GBT5238-1995锗单晶

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1、ICS29.040.30H81暑81}中华人民共和国国家标准GB/T5238一1995锗单曰日日Monocrystallinegermanium1995一10一17发布1996一03一01实施国家技术监督局发布中华人民共和国国家标准GB/T5238一1995锗单晶代替GB5238-85Monocrystallinegermanium主肠内容与适用范围本标准规定了锗单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存.本标准适用于制作半导体器件等用的锗单晶。引用标准GB5251锗单晶电阻率直流四探针测量方法GB5252锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB5254锗单晶晶向X光衍

2、射测定方法GB5255锗单晶晶向光反射图像测定方法GB5256锗单晶导电类型测量方法GB5257锗单晶少数载流子寿命直流光电导衰退测量方法产品分类3.1分类锗单晶按导电类型分为n型和P型。根据电阻率允许偏差大小单晶分为三级，用英文大写字母A,B,C表示。3.2牌号3.2.1锗单晶的牌号表示为:FTGe一门()一<>其中:1—表示锗单晶的生产方法。Cz表示直拉法，HB表示水平法。2-Ge表示锗单晶。3—用n或p表示导电类型，括号内的元素符号表示掺杂剂。4—用密勒指数表示晶向。2示例:a.Cz-Ge-n(Sb)-(111)表示晶向为(111)n型掺锑直拉锗单晶。国家技术监.局1995一10-

3、17批准1996一03一01实施标准分享网www.bzfxw.com免费下载Gs/T5238一1995b.Cz-Ge-p(Ga)-(111)表示晶向为(111)p型掺稼直拉锗单晶。规格锗单晶的规格应符合表1规定。表1导电类型掺杂剂直径，mm直径允许偏差，%不大于{长度.mmGa一In10^-5040^100Au+Ga(In))2010-50注:直径允许偏差指同一单晶段的最大直径和最小直径之差与其平均直径的比值的百分数.技术要求4.1物理参数4.1.1锗单晶的电阻率参数应符合表2规定。表2电阻率范围电阻率允许偏差.%不大于断面电阻率不均导电类型掺杂荆n.cmABC匀度.肠.不大于Ca0.1

4、^45PIn0.1-4515202510Au+Ga(In)0.5^5nSb0.1-452锗单晶的少数载流子寿命应符合表3规定，高速开关管和功率开关管用的掺金单晶，少数载流子寿命分别为不大于。.2As和0.2^-0.5PSI表3少数载流子寿命.pa不小于电阻率范围，n·cmn型p型0.1-0.9>0.9-2.510080>2.5-4.0150120>4.0-8.0220200>8.0^16350300>16-456005004.2晶向4.2.1锗单晶的晶向为(111)或由供需双方商定。4.2.2锗单晶的晶向偏离应不大于20,4.3晶体完整性4.3.1锗单晶的位错密度范围分成四类:<1000

5、,1000^-3000,2000^-4000和3000^-5000cm-'.4.3.2锗单晶不得有位错堆、星形结构、裂纹和气孔。小角晶界和位错排每根的长度不得大于3mm,总长度不得超过单晶直径的六分之一。2GB/T5238一19954.4晶体外形锗单晶两端面应平整，边缘不得有长度和宽度大于3mm,深度大于1mm的缺损.4.5其他需方如有特殊要求，供需双方另行商定。5试验方法5.1锗单晶导电类型测量按GB5256进行。5.2锗单晶电阻率测量按GB5251进行。5.3锗单晶晶向测量按GB5254或GB5255进行。5.4锗单晶位错密度测量按GB5252进行.5.5锗单晶少数载流子寿命测量按G

6、B5257进行。5.6锗单晶外形尺寸用分度值为。.2mm游标卡尺或精度相当的量具测量。5.了锗单晶的外观质量用目视检查。6检验规则6.1检查和验收6.1.1产品应由供方技术监督部门进行检验，保证产品质a符合本标准规定，并填写质量证明书.6.1.2需方可对收到的产品进行检验.若检验结果与本标准的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.2组批产品应成批提交验收。每批由10--20根同一牌号的单晶组成。www.bzfxw.com6.3检验项目供方应对每根单晶的导电类型、电阻率、晶向、位错密度、少数载流子寿命、晶体外形尺寸进行检验。6.4抽样仲裁抽样每批产品随机

7、抽取单晶根数的20%.1o根以下抽取单晶不超过2根.6.5检验结果判定若产品的导电类型不合格，则判该批产品为不合格。其他项目检验结果若有一项不合格，则加倍取样对该不合格项目进行复验。若复验结果仍不合格，则按仲裁结果将产品降级或退货.7标志、包装、运翰和贮存7.1产品应用清洁的塑料薄膜逐根包装，装入适宜的包装盒内，并采取防护措施，以防损坏产品.7.2产品外运时，将装有产品的包装盒放入木箱内，并用防展填料塞紧，箱外应标有“小心轻放”及“