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1、专题二十六物质的结构与性质1.（2013四川理综,4,6分）短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序数依次增大,W、X原子的最外层电子数Z比为4：3,Z原子比X原子的核外电子数多4。下列说法正确的是（）A.W、Y、Z的电负性人小顺序一•定是Z>Y>WB.W、X、Y、Z的原了半径人小顺序可能是W>X>Y>ZC.Y、Z形成的分了的空间构型可能是正四面体d.wy2分子中o键与兀键的数HZ比是2:1*答案c2.（2013课标I,37,15分）［化学一一选修3:物质结构与性质］硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础。冋答下列问题：（1）基态Si原子屮，电子占据的最高能层符号为，该
2、能层具有的原子轨道数为，电子数为。（2）硅主要以硅酸盐、等化合物的形式存在于地壳中。⑶单质硅存在与金刚石结构类似的品体，其中原子与原子之间以相结合，其晶胞中共有8个原子，其屮在面心位置贡献个原了。⑷单质硅可通过甲硅烷（SiHJ分解反应來制备。工业上采丿IJMgzSi和NH4C1在液氨介质屮反应制得SiH4,该反应的化学方程式为o（5）碳和硅的冇关化学键键能如下所示，简要分析和解释下列冇关事实：化学键C-CC-HC-0Si-SiSi-HSi-0键能/(kJ-mof1)356413336226318452①硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷桂多，原因是」
3、②SiHq的稳定性小于CH斗，更易生成氧化物，原因⑹在硅酸盐中,Si四面体［如图⑻］通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图⑹为一种无限长单链结构的多硅酸根，其中Si原子的杂化形式为,si少o的原子数Z比为，化学式为答案⑴M94(2)二氧化硅⑶共价键3(4)Mg2Si+4NH4Cl—SiH4+4NH3+2MgCl2(5)①C-C键和C-H键较强，所形成的烷坯稳定。而硅烷屮Si-Si键和Si-H键的键能较低，易断裂,导致长链硅难以牛成②C-H键的键能人于C-0键,C-H键比C-0键稳定。而Si-H键的键能却远小于Si-0键，所以Si-H键不稳定而倾
4、向于形成稳定性更强的Si-0键(6)sp31:3［SiO3(或Si)1.(2013安徽理综,25,15分)X、Y、Z、W是元素周期表中原子序数依次增大的四种範周期元素，其相关信息如下表：元索相关信息XX的最高价氧化物对应的水化物化学式为H2XO3YY是地壳中含量最高的元素ZZ的基态原了授外层电了排布式为3sW位于元素周期表第周期笫族;W的原子半径比X的(填"大〃或"小〃)。Z的第一电离能比W的(填“人〃或“小“);XY2由固态变为气态所需克服的微粒间作用力是；氢元素、X、Y的原子可共同形成多种分子，写出其中一•种能形成同种分子间氢键的物质名称。3p'WW的一种核素的质量数为
5、28,中了数为14(3)振荡下，向Z单质Ai盐酸反应后的无色溶液中滴加NaOH溶液直至过量，能观察到的现象是；W的单质与氢氟酸反应生成两种无色气体，该反应的化学方程式是o(2)在25°C、101kPa下，已知13.5g的Z固体单质在丫2气体中完全燃烧后恢复至原状态，放热419kJ,该反应的热化学方程式是*答案(15分)⑴三IVA人(2)小分子间作用力乙酸(其他合理答案均可)(3)先生成白色沉淀，后沉淀逐渐溶解，最后变成无色溶液Si+4HF—SiF4/T+2H2个⑷4Al(s)+3O2(g)_2A12O3(s)AH=-3352kJ-mof'C其他合理答案均可)1.(2013四
6、川理综,&11分)X、Y、Z、R为前四周期元素且原子序数依次增人。X的单质与蛍气可化合生成气体G,其水溶液pH>7;Y的单质是一种黄色晶体;R基态原子3d轨道的电子数是4s轨道电子数的3倍。Y、Z分别与钠元素可形成化合物Q和J,J的水溶液与AgNO3溶液反应可生成不溶于稀硝酸的白色沉淀L;Z与氢元索形成的化合物与G反应生成Mo请回答下列问题：⑴M固体的晶体类型是-(2)Y基态原子的核外电子排布式是;G分子屮X原子的杂化轨道类型是_。(3儿的悬浊液中加入Q的溶液，口色沉淀转化为黑色沉淀，其原因是_。(4)R的一种含氧酸根R具冇强氧化性，在其钠盐溶液中加入稀硫酸,溶液变为黄色，
7、并冇无色气体产生，该反应的离了方程式是•答案(1)离子晶体(2分)(2)ls22s22p63s23p4(2分)sp3杂化(2分)(3)Ag2S的溶解度小于AgCl的溶解度(2分)(4)4Fe+20H+—4Fe3++3O2/r+10H2O(3分)2.[2013江苏单科,21(A),12分]元素X位于第四周期，其基态原了的内层轨道全部排满电了，且最外层电了数为2。元素Y基态原了的3p轨道上有4个电了。元素Z的原了最外层电了数是其内层的3倍。•XOY(1)X与Y所形成化合物品体的品胞如右图所示。①在1个品胞中,X离子的数
