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时间:2019-09-04
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1、PN结正向压降与温度关系的研究一、实验简介:众所周知,常用于温度的传感器有热电徜,测度电阻器和热敏电阻,红外测温仪等。其屮,PN结温度传感器具有灵敏度高,线性好,响应快易于集成化等,其他传感器无法比拟的优点,工作温度范围一般在一50°C-150°C灵敏度可达100MV/°C。而本实验PN结只有2.2MV/°C左右。二、实验目的:1.了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式。2在恒流条件测绘PN结正向压降随温度变化曲线并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。3•学习用PN结测温度的方法。三、实验原理:人们将高价元素(例如:P)掺杂到硅材料屮,由于磷元素多电子,使材料主要以电子导电称P
2、型半导体,将三价的硼元素掺杂到硅材料中使材料中出现大量空穴称N型半导体材料。将P型材料同N型材料粘合在一起由于电子和空穴的扩散复合形成PN结。理想PN结的止向电流If和压降W存在如下近似关系式。IF=Isexp(qVF/kT)⑴其中q为电子屯荷;K为玻尔兹曼常数;T为绝对温度;良为反向饱和电流,它是一个和PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系Is=CTfexp[-qV(O)/kT]数。其中C是与结面积、掺朵浓度等有关的常数;r也是常数(见附录);Vg(0)为绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶的电势差。将(2)式代入(1)式,两边取对数可得kckT=V/0)-(-ln—)T——In八=岭
3、+VHl⑶q—q其中,v.(O)-(iln—)T&q-kTVni=-—(lnTr)q方程(3)就是PN结正向压降作为电流和温度函数的表达式,它是PN结温度传感器的基本方程。其中:Vg(0)——绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶的电势差。q——电子的电荷。K——玻尔兹曼常数。T一一绝对温度。If——PN结中正向电流。/常数。令常数,则正向压降只随温度而变化,但是在方程(3)屮,除线性项V.外还包含非线性项Vnlo卜•面來分析一下Vnl项所引起的线性误差。设温度由Ti变为T时,正向电压由V心变为Vf,由(3)式可得TkTTVf=VJO)-[VJO)-Vfi]-一一ln(-)^qlx按理想的
4、线性温度响应,Vf应取如卜•形式5VFi(、V理想=匕
5、+才@_片)aVn9Vf莎等于儿温度时的莎值。由(3)式可得6VfiVg(0)-Vnk=r6TTiq所以=VF+[一冷心)Tk=V}{(0)-Ws^-Vn]---r(T-Tl)'1q由理想线性温度响应(7)式和实际响应(4)式相比较,可得实际响应对线性的理论偏差为kA==-r(T,-T)+q设A=300K,T=310K,取r=3.4*,由(8)式可得A=0.048mV,而和应的W的改变量约20mV,相比之下误差甚小。不过当温度变化范围增大时,%温度响应的非线性谋差将有所递增,这主要由于r因子所致。综上所述,在恒流供电条件下,PN结
6、的VF对T的依赖关系取决于线性项VI,即正向压降几乎随温度升高而线性下降,这就是PN结测温的依据。必须指岀,上述结论仅适用于杂质全部电离,木征激发可以忽略的温度区间(对于通常的硅二极管来说,温度范围约一50°C〜150°C)o如果温度低于或高于上述范围时,由于朵质电离因子减小或本征载流子迅速增加,Vf—T关系将产生新的非线性,这一现象说明W—T的特性还随PN结的材料而异,对于宽带材料(如GaAs)的其PN结,高温端的线性区则宽;而材料杂质屯离能小(如Tnsb)的PN结,则低温端的线性范围宽,对于给定的PN结,即使在杂质导电和非木征激发温度范围内,其线性度亦随温度的高低而有所不同,这是非线
7、性项险引起的,由险对T的二阶导数吐=丄可知的变化与T成反比,所以VF-T的线性度在高温优于低dTJT温端,这是PN结温度传感器的普遍规律。此外,由(4)式可知,减小I”可以改善线性度,但并不能从根本上解决问题,目前行之有效的方法大致有两种:1.利用对管的两个be结(将三极管的基极与集电极短路与发射极组成一个PN结),分别在不同电流“、®下工作,由此获得两者之差(%—%)与温度成线性函数关系,即Vh-Vf2=—In—qIf2由于晶体管的参数有一定的离散性,实际与理论仍存在差距,但与单个PN结相比其线性度与精度均冇所提高,这种电路结构与恒流、放人等屯路集成一体,便构成集成电路温度传感器。2.
8、OkiraOhte等人提岀的采用电流函数发生器来消除非线性误差。由(3)式可知,非线性误差来自T项,利用函数发生器,k比例于绝对温度的r次方,则Vp-T的线性理论误差为AuO。实验结果与理论值颇为一致,其精度可达o.orCo四、实验装置:实验系统由样品架和测试仪两部分组成。五、实验方法和内容:1.实验系统检查与连接。A、取下样品室的筒套,查待测PN结管和测温元件应分别放在铜座的左右两侧圆孔内,其管脚不与容器接触,然后拧紧筒套。B、控
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