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时间:2017-05-18
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1、免费标准下载网(www.freebz.net)ICS29.040.20a81簿I中华人民共和国国家标准GB/T15713一1995吞攀苗曰体,曰月片.日日门Monocrystallinegermaniumslices1995一10一17发布1996一03一01实施国家技术监督局发布免费标准下载网(www.freebz.net)无需注册即可下载免费标准下载网(www.freebz.net)中华人民共和国国家标准GB/T15713一1995锗单晶片Monocrystallinegermaniumslices1主肠内容与适用范围本标准规定了锗单晶切割片、研磨片和腐蚀片(简
2、称锗片)的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本标准适用于各种牌号的锗单晶经切割、双面研磨、分割、腐蚀制备的圆形、方形和长方形锗片。产品用于制作晶体管和红外器件。2引用标准GB2828逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)GB/T5238锗单晶3产品分类3.1分类锗片按导电类型分为n型和P型,按生产方法分为切割片、研磨片和腐蚀片三种.3.2牌号3.2.1锗片的牌号表示为:其中:1—表示锗单晶的生产方法。Cz表示直拉法.HB表示水平法。2-Ge表示锗单晶.3-表示锗片的品种,分别用相应英文单词的第一个字母组合的大写形式表示,当英
3、文取两个字母时,第二个字母应小写,其中:a.CW表示切割片;b.BLW表示双面研磨片;c.EtW表示腐蚀片。4—用n或P表示导电类型,括号内的元素符号表示掺杂剂。国家技术监.局1995一10-17批准1996-03-01实施免费标准下载网(www.freebz.net)无需注册即可下载免费标准下载网(www.freebz.net)GB/T15713一19955—用密勒指数表示晶向。2示例:a.Cz-Ge-CW-p(Ga)-(111)表示晶向为(111)的p型掺稼直拉锗单晶切剖片。b.Cz-Ge-EtW-n(Sb)-(111)表示晶向为(111)的n型掺锑直拉锗单晶腐
4、蚀片。技术要求4.1物理参数和晶体完整性锗片所涉及的锗单晶的物理参数和晶体完整性应分别符合GB/T5238中的4.1条和4.3条的规定o本n乙几何参数本口‘锗片的几何参数应符合表1规定。表1褚片几何参数项目大圆片小圆片方片或长方片腐蚀片直径10--503.6,4.0,6.0,8.0,9.2直径允许偏差同单晶直径允许偏差士0.10.90X0.900.85X0.851.00X1.000.90又0.902.00X2.000.95X0.952.30X2.301.05X1.05边长2.45X2.452.55X2.553.16X3.164.75X4.753.00X4.00边长允
5、许偏差士0.05士0.05厚度0.24-0.360.24^-0.360.24^-0.300.13-0.17厚度允许偏差士0.01士0.01士0.01士0.014.2.2大回片中有边缘破损的锗片,其内接圈的直径应不小于9.35mm,其重It应不超过该批总重童的5%,4.2.3孺方如有特殊要求(包括红外器件用锗片),由供需双方另行商定。4.3晶向4.3.1锗片表面取向为(111)或由供需双方商定.4.3.2锗片的表面取向偏离应不大于2004.4表面质盘4.4.1锗小圆片崩边径向延伸应不大于。3mm,深度不超过锗片厚度的四分之一;缺口径向延伸应不大于0.1mm,每片的崩边
6、和缺口总数不得多于3个,崩边和缺口的总长度不得超过锗片周长的5%04.4.2方片或长方片不得有长度大于边长七分之一的崩边.边长不大于2mm的锗片,崩边宽度不得超过边长的十分之一,边长大于2mm的锗片,崩边宽度不得超过边长的二十分之一,每片的崩边数不得多于2个.4.4.3锗片不允许有裂纹。4.4.4锗片经超声清洗干燥后,表面应洁净,无色斑和沾污。免费标准下载网(www.freebz.net)无需注册即可下载免费标准下载网(www.freebz.net)GB/T15713一191954.4.5锗切割片不得有明显刀痕。4.4.6锗研磨片表面应无划道和刀痕。4.4.7锗腐蚀
7、片表面应无划道、刀痕、色斑、污物和盛片现象。5试验方法5.1画片的直径用分度值为。02mm游标卡尺或精度相当的蚤具测蛋。5.2方片和长方片的边长用分度值为。.01mm的千分尺或精度相当的I具测蚤。5.3锗片厚度用分度值为0.001mm的千分表或精度相当的童具测量.5.4锗片表面质量用目视检查。6检验规则6.1检查和验收6.1.1产品应由供方技术监份部门进行检验,保证产品质1t符合本标准规定,并填写质量证明书。6.1.2需方可对收到的产品进行检验,若检验结果与本标准的规定不符时,应在收到产品之日起三个月内向供方提出,由供需双方协商解决。6.2组批产品应成批提交验收
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