ACF技术趋势讲课资料

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1、TOBEKEPTSECRETS7Aug.2012FROMOUTSIDERSNoteonthecharacteristicdatagiven-Dataonthecharacteristicsoftheproductsdescribedinthisdocumentbasedontheresultsofevaluationscarriedoutbythecompany.Thisdoesnotguaranteethatthecharacteristicsoftheproductconformwithyourusageenvironment.Beforeuse

2、,reviewtheusageconditionsbasedonevaluationdataobtainedfromtheequipmentandsubstratesactuallyused.TOBEKEPTSECRETSTableofcontentsFROMOUTSIDERS1.COGapplicationsdevelopment1)Finepitchandparticletechnology2)ShorttimeandLowtemp.bonding2.FOGapplicationsDevelopment1)Lowtemp.andshorttime

3、bonding2)ForapproachingIConFPCbonding7Aug.20122TOBEKEPTSECRETSTableofcontentsFROMOUTSIDERS1.COGapplicationsdevelopment1)Finepitchandparticletechnology2)ShorttimeandLowtemp.bonding2.FOGapplicationsDevelopment1)Lowtemp.andshorttimebonding2)ForapproachingIConFPCbonding7Aug.20123TO

4、BEKEPTSECRETSRoadMapofCOGDevelopmentforFinePitchFROMOUTSIDERS2011.10RevisedItemMaterialTrendofTFT&ACFTechnicalTrendDr-ICtrendofTFT(stagger)Bumppitch/Row~16μmP/2row~14μmP/2row/2~3row~14μmP~12μmP/2~3rowBumparea~1600μm22~1400μm~1200μm2/Bumpheight~16μm/15μmT~14μm/~15μmT~12μmTBumpsp

5、ace~14μm/~12μm/~9μmTyear~20092010201120122013~ACFtechnicaltrendConductiveparticleInsulated4~3μmParticlesInsulated3μmParticlesInsulated2.8μmParticles■NiplatedparticleOthertechnology2-LayersstructureThinACFlayer(8μmT)ThinnerACFLayer(6μmT)ThinnerACFLayer(4μmT)■Lowtemp.curingsystem

6、ItemMaterialTrendofCSTN&ACFTechnicalTrendDr-ICtrendofCSTN(straight)Bumppitch~22μmP~20μmPBumparea~1300μm2~1200μm2Bumpspace/Bumpheight~12μm/15μmT~10μm/15μmT/~12μmT~10μmyear~20092010201120122013~ACFtechnicaltrendInsulated3.5~3μmParticlesConductiveparticleInsulated3μmParticlesInsul

7、ated2.8μmParticlesInsulated2.5μmParticlesOthertechnology■Corrosion-proofItemOthersNotes■TrendofCOGmountingforlargepanel■Trendofthinpanel/thinIC■Narrowbondingarea(closedistanceCOG/FOG)■AM-OLED■TrendofslimICsize■CP6920F/FC/F3/F2(2-LayerACF.4/3.5/3/2.8μminsulatedparticles.1800/150

8、0/1300/900μm2)ACFMODEL■CP6930IFN/JV3(2-LayerACF.4/3μmi

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