射频英文版翻译

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1、图4的数据表反映的是噪声系数相对集电极电流和源电阻在一个VCE=6V，工作频率为105MHZ的晶体管。从图表可以明显看出，存在着无数Rs、Ic的组合，每个组合为您提供一个指定的噪声系数。例如，下面的一个Rs、Ic的组合将为您提供一个3.5-dB的噪声系数。注意到，对于每个集电极电流值有两个源电阻值与之对应，将提供指定的噪声系数。显然，任何预期的偏置电流或源电阻的变化，都可以大幅度地改变噪声系数。图5是另一套简单的在相同的偏置水平但在不同的频率（200MZ）下测量的轮廓。如果你打算用300MZ的晶体管，并且想知道对于一个特定的噪声系数使用了什么样的偏置电流和源电阻，你将得不到结果。不存

2、在那种频率下的噪声轮廓。图6中，第四页的数据表，是fT随集电极电流变化的曲线图。在曲线的高峰且集电极电流大约为12mA的时候，得到最佳的fT。此图变得更为重要fT的频率接近，当你要挤的设备，你所能得到的每一个最后一点了。这将表明在最佳的集电极电流来操作设备。一旦集电极电流值被定义好，样本设备便可以被相应的偏压，并且它的参数Y或S可别测量，使得设计可以进行。图7，8，9和10是2N5179Y参数随频率变化的图形表示，次测量是在VCE=6伏和Ic=1.5毫安的情况下。如果你喜欢设置不同的偏置条件，你将不得不测量你自己的Y参数，因为没有其他数据可以提供。每个图中的纵轴被校准成毫姆。因此，2

3、N5179在200MHZ的输入导纳大约为yi=2.5+j7.5毫姆，这可以有图5—15A中电路表现出来。记住，正极导纳表示并联电容器，而负导纳表示电感。同样，在在200MHz的晶体管，其输出导纳在图8中可以读出为y0=0.25+j1.8毫姆。此输出导纳的等效电路如图5-18所示。晶体管的正向和反向传输导纳在图9和10中给出，分别在数据表上。在第6章中，您将学习如何运用在射频小信号放大器的设计的数据表中给定的Y参数。在数据表上的图11，12，13和15绘制的是在两个不同的偏置电平下晶体管的S参数随频率变化曲线：VCE=6.0V，Ic=1.5mA和VCE=6.0V,Ic=5.0mA。在第

4、五页数据表所示的四个图提供了以极坐标的形式表示的Y参数。从图中心向外的径向距离等于幅度，角度理解为是沿着图的周长的。例如，对于一个VCE=6V，Ic=5mA,工作频率为100MZ的2N5179的S参数为：S11=0.65∠309◦S22=0.84∠348◦S12=0.03∠70◦S21=8.2∠123◦S21和S12参数是设备的正向和反向增益的数量值。为了求得这个增益值，只需取它以10为底的对数再乘以20.S12(dB)=20log100.03=−30.5dBS21(dB)=20log108.2=18.3dB从前面的计算，我们可以推断，晶体管输入输出端口的隔振在−30.5dB是非常好

5、的。另外，当用50欧姆的源电阻驱动，并且用50欧姆的负载终止时，晶体管的增益优于18分贝。注意到，每个增益是作为一个电压增益计算的，实际上，电压和功率增益在这种情况下是相同的，因为输入和输出的阻抗值是相同的（50欧（50欧姆）。数据表最后一页上的图15是另一个晶体管的输入和输出反射系数图。然而这一次史密斯图被使用。正如本章前面所述，S11和S22是简单的反射系数，可以像其他反射系数一样绘制出来。一旦信息绘制出，设备的输入输出阻抗可直接从表中读出。在图15的图表所显示的有点不同于我们迄今为止在这本书用到的图表。它已经被规范为50欧姆，而不是通常的1欧姆。因此，现在的图表中心代表50±j

6、0欧姆，而不是1±j0。这种图表正规化的类型经常被用于当设计者正工作集中与一特定值的阻抗，在这种情况下，它的值为50欧姆。在100MHZ，集电极电流为5mA和VCE=6V时，从史密斯图中读书的2N5179的输入阻抗为：Zin=48−j79欧姆这说明，在读数的准确性下，在相同工作条件下的S11的极坐标图，可以通过插入验证公式5—8用于T和ZL的数值求解。总结当谈到晶体管在射频中时，该晶体管与任何其他组件没有什么不同。像其他组件，三极管，也有趋近于高频电压性能的杂散电感和电容。Y和S参数的设计作为一种表现复杂晶体管性能的方法，至少比频率更有效果。制造商通常在数据表的表格中介绍Y和S参数的

7、信息，这应该仅仅作为在任何射频设计任务的一个起点。制造商不可能希望在每一个偏置点和每个可能的电路组态提供Y和S参数的信息。而是，他们通常会试图考虑为这个设备提供一个有代表性的操作条件。然而，不可避免的，当设备提供的数据资料对您要所做的没有任何用处，并且你会发现自己测量的参数和创建自己的数据表以便完成一个设计任务，这样的一天会到来。射频小信号的设计是对于每个问题都有精确解的逐步放大器逻辑过程。如今在市场上有许多“适用于任何你的电路的问题”的书，并且提供的图表