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1、1.纟H.合键：化学键（离子键、共价键、金属键）一主价键氢键一--介于范徳华键和上价键之间物理键（范徳华键）——次价键2.离子键：止负离子间的静电作用为离子键。3.决定离了晶体的结构因索：离子半径、球体最紧密堆积程度、配位数、离子的极化4.球体配賈情况形成两种空隙：四而体空隙和八而体空隙5.共价键：由两个或者多个原子共同使用它们的外层电子,在理想情况下，达到电子饱和的状态，由此组成较为稳定和坚固的化学结构叫做共价键6.硅酸盐结构特点：①结构中Si4+间没有氏接的键，
2、佃它们是通过02-连接起来的。②结构是以硅氧四而体为基础的。
3、③每一个02-只能连接2个硅氧四面体。④硅氧四面体的联接方式⑤硅氧四面体可以通过共用顶角02-而形成不同聚合程度的络合阴离子团7.根据［Si04］间的共顶情况，硅酸盐结构形式：岛状、组群状、链状、层状、架状&桥氧（非活性氧）：部分氧的价键被饱和,如连接两个硅氧四而体，达到饱和的氧；非桥氧（活性氧）：价键未被饱和,如两个硅氧四面体连接后，剩余的氧。9、晶体结构缺陷：点、线、面缺陷形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等10、点缺陷：理想晶体中一些原子被外界原子所取代,或者在晶格间隙中掺入原子、或者留有原子空位，从而破坏了晶体
4、结构中质点有规则的周期性排列，引起质点间势场的畸变或者造成结构的不完整或者缺陷。11、点缺陷分：品格位置缺陷、组成缺陷和电荷缺陷12、弗伦克尔缺陷：具有能屋足够大的质点离开平衡位置后,挤到格子点的间隙中，而在原来位置上形成空位。特点：①空位与间隙粒子成对出现,数量相等；②晶体体积不变；③正负离子半径相差大，易形成该缺陷。13、肖特基缺陷：固体表间层的质点获得较大的能量,但其能量还不足以使它蒸发岀去，只是移到衣面外新的位置上去，而留卜•原来位置形成空位。这样晶格深处的质点就依次填入,结果表而上的空位逐渐转移到内部去。特点:①品体
5、体积增大；②离子品体，正负离子成对出现；③一般离子半径相差不大容易形成。14、线缺陷（位错）：实际品休在结晶时受到朵质、温度变化、振动产生的应力作用，或受到打击、切削、研磨、等机械应力的作用，晶体内部质点排列变化，质点行列间相A滑移,而不再符介理想晶体的有序排列，形成线状缺陷。分为：刃位错（垂直）和螺位错（平行）15、位错线：品体中质点滑移时,滑移面和未滑移面的一条交界线。16、影响置换型固溶体的因素：1）离子大小;2）离子价；3）晶体结构；4）电负性17、粘度一组成关系【温度越髙，粘度越低】在硅酸盐熔体屮，粘度随着碱金属氧化
6、物含量的增加而急剧降低。——粘度大小由熔体屮硅氧四面体连接程度决定，碱金属氧化物增加，导致硅氧四面体连接程度下降。当：0:S让匕值很低,［SiO订的聚合度高,对粘度起主要作用的是［SiO订的Si「0键的强度,随着&0中R'半径减小，R'对于四而体中Si「O键的削弱能力加强，因此粘度按照半径增加增人;当O:Si比值较高时，对粘度起主要作用的是连接［SiOj的R'键的强度，故键强较人的离子，其碱金属硅酸盐熔体粘度高。18、材料的性能：使用性能、工艺性能19、热容：是物质的一个重要热性质,相当于温度升高-•度时物质能量的增加。20、
7、弹性变形：去掉外力,能恢复原状，变形完全消失塑性变形：外力停止作用后,变形不会完全消失21、硬度：物质抵抗机械变形能力的总和。强度：在外力作用下,材料抵抗变形和断裂的能力。22、理论强度远远大于实际强度？实际材料内部存在缺陷和表而微裂纹，缺陷部位和基体的弹性模量或热膨胀系数往往不同,微裂纹常常就从这些缺陷部位触发出来，而在裂纹端部产生应力集屮。23、材料的导电能力大小,主要山载流子的浓度和它们的迁移速率决泄的，载流子可以是:电子、空穴或者离子28、陶瓷：由粉状原料成形后在高温作用卜•硬化1佃形成的制品，是多晶多相的聚合休。29
8、、陶瓷分类:传统陶瓷和新型陶登30、制备陶瓷的基木丁艺：原料的制备、坏料的成形、坯料的干燥、制品的烧结、（表而加工）31、陶瓷成型方法：可塑成形、注浆成形、压制成形32、陶瓷中玻璃相的作用：①将晶相颗粒粘结起來,填充晶相之间的空隙，提高材料的密实度②降低烧成温度，加速烧结过程③阻止晶体转变，抑制晶体长人④获得一定程度的玻璃特征33、陶瓷按气孔含量分:致密、无开孔、多空陶瓷34、陶瓷的实际强度比理论低很多:①组织中存在着晶界。晶界上存在冇晶粒间的局部分离或空隙；晶界上原子间距被拉长，键强度被削弱；相同电荷产生斥力，可能造成裂缝。
9、②陶瓷的实际强度受致密度、杂质和各种缺陷的影响很大35、翹性：材料在断裂前吸收能量和进行塑性变形的能力脆性:材料在外力作用下，仅产生很小的变形，即断裂破坏的性质36、共价键有明显的方向性和饱和性，而离子键同号离子接近时的斥力很大，所以主耍由离子键和共价键构成的陶瓷的塑性极差，
