稀土掺杂对LiEuW2O8荧光粉的发光性能影响

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1、朱月华南京工业大学电光源材料研究所稀土掺杂对LiEuW2O8荧光粉的发光性能影响目录1.引言2实验3结果和讨论4结论1.引言随着LED效率的迅速提高和成本的不断下降,特别是白光LED的问世,使得LED的应用由显示、指示领域迅速向照明领域扩展。与传统照明相比,白光LED具有耗电量小、寿命长、环保、响应速度快等优点,将成为继白炽灯,荧光灯之后的新一代照明光源,它将成为21世纪最具发展前景的高新技术领域。1.引言welcometousethesePowerPointtemplates,NewContentdesign,10yearsexperience制备荧光粉转换型白光LED时高效的红色荧光

2、粉是不可或缺的,其在改善光源显色效果方面发挥着至关重要的作用开发能够被蓝光和紫外光芯片激发的红色荧光粉是白光LED发展的关键因素。目前用的红色荧光粉发光效率较低、稳定性差1引言LiEuW2O8是近几年出现的新型红色荧光粉,作为一种潜力巨大的红色荧光粉,LiEuW2O8荧光粉目前最大的问题是发光效率偏低。本文研究了稀土离子掺杂对LiEuW2O8荧光粉的性能的影响2实验本实验采用高温固相法制备了LiEu1-xRExW2O8(RE=La和Sm)系列红色荧光粉。试剂:LiCO3(99.5%)、Eu2O3(99.99%)、WO3(99.5%)、La2O3(99.9%)、Sm2O3(99.9%)。2

3、实验试验方法按一定的化学计量比称取以上材料,在玛瑙研钵中研磨均匀后,置于氧化铝坩埚内,放入温度设为800~900℃的高温炉中灼烧3h。冷却后取出炉料,经过球磨即可得到所需的样品。测试方法晶体结构采用日本的RigakuDmaxX射线衍射仪进行分析。X射线管是Cu靶Kα线,衍射仪所需要电流、电压为35mA、40kV。测试方法荧光粉的光谱分析采用的是DongNan98B荧光粉测试系统,所用激发光源为氙灯,测试结果系统可自动修正处理。3结果和讨论3.1La3+掺杂对LiEuW2O8荧光粉的性能影响设该荧光粉的化学式为LiEu1-xLaxW2O8,讨论La3+离子的掺杂含量x变化对实验结果的影响。

4、x的值从0.01开始,增长幅度为0.01,逐渐增加到0.06,所得到的样品在850℃下煅烧3小时,测定其发光光谱的变化。表3-1LiEu1-xLaxW2O8荧光粉光谱变化特点荧光粉化学式发光强度发射主峰色坐标(x,y)LiEuW2O8210615nm0.6678,0.3315LiEu0.99La0.01W2O8214615nm0.6674,0.3318LiEu0.98La0.02W2O8219615nm0.6672,0.3315LiEu0.97La0.03W2O8225615nm0.6678,0.3322LiEu0.96La0.04W2O8212615nm0.6675,0.3321LiE

5、u0.95La0.05W2O8207615nm0.6678,0.3315LiEu0.94La0.06W2O8204615nm0.6675,0.3312图3-2La3+掺杂的LiEu1-xLaxW2O8发射光谱图图3-3La3+掺杂的LiEu1-xLaxW2O8激发光谱图3.1La3+掺杂对LiEuW2O8荧光粉的性能影响从图中可以看出,掺杂La3+离子后样品的激发和发射峰的位置保持不变,样品被395nm的紫光有效激发,发出波长为615nm的红光。随着La3+离子掺杂量的增加,LEW荧光粉的发射峰强度有所增强。位于615nm的主发射峰随着La3+离子浓度的增加而增强,当x等于0.03,即L

6、a3+浓度为3mol%时发射强度达到最大,而当x大于0.05时,发射强度下降明显。3.2Sm3+掺杂对LiEuW2O8荧光粉性能的影响设该荧光粉的化学式为LiEu1-xSmxW2O8,讨论Sm3+离子的掺杂含量x变化对实验结果的影响。x的值从0.01开始,增长幅度为0.01,逐渐增加到0.07,所得到的样品在850℃下煅烧3小时,测定其发光光谱的变化。表3-2LiEu1-xSmxW2O8荧光粉光谱变化特点荧光粉化学式发光强度发射主峰色坐标(x,y)LiEuW2O8210615nm0.6672,0.3317LiEu0.99Sm0.01W2O8212615nm0.6671,0.3315LiE

7、u0.98Sm0.02W2O8214615nm0.6682,0.3311LiEu0.97Sm0.03W2O8217615nm0.6667,0.3327LiEu0.96Sm0.04W2O8223615nm0.6670,0.3315LiEu0.95Sm0.05W2O8219615nm0.6657,0.3321LiEu0.94Sm0.06W2O8211615nm0.6664,0.3319LiEu0.93Sm0.07W2O8205615nm

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