彳亍微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。二、晶圆针测制程经过WaferFab之制程后，晶圆上即形成一格格的小格,我们称之为晶方或是品粒(Die),在一般情形下，同一片品圆上

3、皆制作相同的品片，但是也冇可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶I员I必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测(Probe)仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号(InkDot),此程序即称之为晶圆针测制程(WaferProbe)0然后晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒三、IC构装制程IC构装制程(Packaging)：利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成积体电路目的：是为了制造出所生产的屯路的保护层，避免屯路受到机械性刮伤或是高温破坏。半导体制造工艺分类PMOS型双极型MOS型CMOS型NMOS型BiMOS饱和型非饱和型TTLI2LECL/CML半导体制造工艺分类一

4、双极型IC的基本制造工艺：A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间口然隔离I2L（饱和型）半导体制造工艺分类一MOSIC的基本制造工艺：根据栅工艺分类A铝栅工艺B硅栅工艺其他分类1、（根据沟道）PMOS、NMOS、CMOS2、（根据负载元件）E/R、E/E、E/D半导体制造工艺分类二Bi-CMOSI艺：A以CMOS工艺为基础P阱N阱B以双极型工艺为基础双极型集成电路和MOS集成电路优缺点双极型集成电路中等速度、驱动能力强、模拟精度高、功耗比较大CMOS集成屯路低的静态功耗、宽的

5、电源电压范围、宽的输出电压幅度（无阈值损失），具有高速度、高密度潜力；可与TTL电路兼容。电流驱动能力低半导体制造环境要求主要污染源：微尘颗粒、中金属离子、冇机物残留物和钠离子等轻金属例子。超净间：洁净等级主要由微尘颗粒数/m3NAO.lum350.2um0.3um0.5um5.0um7.5310级350753010NA100级NA750300100NA1000级NANANA10007半导体元件制造过程前段(FrontEnd)制程…前工序品圆处理制程(WaferFabrication；简称WaferFab)典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程一次氧化衬底制备隐埋层扩散外延淀积热氧化隔离光

6、刻隔离扩散再氧化基区扩散再分布及氧化发射区光刻背面掺金发射区扩散反刻铝接触孔光刻铝淀积隐埋层光刻基区光刻再分布及氧化铝合金淀积钝化层中测压焊块光刻横向品体管创面图CBNPPNPP+P+PP纵向晶体管刨面图CBENPCBPN+P+NPNPNPNPN晶体管刨面图ALSiO2BPP+P-SUBN+ECN+-BLN-epiP+1•衬底选择P型SiP??10Q.cm111晶向/扁离2O~5O晶圆（晶片）晶圆（晶片）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经出电弧炉的提炼述原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸谓纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利

7、用硅品种慢慢拉出单品硅品棒。一支85公分长，重76.6公斤的8寸硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、抛光、切片后，即成半导体Z原料晶圆片第一次光刻一N+埋层扩散孔1。减小集电极吊联电阻2。减小寄生PNP管的影响SiO2P-SUBN+-BL要求：lo杂质固浓度大2o高温吋在Si屮的扩散系数小，以减小上推3。与衬底晶格匹配好，以减小应力涂胶一烘烤…掩膜(曝光)…显影…坚膜一蚀刻一清洗—去膜-清洗一N+扩散(P)外