半导体物理与器件实验报告

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1、课程实习报告HUNANUNIVERSITY题目：半导体物理与器件学生姓名：周强强学生学号：20100820225专业班级：通信二班完成日期：2012.12.22运彳丁结果截图：2.2函数V(x,r)=cos(2^x//l-6ZX)也是经典波动方程的解。令05兀532,请在同一坐标屮绘出x的函数V(x,r)在不同情况下的图形。(1)69/二0;(2)。=0.25龙;⑶血二0.5龙;(4)69/=0.75兀;(5)cot=71VI=Cos[27Tx/AV2=Cos[27Tx/AV3=Cos[27rx/AV4=Cos[27rx/AV5=C

2、os[27Tx/AA=1;-01；-0.57r];・兀];-1.57T];・2?r];Plot[{VI,V2,V3ZV4,V5},{x,0z3}Plotstyle-♦{RGBColor[lz0z1]z

3、RGBColor[l,0・5,0]zRGBColor[lz0r0・5]zRGBColor[0,lr0]zRGBColor[0z0z1]}zAxesLabel{,r(/A),rzlfV(xzt),r}]3.27根据式(3.79),绘制出-0.2<(E-EF)<0.2eV范用内，不同温度条件下的费米•狄拉克概率函数：(q)T=200K,(

4、b)T=300K,(c)T=400K。：F1=-EXP[咼]F2=—Exp[血]F3=—Exp[咼k=0.0000861;Plot[{FlzF2,F3},{x,-0・2,0・2},Plotstyle-►{RGBColor[lz0,0]zRGBColorfO,1,0]zRGBColorfO,0,1]}ZAxesLabel->{u(E-EF)nzn”}]Outp6)=4.3画出（a）硅，（b）错，（c）神化镣在温度范围200/^

5、Sw(1000/x/300)A3*-1•12-i1Exp；L0>0000861wl000/xJJGe=Sqrt[l・04*6*IO37w(1000/x/300)A3*「-0.66-i-iExp；l0>0000861#1000/x」」GaAs=Sqrt[4・7w7w1035*(1000/x/300)A3w-1•42-i-

6、Exp；l0>0000861*1000/x」」LogLogPlot[{SifGezGaAs},{x#10/6Z5}#Plotstyle-►{RGBColor[lz0,0]zRGBColorfO,1,0]zRGBCol

7、orfO,0,1]}ZAxesLabel->{»(1000/T)wz»本征義流子浓度N±H}](1000.T)4.46已知错的掺杂浓度为A^a=3xl0l5cm"3,Nd=0o画岀费米能级相对于本征费米能级的位置随温度变化(200/C{“T'U]5.2。硅中有效状态密度为—2.8X10苗g..际10嗚严一3/2、一3/2设迁移率为A

8、n=1350300冷=480300丿设禁带宽带为E=A2eN,且不随温度变化。画出200/C{,rT,rz,ran}]6.34n型硅样品的掺杂浓度为=IO

9、16C/^3,产生的过剩载流子的浓度为8pM=1014exp(-3；/IO-4)cm'3o在OS兀54x10“范围内，绘出£巧一E巾随兀变化的函数。-x<5p[x]=10^ExpL10*Nd=1016;n±=1.5*IO10;n0=Nd;n±2Po=—；nokT=0.0259;f=kT*Po+<5p[x][x,0,4♦IO"4}#AxesLabel->{,rx,r,£Fi-£Fp7.4均匀掺杂的GaAs“i结，其掺杂浓度为他=5x10%加巳=5x10"c〃严。画出200/C

10、5*1016;Na=5*1018;Nc=4.7*1017；N-v-=7*1018;k=1・38*10-23;e=1.6★10-19;E寸=1-42;k★TVbi=ePlot[Vs{T,200,500},AxesLabel->{'TJl