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《【高考题型突破】2016高考化学二轮复习配套：第十四单元物质结构与性质综合题型研究（选考.》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、微专题十四物质结构与性质综合题型研究（选考）【知识网络】微专题十四丄物质结构与性质综合题型研究（选考）（本专题对应学牛用书第8492页）【能力展示】能力展示1.（2011-新课标I卷）氮化硼（BN）是一种重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂为起始物，经过一系列反应可以得到BF3和BN,如下图所示。硼砂*2^H3BO5Ab2O3CaFj.HjSOi—Z—BFsNH$«BN请冋答下列问题:⑴由B2O3制备BF3、BN的化学方程式依次是构为正四面体。(4)B、N均属于非金属元素，二者形成的化学键是极性共价键；根据其结构与石墨相似，层与层之
2、间应该靠分子间作用力结合。(5)描述晶体结构的基木单元叫做晶胞，金刚石晶胞是立方体，其中&个顶点有8个碳原子，6个面各有6个碳原子，立方体内部还有4个碳原_1__1_。所以金刚石的一个晶胞中含有的碳原子数=8x8+6x2+4=8,因此立方氮化硼晶胞中应该含有4个N和4个B原子。立方氮化硼的一个晶胞中含有4个N和4个B原子,(361.5xl0“°cm)3故"每个BN分子”所占的体积为°,1molBN分子的体积为㈣弘心如^仏(361.5><10「％1")吹忖卩4,1molBN分子的质量为4=25g,故立方氮25x4化硼的密度是(3
3、6L5x10，°)3x^ag.cm-1.(2012-新课标I卷)VIA族的氧、硫、硒(Se)、硏(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多用途。请回答下列问题：(1)硫单质的常见形式为氏，其环状结构如下图所示，S原子采用的轨道杂化方式是(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所消耗的最低能塑，O、S、Sc原子的第一电离能由大到小的顺序为o⑶Se的原子序数为,其核外M层电子的排布式为。⑷FhSe的酸性比H2S(填“强”或“弱”)。气态SeO3分子的
4、立体构型为S°了的立体构型为0(5)H2SeO3的K］和蜀分别为2.7M0心和2.5x10巴H2SeO4第一步几乎完全电离,K?为1.2xl0-2,请根据结构和性质的关系解释：①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因：。②H2ScO4比H2ScO3酸性强的原因：(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业屮应用广泛。立方ZnS晶体结构如右图所示,其晶胞边长为540.0pm,密度为gem"(列式计算)，a位置S?一与b位置z『+之间的距离为pm(列式表示)。270的体积为r=(540.0x1『°cm)
5、?m=V即可计算；b点(Z1F+)K答案3(l)sp3(2)0>S>Sc(3)343s23p63d10(4)强平面三角形三角锥形⑸①第一步电离生成的氢离子抑制了第二步的电离②H2SeO3和HzSeCU可表示为(HO)2SeOW(HO)2SeO2oH2SeO3^的Se为+4价，而H2SeO4中的Se为+6价，正电性更高，导致Se—O—H中O的电子更向Se偏移，更容易电离出疋4x(65+32)g-mol'16.02x10”mol，⑹(540.0xlO“°cni)3乂」135©在由/、H、C、D四点构成的正四面体的屮心，所以厶4刃7
6、=109。2&。如图所示，连接加7、EH,j_J_109°2&求得AH=2W忑pm,作3G垂直于力/7,GH=2仙=35近pm,上GBH=2/ABH=2通过三角函数即可求出。1.(2013-新课标I卷)硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础。请回答下列问题:(1)基态Si原子中，电子占据的最高能层符号为,该能层具有的原子轨道数为、电子数为O(2)硅主要以硅酸盐、等化合物的形式存在于地壳中。(3)单质硅存在与金刚石结构类似的晶体，其中原子与原子Z间以相结合，其晶胞屮共有8个原子，其中在面心位置贡献个原子。⑷单质硅可通过
7、甲硅烷(SiHJ分解反应來制备。工业上采用Mg2Si和NHQ在液氨介质中反应制得SiHs该反应的化学方程式为一(5)碳和硅的有关化学键键能如下所示，简要分析和解释下列有关事实:化学键c—cC—HC—0Si—SiSiHSi0键能/kJmor13564133362263184521硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷坯多，原因是②SiHq的稳定性小于CH4,更易生成氧化物，原因是OO•Si®Si-OSiO：⑹在硅酸盐中，Si°：四面体(如图1)通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构。图2
8、为一种无限长单链结构的多硅酸根，其中Si原子的杂化形式为,SiK答案3(1)M94(2)-氧化硅(3)共价键3⑷Mg2Si+4NH4Cl=SiH4T+4NH3f+2MgC12⑸①C—C键和C—H键较强，所形成的烷坯稳定；而硅烷中Si—Si键和Si—H键的键能较低，易断裂，导致
