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时间:2019-09-05
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1、摘要:作品以通用开关电源控制芯片SG3525为核心,采用资源丰富、低功耗的单片机C8051F020作为系统的主控芯片。SG3525.专用MOS驱动MC34152.MOS管IRF61N15D以及高频变压器组成的推挽式升压系统,单片机通过其内部AD、DA和外扩键盘对系统输入输出屯压屯流进行实时采样和监测,并对输出电压程控调节。系统以专用键盘管理芯片ZLG7290和点阵式液品作为输入输出器件,操作灵活,界面友好。经过测试,作詁达到了题口基木要求和扩展要求的全部功能。关键词:SG3525、推挽式、C8051F020AbstractThisde
2、signfiguredthepowermanagementTCSG3525asthehardcore,andusesthelowpowermicrocontrollerC8051F020asthecontrolunitofsystem.SG3525,professionalMOS-DriveMC34152,MOSFETIRF61N15andhighfrequencytransformerformaPULL-UPbipolarsystem.TheinnerDACandADCofthemicrocontrollerC8051F020per
3、formthesamplingandsupervicingofinputandoutputvoltageandcurrent.ThissystemadoptsthekeyboardcontrolICZLG7290andtheLCDastheinputandoutputdevice,whichmaketheoperationveryflexible-AccordidngtoourtestresuIt,allparametersofthissystcmmeetthebasicandexpandrcquircmcnt,andmostofth
4、eparametersevenexceedtherequirement.Keywords:SG3525,PUSH-PULL,C8051F020一系统设计方案与论证1.1各模块方案论证与选择下面就DC/DC升压拓扑结构的选择和系统控制等关键模块的设计方案进行讨论与分析1.1.1DC/DC升压题目要求AC输入从15V到21V(经过整流滤波之后大约是DC20V到29V),输出30V到36V可调,这是一个DC/DC升压过程,下面就常见的几种DC/DC升压拓扑结构进行讨论和分析。方案一:并联式结构(如图一a)图省该电路是升压电路最基木的拓扑结构
5、,后续所有的升压电路都是从该电路演化过來的。优点:电路简单,外围所需的元件少,效率可以做到很高。缺点:电路功能单一,输岀功率比较大时开关管需要承受很大的脉冲电流。方案二:单端正激式(如图一b)图省该电路与方案一唯一区别是使用了变压器,可以做隔离式升压电路优点:电路相对简单(与后面叙述的方案相比),外围元件少。缺点:开关管关断时,变压器容易磁饱和,需要加上磁通复位电路。方案三:单端反激式(如图一c)图省从原理图上看与正击电路很相象,但工作原理不同,脉冲变压器的原/付边相位刚好相反。优点:电路相对简单(与后面叙述的方案相比),外围元件少。
6、缺点:由于变压器存在漏感,将在原边形成很大电压尖峰,可能击穿开关器件。需要设钳位电路予以保护方案四:推挽(变压器中心抽头)式(如图一d)图省这种电路结构的特点是:对称性结构,脉冲变压器原边是两个对称线圈,两只开关管接成对称关系,轮流通断。优点:高频变压器磁芯利用率高(与单端电路相比)、电源电压利用率高(与后面要叙述的半桥电路相比)、输出功率大、两管基极均为低电平,驱动电路简单。缺点:如果电流不平衡,变压器有饱和的危险、变压器绕组利用率低、对开关管的耐压要求比较高(至少是电源电压的两倍)。方案五:全桥式(如图一e)图省这种电路结构的特点
7、是:由四只相同的开关管接成电桥结构驱动脉冲变压器原边主要优点:与推挽结构相比,原边绕组减少了一半,开关管耐压降低一半。主要缺点:使用的开关管数量多,且要求参数一致性好,驱动电路复杂,实现同步比较困难。这种电路结构通常使用在1KW以上超大功率开关电源电路屮。桥式方案选择:结合题目对电源功率、稳定度、纹波、效率、数字控制等功能耍求与上述各方案的比较,也出于对吋间、电路的复杂程度以及之前对各种电路熟悉程度的考虑,选择了推挽式结构做DC/DC升压,并且选用了美国通用公司的脉宽调制集成控制器SG3525做功率主控核心,内部框图见附图1。1.1.
8、2控制与显示根据题廿要求,需要对输出电流电压的采样显示和对输出屯压的程控,所以系统中必须至少有两路AD和一路DA,为了减少控制电路的复杂性和额外的功耗,选择SILICON公司的低功耗单片机C8051020作系统主控电路,
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