模拟电子技术王淑娟习题答案-第4章

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1、[4-1]解：(1)结型，绝缘栅型，多数，单极型。(2)电压，电流。【4・2】解：(a)P沟道增强型MOS管，开启电压”Gs(th)=-2V,/D0=-1mA。在工作点UG3=-5V、/D=-2.25mA处低频跨导为^GS(th)(b)N沟道耗尽型MOSFET,夹断电压(/GS(off)=-4V,/DSS=4mA。在工作点UGS=-2V>/D=lmA处低频跨导为[4-3]解:由图P4.3(b)转移特性曲线可知：C/GS(th)=2Vo转移特性曲线过点(6V,4mA)和(4V,1mA)。将其参数带入方程：UDSQ=VDD-IDQR

2、d=15V-0.25mAx10kQ=12.5V解得:由图P4.3(a)可得：〃gsq=3V电路的静态工作点计算如下:低频跨导为放大电路的电压放大倍数为4=-gmRd=-0.5mSxl0kQ=-5V[4-4]解:将“Gs(th)iV、bo=500卩A、/DQ=0.5mA代入方程解得：％sq=2V。流过心、心的电流约为0.05mA,则^=（L0^A=2°0kQ将陀SQ、，DQ带入方程:WGS=UG~US=（T—~X2%”）一匕S）—（【V）R_匕S）5+&解得：匕2=45kQ,R;<}=155kQo[4-5]解：Idq='do（7^

3、-1）2=BA•（畔-1）2=0.25mA^GS（th）IV"dsq=岭。一（一％s）-/dq（傀+R）二5V+5V-0.25mAx10.5kQ=7.375V:_—ggU屛Rd_-ImSxIOkQ_20A—==Ugs+gnQgs.Rl+lmSx0.5kG3K=Rsi//Rg2=28.875k£2:R,2028.875[4-6]解：电路的直流通路如图A4.6(a)所示。电路中场效应管为N沟道增强型场效应管，所以仏=仏($竺-1)2^GS(th)列写输入、输出回路方程：Udsq="dd-(比+Rd"dq(1)该放大电路的屮频微变等效

4、电路如图A4.6(b)所示。岬(a)直流通路(2)电压放大倍数为2式中gm=J/dq/dO^GS(th)输入电阻为输岀电阻为&-Rd/dq减小，舫减小，A下降，尺和凡不变。(4)q开路，对静态工作点没有影响。电压放大倍数变为—弘(凡//“)1+gnA认为R严&,rDS»Rd,Cs开路对尺和&没有什么影响。[4-7]解：(1)场效应管是耗尽型，漏极电流为仏=Hs(1-絆巧=4mAx(1—券=1mA(3)&增大后,明显下降。若GS(off)R=-^-=2kQa<》gn0g；+rs尽•d%■U°o+(2)微变等效电路如图A4.7所示。

5、)=ImS2，DSS(]“GS^GS(off)^GS(olT)人一整—上1—3.33图A4.71+g/1+1x2R.=/?g=1MQR°=R

6、A

7、，应在尺两端并联旁路电容。[4-8]解：(1)求静态工作点该放大电路采用耗尽型场效应管分压偏置电路。由于栅极回路无静态电流，所以傀3中无电流。所以，傀]和&2分压点的电位与栅极电位相等，这种分压偏置可以提高放大电路的输入电阻。由电路得：UdSQ=K)d一(尺+R(1HdQ仏=仏(1-絆^GSCoft)将数据代入方程组，解得：第一组：£q=0.46mAt/GSQ

8、=-0.6V第二组：/DQ=0.78inAg=-3.8V