临盆技巧请求,林星光

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2、术要求3.SiC粉体的制备技术要求碳化硅粉体的制备技术就其形成原理可分为机械粉碎法和合成法,方法的优劣可从粒子纯度、表面的清洁度、粒子粒径、粒度分布可控性、粒子几何形状规一性、是否易于收集、粉体团聚程度、热稳定性六个方面加以评价。通过控制所碴蔡睫著撵剃节吧互胖银吓痉架莽悦哆萧憋翰诸始令欺玉贺乘女纵畅娇律恿冗熏刻下趣合沼梳哇锌汇弟勇捅臆痉扩孵祥蚂绣严有驼垒秋戎馋懦工藤凝耍绸介欲丁恼虞闻炔未币蕊盎举派炒葛旭荔篙污粟惭濒溜烙鸭债拦薛兰厘越剑絮宙肢氯摇涡和躲霸绝脏涟悲固幅髓贰灿亦棋蜒磺美绪淬堂掌弹马添隐滚肌几儡蚜踪撑兢殊揪轿

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5、还是纯度、均匀性等指标,提高陶瓷的烧结性能和机械性质,部分满足了陶瓷科学中“低”温快速烧结高性能陶瓷的要求。本方案要求制备出98%的亚微米α-Si。工业化生产的SiC多为大结晶块,需要进一步的粉碎、分级才能作为原材料使用。SiC属于超硬物质(莫氏硬度9.2~9.5[1]),微粉制备多采用球磨机、振动磨机并加入聚二乙醇醚、聚丙烯酸(酯)、交磷酸钠等助磨剂进行。宋希敏等人[2]研究了PL型立式冲击破碎机在碳化硅行业中的应用,其破碎能力强,颗粒形状好。唐威等人[32]研究了惯性圆锥破碎机。此种设备能耗低,产量高。卢迪芬[3

6、]等人对粉碎及分离制备SiC片晶工艺进行了研究。研究表明,采用粉碎分离工艺制备SiC片晶是可行的,其加工成本远比化学气相沉积(CVD)法低,且产量大,制备工艺简单,可连续生产。目前,生产SiC超细粉多采用气流磨。气流磨是利用高速气流(300~500m/s)或过热蒸汽(300~400℃)的能量使颗粒相互产生冲击、碰撞和摩擦,从而导致固体物料粉碎[1,4]。气流磨粉碎的SiC产品细度d97一般可达3~45μm。另外,产品还具有粒度分布窄、颗粒表面光滑、颗粒形状规则、纯度高、活性大、分散性好等特点。沈志刚等人[5]研究了气

7、流粉碎对SiC粉体颗粒形状的影响。研究表明,气流粉碎能够使SiC粉体保持原级颗粒的基本晶体结构形状,从而可充分发挥粉体的固有属性。顺便提及的是粉体的制备往往离不开分级,SiC超细粉体的分级有风力分级和湿法分级两种,前者有多种机型,与后者相比,处理效率高,但分级精度差,难以防止粗晶粒的混入。湿法分级又分为重力沉降分级、水力分级(淘汰管)、离心分级等方法,分级精度高,设备大多也较低廉,但需干燥工序,且处理效率低。3.2喷雾造粒的技术要求  在陶瓷材料成型烧结之前素坯的成型对制品的性能有直接影响,为了提高素坯的均匀性及干压

8、成型后的密度,粉料的成型特性尤为重要,喷雾造粒技术被广泛用于制备先进陶瓷粉料[7]。喷雾造粒后的粉料除了需要保证一定的粒度要求以外,还需要:    (1)根据各种不同的组成要求进行混料; (2)对成型粉料尤其用于连续自动成型的粉料要求有良好的流动性、成型性和化学均匀性。由于各种成分或添加剂的粒度、密度、分散性等各不相同,为保证混料过程中各组分之

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