反激电源RCD电路的实践 测试图解分析

反激电源RCD电路的实践 测试图解分析

ID:42586022

大小:645.73 KB

页数:12页

时间:2019-09-18

反激电源RCD电路的实践 测试图解分析_第1页
反激电源RCD电路的实践 测试图解分析_第2页
反激电源RCD电路的实践 测试图解分析_第3页
反激电源RCD电路的实践 测试图解分析_第4页
反激电源RCD电路的实践 测试图解分析_第5页
资源描述:

《反激电源RCD电路的实践 测试图解分析》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、关于反激RCD的实验先开个头自己以前没搞过反激准谐振(QR)模式,前一阵子趁有点时间自己搞了一台,用的NCP1207,想改公司一个24V输入转28V1A输出的产品试试结果画好板了,一看NCP1207的最低输入电压为40V,傻眼了算了,不改了就当自己做实验玩吧就改了个48输入12V3A输出的反激准谐振小电源,等焊好一上电,没反应,衰啊后来慢慢搞,终于有输出了,发现NCP1207的3脚过流那个点很不好调,以后要记着了最后调出来了,12V2.5A的时候效率最高,92的样子,3A的时候效率90自我感觉还

2、不错。估计还有提升的可能后来想着怎么也做出来了,就研究下RC取值对MOS的VDS尖峰和电源整体效率的影响然后开始在网上和论坛上找些关机计算RCD中的RC计算公式,然后和实验比对下看看是否合理!感觉自己是太闲了回头把示波器波形和参数放上来,留着这里丢不了先看最早的一张,初级RCD,R用的68K,C用的471P。D用的RS1M。D一直未作改动,下边统一叫初级和次级。次级RC没有加,峰峰值为196V!(次级我是在变压器两端加的,没有加在整流管的两端!)第二张,想着把次级的加个小吸收,看看对初级的影响。

3、初级R=68K,C=471P;次级R=22R,C=471P.峰峰值为190v第三张,初级不动,R=68K,C=471P;把次级的C加大,次级R=22R,C=681P,峰峰值还是为190V第四张,接着加大次级电容,初级R=68K,C=471P;次级R=22R,C=102P.峰峰值小了2V,188V了第五张,继续加大次级电容,初级R=68K,C=471P,次级C=472P,把R去掉了,峰峰值160V了。(主要是考虑R会消耗能量影响效率!)第六张,感觉次级加大不太明显,就加下初级吧,先把初级的C加大吧

4、,直接吸得狠点,结果初级R=68K,C=472,次级直接RC取消了,峰峰值168V,还管点事第七张,那把次级加个RC吸收啥效果呢,初级R=68K,C=472P;次级R=22R,C=102P;峰峰值156V,又下来点!第八张,把次级还直接搞到472试试,初级还是R=68K,C=472P;次级C=472,R还去掉,峰峰值150V了以上八张说明电容对MOS的峰值有影响,但也不能太大,还有一个可调的点一直没调呢,调调那个点试试第九张,还是初级电容从小到大,所以初级C=471P,R=68K/2;次级无,峰

5、峰值194V,基本和68K没啥变化第10张,初级电容C=471P不变,电阻R=68K/3,次级还是没有,峰峰值还是194V,和上边没啥区别啊第十一张,接着减小初级R的值,C=471P,R=68K/4,次级无,峰峰值还是194V,无语了,难道R不管事,非也,接着往下看!第十二张,既然这样,我把初级的C加大呢,是不是C的容值太小,吸收的能量太小!所以直接上到472,初级C=472,R=68K/2;次级还是没有,峰峰值154V,效果出来了第十三张,我接着减小初级R的值,C=472P,R=68K/3;次

6、级无,峰峰值150V,比起上边来,下降的不明显了。第十四张,继续减小R的值,C=472P,R=68K/4,次级无,峰峰值146V,确实是下降不明显了,该考虑新方法了!第十五张,上边减小电阻,变化不太明显了,那还把次级的吸收加进去呢,初级我用的C=472P,R=15K;次级C=102R=22R。峰峰值136V,不错哦!第十六张,我要是接着减小初级R电阻值呢,下边出来了,C=472P,R=10K;次级C=102P,R=22R。峰峰值130V,又下去了点第十七张,我要继续减小初级R的值呢,C=472P

7、,R=5.1K;次级C=102P,R=22R,峰峰值132,没下去哦,而且效率直接掉了还几个点,看来是不能太小哦从上边的实验可以看出,RCD吸收中的RC选择要合理,否则不是起不到应有的效果就是影响效率。后面我在补充一种计算RCD的计算方法,看看算出来的和实际用的有多杀差别!RCD的计算方法先上个RCD钳位的原理图再上个MOS的VDS波形下面再说几个名词,这几个名词其实大家也知道,一个是钳位电压,上边用Vsn表示;一个是折射电压,上边用VRO表示;还有个脉动电压,上边用ΔV表示;MOS管的最大耐压

8、,上边用BVdss表示;电源的最高输入电压,上边用Vinmax表示。1.钳位电压Vsn是电容C两端的电压,与选用MOS的BVdss及最高输入电压以及降额系数有关,一般在最高输入电压Vinmax下考虑0.9的降额,则有Vsn=0.9*BVdss-Vinmax(我上边的实验选择的MOS为IRF640,BVdss=200V,Vinmax=70V)可以算出钳位电压Vsn为110V2.然后算折射电压VRO,根据VRO=(VOUT+VD)/(NS/NP)式中VOUT为输出电压VD为二极管管压降NS为次级匝数

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。