资源描述：
《多晶硅片质量检验规范》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、多晶硅片质量检验规范编制：赵荣伟审核：批准：年月日发布年月日正式实施适用范围引用标准检验项目检验工具五.实施细则六.相关记录附表1:硅片检验项目及判定标准附件1:二级硅片分类及标识方法附件2：125x125mm划片技术要求及标识方法附件3:硅片“亮线”的判定标准1•适用范围本细则规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。2•引用标准《Q/BYL02太阳能级多晶硅片》《太阳能级多晶硅片内控标准》3•检验项目电性能、外形尺寸、外观4•检测工具硅片自动分选机、游标卡尺(0.02mm测厚仪、万能角度尺。5.实施细则5.
2、1表面质量目测外观符合附表1相关要求。对整包硅片重点查看B4,B7、TTV、缺口、碎片、油污等情况；整包里的B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗;B7、TTV片手感表现较重的，利用分选机重新分选；油污一般为斑点形式,擦拭不掉，无论面积大小均需重新清洗。5.2外型尺寸通过硅片自动分选机分选判定，符合附表1相关要求。5.3电性能依据硅锭/硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实。5.3抽检方法(1)对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检(抽检比例8%),不合格比例不高于0.5%。每次抽检不合格率大于0.5%时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。(1)抽取8%硅
3、片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据。注：针对分选机现状，分选机分选A等硅片由清洗工序包装时进行简易分选；B3、B5、B9硅片人工分选，B7、B8硅片分选时加大抽检力度，避免不合格硅片混入。6•相关记录附表1:硅片检验项目及判定标准检验标准检验项目一级品品电性能指标电阻率0.7~2£1-cm2~4Q•cm少子寿命>2ps1~2卩s外形尺寸及外观几何形状正方形厚度及公差210pm±30pm200pm±25pm(160-180nm)±20
4、iniTTV210pm<50pm200
5、L!m<40
6、Lim(160-180pm)<35pm210pm<50pm200ym<40yni35pm<(1
7、60-180pm)<45jnni尺寸及公差156inm±0.5mm或125inm±0.5mm156nun±0.8mm或125nun±0.8mm角度及公差90°±0.3°倒角45°±10°倒角长度1.5mm±0.5mm1.5nini土1mm崩边（长度*延伸深度）崩边尺寸＜1mm*1mm,个数不限崩边尺寸＞lmm*lmnb个数不限缺口＜0.1mm,个数不限锯痕<20mm<40nm小晶粒无面积小于30*30mm2翘曲度<100pm亮线详见《亮线判定标准》弯曲度<100pm表面质量表面平整，无裂纹、孔洞、缺口等；清洗干燥后，表面洁净、无斑点、沾污、手印等；表面平整，无裂纹、孔洞、缺口等；清洗干燥后
8、，表面允许有轻微的水印、斑点、沾污等，且〈总面积的5%注：在线抽取8%多晶硅片进行检测，具结果作为批量多晶硅片合格的判沱依据。附件1:二级硅片分类及标识方法按优先级B1至B9无重复排序标示如下：B1几何尺寸偏差，其它检验参数符合一级品标准。注：具体情况在标签上注明（尺寸、倒角）。B2晶粒小，其它检验参数符合一级品标准。B3少子寿命1~2ys,其它检验参数符合一级品标准。B4小崩边，其它检验参数符合一级品标准。B5电阻率2〜4Q•cm,其它检验参数符合一级晶标准。B6156mm*156mm硅片划片后的125mm*125mm硅片B7锯痕20~40ym或亮线二级（参考《亮线判定标准》。），其它检
9、验参数符合一级品标准。B835um2ps,电阻率为0.7-2Q・cm,锯痕小于20pm,其它检验参数也符合一级品标准。2、标识：Ingot（锭号）标II,等级标B6。3、表面沾污的脏面硅片，一定要重新清洗，否则按不合格片处置。4、划片后，外形尺寸超过125±0.
10、5nim,倒角尺寸超过1.5±0.5伽1,角度超过45Q±10°判不合格。附件3:硅片“亮线”的判定标准一、亮线处，测试深度小于10pm的硅片1、单面亮线：亮线面积大于硅片面积的1/2,为B7亮线面积小于硅片面积的1/2,为A等2、双面亮线：亮线面积大于硅片面积的1/4,为B7亮线面积小于硅片面积的1/4,为A等二、亮线处，测试深度10~20pm的硅片1、单面亮线：亮线面积大于硅片面积的1/4,为B7亮线面积小于硅片面积
