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1、引 言过热保护电路对于功率集成电路而言有着十分重要的意义,所谓功率集成电路就是指有一定负载能力,有较高电压输入输出的芯片,它主要应用于电气照明设备中。功率集成电路不同于一般的芯片在于在同一块芯片里不但集成了低压数字或模拟电路,也集成了高压功率输出电路。正是因为有高压功率输出部分,功率集成电路发热量比较大,所以,才有必要对其进行过热保护,以免烧坏整个芯片。本文介绍了一种过热保护电路。如何把温度信号转变为电压信号是设计过热保护电路的关键。按照传统的方法,传感器可以用热电偶、热电阻来做,但是如果要应用于集成电路中,考虑到以上2种方法不容易集成,因此,不能采用。集成电路中的
2、过热保护电路一般是利用二极管、三极管的温度特性来做传感器。考虑到二极管的伏安特性对于温度比较敏感,因此,可以利用二极管来做传感器。由二极管特性曲线可知,随温度升高正向特性曲线向左移,反向特性曲线向下移。其变化规律是:在室温附近,温度每升高1℃,正向压降减小2～2.5mV;温度每升高10℃,反向电流约增大1倍。二极管的这种特性为负温度特性。二极管在20～150℃温度范围内很好的保持着这一特性。通过不断试验,并运用统计规律,可以取其值为-2.2mV/℃,即温度每上升1℃,认为二极管正向电压下降2.2mV,而温度每下降1℃,其正向电压上升2.2mV。二极管这种良好的温度特
3、性,说明它本身就是一个很好的温度传感器,而且容易集成。可以通过测量其正向电压的变化而计算其温度变化,从而可以很好的控制过热保护电路。二极管温度检测电路如图1所示。利用二极管导通电压会随温度的升高而下降(-2.2mV/℃)的特性,采用将4个二极管串联作为温度传感器(即-8.8mV/℃)。M9,M10,M11是镜像电流源组成的恒流源,给4个二极管提供电流。芯片整个工作时,随着温度的升高,V点电压就会下降。只要检测V点电压就能知道当前的温度状况。这个电路就完成了把温度信号转变为电压信号的任务。以下是这个电路的仿真结果。温度为50℃时的V点电压:V=2.4V;温度为120℃
4、时的V点电压:V=1.78V.有了V点的电压信号,再作处理就方便许多。不妨设计一个迟滞比较器,其输入端低于1.78V就输出高电平信号(可以定义高电平为保护信号),其输入端高于2.4V就输出低电平信号,即解除保护。这就相当于温度超过120℃时进行保护,当温度恢复到50℃时再解除保护,重新工作。至于迟滞比较器的设计,在此不多赘述,。不过建议使用模拟式的,数字式的施密特触发器虽然也有滞回曲线,但调试起来比较困难,因为施密特触发器的上跳变点VT+和下跳变点VT-都和阈值电压VTH有关,而VTH是随着温度的变化而变化的。而模拟式的迟滞比较器的回差电压值只和参考电压和内部MOS
5、管的尺寸有关,和温度无关,容易调节。过热保护电路的方框图如图2所示。仿真结果几乎丝毫不差,非常令人满意。二极管温度检测电路的缺陷及改进过热保护电路的另一个关键在于电路只受温度变化的影响,不受电压变化的影响。完全不受电压变化影响的理想情况是不可能出现的,就要想办法让电路尽量少受电压变化而带来的影响。再来分析以上温度检测电路,把电压源由原来的5V改为4～6V之间变化的三角波,考察V点的波形可知,120℃的曲线误差为0.1V,折算成温度就有10℃的误差。50℃的曲线误差就有几十摄氏度。因此,有必要对此进行改进。解决电压波动的常用方法是加1个稳压管。硅稳压管在4V以下是负温
6、度系数,7V以上是正温度系数,4～7V之间的温度系数很小,可以忽略不计。改进后的电路如图3所示。由仿真结果可见,加了稳压管之后,电路性能大大改善,只不过50℃和120℃时V点的电压值也有所改变,50℃时为2.16V,120℃时为1.535V。这样就彻底解决了电压波动的问题。二极管温度检测电路的参数调节调节二极管温度检测电路的参数是为了能更好地适应迟滞比较器的参考电压。在一般的模拟电路中,参考电压(Vref)不会很多,所以,设计的电路要符合这个参考电压。要注意的是,标准的参考电压是不允许用来分压的。参考电压如果当作电源用分压再得到另一个需要的参考电压,则前一个标准的参
7、考电压就会不准,这样会对其他的电路产生影响。所以,调节此电路参数的目的就是使此电路的上跳变点VT+和下跳变点VT-的中间点(VT++VT-)/2=Vref。这样就可以避免用不标准的参考电压,也就避免了标准参考电压的分压行为。假设在总电路中标准的参考电压为2.0V。则二极管温度检测电路的参数要调节到(VT++VT-)/2=2.0V。调节的方法很多,3个用作镜像电流源的MOS管的尺寸可以很方便的调节,MOS管尺寸改变则流过二极管的电流就会改变,从而引起上下跳变点电压的改变。甚至还可以调节二极管,比如去掉1个二极管,就用3个二极管来做温度检测。如图3所示的尺寸时,50
