反激式开关电源电路分析.docx

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1、1、保险丝（FS1）：电流过大直接断开。2、热敏电阻（RT1）：温度越高电阻越小。为了防止上电瞬间电容充电插头处冒火花：由于初次上电温度低电阻大，实现了对开机浪涌电流的抑制。3、安规电容（CX1）：（1）滤波作用；（2）当电容被击穿则电容内部断开，而一般电容则是短路。4、扼流圈（TF1）：抑制高频干扰5、安全电阻（ZNR1）：防雷电作用；当输入很高电压时电阻变小，相当于在此处短路，从而保护了后面电路。6、整流器：进行全波整流，输出220*1.4=308V约300V。KBP206是600V/2A的整流桥，其内部包含四只二极管，中间

2、两只引脚为交流输入，两边的引脚较长一些的为直流输出的正极，另一个为直流的负极。注意观察桥堆引脚旁边应该印有符号。7、EC1电容：滤波使电压输出稳定8、R1与R2：启动电阻；首次上电的时候给SD4870提供微弱电流进行启动。当芯片首次启动后R1，R2可以不需要，直接用变压器的1,2提供。9、快速恢复二极管（D5）：反向耐压1000V，由于变压器3点信号幅度是整流后电压的2倍多一点，因此D5用于漏感的释放。10、R3与C5：吸收漏感11、D6：变压器1-2提供正向电压给芯片工作12、变压器：电源输入端为初级，其他均为次级。13、肖特

3、基二极管（DD1）：具有反向恢复时间极短（可以小到几纳秒）；即二极管的导通与断开时间很快。14、R15与C8：吸收电路辐射15、R9：假负载，可以不要。16、EC4、L1、EC5：组成π型滤波，使输出纹波减小17、EC3：储能滤波18、TL431：主要用于做基准源,反馈电压的设定：(R13/(R14+VR1)+1)*2.5=Vo当R13=7.5K的时候，输出最大值(7.5/1.5+1)*2.5=15V输出最小值(7.5/(1.5+1)+1)*2.5=10V19、C6与R12：电路补偿，防止电压立即改变。如：当电压为12.5V时不

4、是让光耦立即输出进入7脚反馈，通过补偿电路使得有个缓冲过程。20、光电耦合器（IC4）：用于隔离作用，当加在光耦的输入端电压高时光敏三极管输出电压变小，从而反馈给7脚，然后调节占空比使输出在12V。21、MOS管（Q1）：通过SD4870，1脚输出高低电平控制MOS管开与断，当输出电压高于12V时，通过光耦反馈到7脚，同时减小1脚输出的占空比从而达到电压稳定输出12V。22、R4：限流电阻23、EC2：给芯片供电。当MOS管导通时1-2给芯片供电的同时对电容充电，当MOS管断开时1-2没有电通过只能靠电容供电。24、R10：振荡

5、频率设置,本电路为65K所以外接100K，即650K/100k25、R6：因为四脚为开关电流采样端，当采样到R6两端电压超过0.8V时，从而对芯片进行保护不工作；在4脚接104电容的作用：由于上电瞬间MOS管有尖峰电压大，所以在4脚处电压大于0.8V从而保护了电路，当接104的时候吸收了尖峰所以上电后立即点亮灯泡26、R7：提高MOS功率27、R5：防止MOS管悬空电路板电源接上220V交流电，电流流过热敏电阻（限流）和保险丝（保护），L线和N线之间加入安规电容（CX1）和安全电阻（ZNR1）保护接入电路，再经过共模电感（消除内

6、外的电磁干扰），经过整流桥之后，电压升至约300V，大电容EC1用来滤波，电流经过R1、R2，并对电容EC2进行充电，SD4870A得到一个启动电压后启动，并通过1脚（GATE）控制场效应管SVD04N60F导通；同时电流经过变压器的异名端4脚对初级线圈进行储能，因为流过R1、R2的电流较小，不能维持SD4870A工作，当SD4870A通过1脚给SVD04N60F的栅极一个低电平，场效应管不导通，初级线圈通过电磁的互感作用开始放电，变压器2、3同名端极性为正，电流从2脚出流过二极管FR107，最后进入SD4870A的Vcc端，维

7、持芯片持续工作，芯片的PWM占空比由SD4870A的5脚（RI端）设定，频率为6500/100=65KHz，从而芯片就产生相应占空比的PWM让场效应管SVD04N60F周期性工作；次级线圈的电流由9、10同名端经过肖特基二极管进行半波整流后输出大电流，然后进行π型滤波（电容EC4、电容EC5和电感L1组成，），最后输出电压为12V（R9用来消耗电能）；当输出电压大于12V时，通过TL431当大于基准电压时光耦4脚输出电压反馈给SD4870A的7脚（FB端），让SD4870A减小输出PWM的占空比，场效应管SVD04N60F的导通

8、时间变短，即变压器的储能减少，次级得到的能量就相应的减少，所以电压逐渐减小，降低到稳定的12V；当输出电压小于12V时，与之相反。【当输出电压大于12V时，R13和R14间的电压大于6.5V，IC3导通，相当于导线，反馈电压在光电耦合器的发射端形成回路，光电耦合