半导体器件实验报告

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1、实验报告实验名称半导体器件课程设计班级姓名：学号：实验日期：实验地点：一．PMOS的制造流程制作PMOS的主要流程为：衬底掺杂—〉栅氧化—〉离子注入—〉淀积多晶硅栅—〉多晶硅氧化—〉多晶掺杂—〉边墙氧化层淀积—〉边墙氧化层刻蚀形成氧化层—〉源漏注入—〉源漏退火—〉金属化—〉镜像生成PMOS结构。二．实验程序和图形进入模拟软件后，输入数据和程序goathena#Non-UniformGrid(0.6umx0.8um)linexloc=0.00spac=0.10linexloc=0.20spac=0.01linexloc=0.60s

2、pac=0.01#lineyloc=0.00spac=0.008lineyloc=0.20spac=0.01lineyloc=0.50spac=0.05lineyloc=0.80spac=0.15#InitialSiliconStructurewith<100>Orientationinitsiliconc.phosphor=1.0e14orientation=100two.d#GateOxidationdiffustime=11temp=950dryo2press=1.00hcl.pc=3#extractname="Gateo

3、xide"thicknessmaterial="SiO~2"mat.occno=1x.val=0.3#ThresholdVoltageAdjustimplantimplantphosphordose=9.5e10energy=10crystal此图为离子注入后杂质浓度在画线处注入的磷的浓度相对于器件的深度的分布#ConformalPolysiliconDepositiondepositpolysiliconthick=0.20divisions=10#PolyDefinitionetchpolysiliconleftp1.x=0

4、.35#PolysiliconOxidationdiffustime=3temp=900weto2press=1.00#PolysiliconDopingimplantborondose=3.0e13energy=10crystal#SpacerOxideDepositiondepositoxidethick=0.12divisions=10#SpacerOxideEtchetchoxidedrythick=0.12#Soucer/DrainImplantimplantbf2dose=5.0e15energy=24tilt=0r

5、otation=0crystal#Source/DrainAnnealingmethodfermidiffustime=1temp=900nitropress=1.00下图为源漏退火前后两图相叠加、对比的图形。#OpenContactWindowetchoxideleftp1.x=0.20#AluminumDepositiondepositaluminumthick=0.03divisions=2#EtchAluminumetchaluminumrightp1.x=0.18#extractname="pxj"xjmaterial

6、="Silicon"mat.occno=1x.val=0.2junc.occno=1#extractname="p++sheetres"sheet.resmaterial="Silicon"mat.occno=1x.val=0.05region.occno=1#extractname="lddsheetres"sheet.resmaterial="Silicon"mat.occno=1x.val=0.3region.occno=1#extractname="1dvt"1dvtptypeqss=1e10x.val=0.5#st

7、ructmirrorright#electrodename=sourcex=0.10#electrodename=drainx=1.10#electrodename=gatex=0.60#electrodename=backsidebackside#structoutfile=pmos.str提取器件参数的最后结果的截图，可以得出方块电阻的组织上图为实验最终得到的PMOS结构图goatlas#meshinfile=pmos.str#modelscvtboltzmanprinttemperature=300#mobilitybn.

8、cvt=4.75e+07bp.cvt=9.925e+06cn.cvt=174000cp.cvt=884200taun.cvt=0.125taup.cvt=0.0317gamn.cvt=2.5gamp.cvt=2.2mu0n.cvt=52.2mu0p.cvt=