GBT6619-1995 硅片弯曲度测试方法.pdf

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1、中华人民共和国国家标准ca/T6619一1995硅片弯曲度测试方法代替GB6619--a6Testmethodsforbowofsiliconslices第一篇方法A一一接触式测试方法1主题内容与适用范围本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法本标准适用于测量直径大于50mm,厚度为200^-1000f.m的圆形硅片的弯曲度。本标准也适用丁测量其他半导体圆片弯曲度。2方法原理将硅片置于基准环的3个支点上，3支点形成一个基准平面，用低压力位移指示器测量硅片中心偏离基准平面的距离，该距离表示硅片的弯曲度。3测量仪器I1基准环基准

2、环是由基座、3个支撑球、3个定位柱组成的专用器具，如图所示。国家技术监督局1995一04一18批准1995一12-01实施ca/T6619一1995探头停放泣盈接地线插孔f.1片定位线3个直径为7.工,mm的硬丈质合金球L'k2001477,，、其中心距离的直位为丁3个尼龙减震器以120`排").其中(一}I}k-州一距离的百rY为，摄子柑的迸退1a59兰0.12i-U.36.m23.0110.115-11im1Jlrimm刀才G1片伪八010川内sa.su.45日仑们月n-76.夕GS.S5U93.CS13127.7087:一:’:一::IIS.fl图基准环3

3、.1.1基座是由温度系数小于6X10-s/℃的金属材料制成。基座外径比被测硅片直径大50.8mm左右，基座厚度大于19mm。基座底面应光滑，平整度应小于。.26pm3.1.23个支撑球由碳化钨或其他硬质合金制成，等间距分别置于基座的一定圆周仁，高度误差应小于1.0pm,表面光滑，粗糙度应小于0.25pm11.33个定位柱由硬质塑料制成，位于3个支撑球对应的位置上，用以保证被测硅片中心与3个支点的几何「卜L:相重合，偏差小于1.0mm。定位柱对硅片不能有任何作用力3.2位移指示器3.2.1位移指示器应能上、下垂直调节，并指示出硅片中心点与基准面之间的距离32.2指

4、示器指针应处于基准环中心，移动方向垂直于基准平面，偏差小于103.2.3指针头部呈半球状，球体半径在1.0^-2.0mm之间3.2.4指针头部对被测硅片的压力应不大于。.3N3.2.5位移指示器分辨率为1tem3.3读数仪表读取位移数值的电动仪表，显示有效数字3位以上，单位为rCm4试样4.1试样表面应清洁、干燥cs/T6619一19954.2)c参考面的硅片，测量前在硅片边缘应做出标记5测量程序5.1根据硅片试样的直径大小，选用或调节基准环的3个支点距硅片边缘3mn,o5.2将硅片试样的正面(或规定面)朝上，放入基准环中。5.2.1硅片试样如有参考面，应使参考

5、面与基准环仁的标线平行5.2，2无参考面的硅片试样.测量时在认定位置做出标记。5.3移动基准环，使硅片试样中心处在指示器指针之下5.4调节位移指示器，使硅片试样的正反两面都在测量量程之内5.5测量硅片试样中心所在位置，以读数仪表上读取数值，并记作F}56顺时针转动硅片试样每转90测量一次，从读数仪表上读取数值，分别记作F2,F=F〔5.了翻转硅片试样，反面朝上放入基准环中，重复5.2,5.3,5.5各条测量步骤，读取测量数俏，记作B，并考虑数值的正负符号。5.8逆时针转动硅片试样.每转动90,，对应于Fi,F=F‘的值，测量出相应的B=B=B,之侦。6测量结果计

6、算6.1按照公式计算硅片弯曲度D_IF.一B;}以=.一花下一式中几—弯曲度,pm;i二1,2,3,4;F一硅片正面测量数值，Fam;召一硅片反面测量数值，f

7、第一篇方法八第1章10方法原理将硅片置于基准环的3个支点卜,3支点形成一个基准平面，月1只无接触的测量探l，测址硅片中心偏离基准平面的距离，该距离表示硅片的弯曲度11测量仪器11门基准环同第一篇方法A第3.飞条11.2测量仪测量仪由测量探头、显示器、花岗岩平台三部分组成11.2门测量探头是一对无接触位移传感器，上、下探头处在同一轴线上，能够上、下垂直调节，轴线与基准平面的法线之问的夹角应小于20,侮只探头能独立地测量与硅片最近表而的距离，探头分辨率优于0.25Fpm们.2.2显示器具有将测量探头输出的讯号进行数字处理，计算、存储功能，并用数字显示出探头与硅片表面

8、的距离。11.2.3花岗