干膜工艺介绍p

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1、干膜介绍及干膜工艺详解2013-01主要内容安排：1.干膜介绍及发展趋势2.线路板图形制作工艺(以SES流程为例)3.基本工艺要求4.各工序注意事项5.常见缺陷图片及成因6.讨论1.干膜介绍及发展趋势干膜(DryFilm)的用途：干膜是一种感光材料，是PCB生产中的重要物料，用于线路板图形的转移制作。近几年也开始广泛应用于选择性化金、电镀金工艺。干膜的特性：感光聚合、感光后耐酸不耐碱、不导电，因此可用作抗蚀层或抗电镀层。1.干膜介绍及发展趋势干膜的结构1.干膜介绍及发展趋势干膜的主要成分:1.干膜介绍及发展趋势干膜性能

2、的评估解晰度附着力盖孔能力填凹陷能力其他1.干膜介绍及发展趋势为了达到线路板的多层和高密度要求，目前干膜一般解像度要达到线宽间距（Ｌ/Ｓ）在50/50um。但在半导体包装（BGA,CSP)上，线路板一般设计在L/S在25-40um。必需要高解像度的干膜（L/S=10/10um）。为了满足客户要求、我们公司目前新型干膜的解像度可达到L/S=7.5/7.5um。干膜的发展趋势1.干膜介绍及发展趋势解晰度测试:45/45微米SEM:45/45微米1.干膜介绍及发展趋势25umDryFilm，L/S=7.5/7.5um干膜介绍

3、及发展趋势ASAHI干膜主要型号及特点干膜型号厚度(um)特点YQ-40SDYQ-40PN40针对SES流程具有良好的盖孔、耐酸性、抗电镀性能等YQ-30SD30适用于DES流程，主要用于内层制作，解析度方面较好YQ-50SD50针对SES流程具有良好的盖孔、耐酸性、抗电镀性能、减少电镀夹膜问题等特点AQ-408840针对DES流程具有良好的盖孔、耐酸性、追从性等特点,也适用于电镀流程.SPG-15215适用于生产1.5mil的精细线路ADV-40140适合于LDI工艺两种镀通孔线路板制作的比较贴膜曝光电镀铜/锡或锡/

4、铅蚀板去膜碱性蚀板脱锡或锡/铅基铜玻璃纤维底料曝光原件干膜Tenting制程SES制程研磨全板电镀铜显影2.线路板图形制作工艺SES流程基本工艺基铜玻璃纤维底料全板电镀铜贴膜曝光曝光原件显影电镀铜＋锡或铜＋锡/铅去膜碱性蚀板脱锡或锡/铅2.线路板图形制作工艺SES工艺流程详细介绍前处理的作用：去除铜表面的氧化,油污,清洁、粗化铜面，以增大干膜在铜面上的附着力。前处理的种类：化学微蚀、物理磨板、喷砂处理（火山灰、氧化铝）。典型前处理工艺流程：除油——水洗——磨板——水洗——微蚀——水洗——酸洗——水洗——烘干前处理：基本

5、工艺要求前处理刷轮目数:#500～#800刷轮数量:上下两对刷轮（共４支）磨刷电流:+１~2Ａ转速:1800转/分钟摇摆:300次/分钟磨痕宽度:10~15mm微蚀量：0.8~1.2um（一般采用SPS+硫酸或硫酸+双氧水溶液，生产板要求较高时则采用超粗化表面处理）酸洗浓度：3~5%硫酸溶液基本工艺要求前处理水洗:多过3个缸(循环水)喷淋压力：1-3Kgf/cm2吸干:通常用2支海绵吸水辘烘干:热风吹风量为4.0～9.0m3/min热风的温度为70～90℃其它控制项目:水裂点：>15s粗糙度1.5

6、事项前处理磨痕宽度均匀一致；各段喷嘴无堵塞；水洗后表面无铜颗粒；吸水海绵滚轮干净、湿润、无杂物；烘干后表面及孔内无水渍；水破时间>20秒；每次变更生产板厚度时要做磨痕测试。贴膜：贴膜的作用：是将干膜贴在粗化的铜面上。贴膜机将干膜通过热压辘与铜面附着，同时撕掉PE膜。SES工艺流程详细介绍贴膜基本工艺要求预热段温度：80～100℃贴膜前板面温度：40～60℃压辘设定温度：110～120℃压膜时压辘温度：100～115℃贴膜压力：3.0~5.0kgf/cm2贴膜速度：1.5~2.5m/min贴膜后静置时间：15min～24

7、H工序注意事项贴膜贴膜压辘各处温度均匀；定期测定贴膜压辘的温度；贴膜上下压辘要平行；贴膜压辘上无油污或膜碎等杂物；清洁压辘上异物时不可用尖锐或硬的工具；贴膜不可超出板边；干膜不可超过有效期内。曝光：曝光的作用是曝光机的紫外线通过底片使干膜上部分图形感光，从而使图形转移到铜面上。干膜Cu基材底片SES工艺流程详细介绍SES工艺流程详细介绍曝光反应机理COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOH单体聚合体主链起始剂COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHC

8、OOHCOOHCOOH反应核心※※※※※※COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOH紫外线聚合反应图形原件干膜层Substrateab曝光单体曝光基本工艺要求曝光能量：40-80mj/cm2（以21级Stoufer格数尺7～9级残膜为准）曝光后静置时间：15min~24H工序注意事项曝