Rubrene_TPD表面及其界面的AFM和XPS研究

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1、冷重钱等：Ｒｕｂｒｅｎｅ／ＴＰＤ表面及其界面的ＡＦＭ和ＸＰＳ研究３４９＊Ｒｕｂｒｅｎｅ／ＴＰＤ表面及其界面的ＡＦＭ和ＸＰＳ研究冷重钱，李海蓉，李尧，高鹏杰（兰州大学物理科学与技术学院，甘肃兰州７３００００）［１０］摘要：在ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ）玻璃上采用多源的相关研究，对本文将研究Ｒｕｂｒｅｎｅ／ＴＰＤ型器件蒸发的方法制备了红荧烯（Ｒｕｂｒｅｎｅ）／ＴＰＤ样品。由中Ｒｕｂｒｅｎｅ／ＴＰＤ表面及其界面的电子状态。图１为原子力显微镜（ＡＦＭ）得到的表面形貌图显示ＲｕｂｒｅｎｅＲｕｂｒｅｎｅ和ＴＰＤ的分子结构图。膜具有良好的均匀性。利

2、用Ｘ射线光电子能谱仪（ＸＰＳ）研究了两种材料表面和界面的电子态。由Ｒｕ－ｂｒｅｎｅ／ＴＰＤ的表面分析可知，Ｃ１ｓ精细谱中有３个峰，最强的峰是由氧化造成的，而不是对应于芳香碳（２８４．５５ｅＶ）。空气中的Ｏ２和Ｈ２Ｏ扩散到样品里形成Ｏ１ｓ峰。用氩离子束溅射剥蚀表面，随着时间的增图１Ｒｕｂｒｅｎｅ和ＴＰＤ的分子结构图长，芳香碳对应的峰越来越强，２８２．４５和２８９．６２ｅＶ处Ｆｉｇ１ＴｈｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＲｕｂｒｅｎｅａｎｄＴＰＤ的峰则迅速消失，当溅射时间超过４９２０ｓ时，在２８４．７ｅＶ处引入了一个新的峰，对应于Ｃ—Ｎ键。Ｏ１

3、ｓ峰２实验迅速减弱是因为氧沾污的去除。Ｎ１ｓ谱中的Ｎ—Ｃ键用常规的真空蒸发沉积方法制备了Ｒｕｂｒｅｎｅ／缓慢增强，到达界面附近时峰的强度变得稳定。Ｃ１ｓ，ＴＰＤ样品。本实验中所有基底为覆盖有ＩＴＯ膜的玻Ｎ１ｓ和Ｏ１ｓ谱中都有峰发生化学位移。璃片，该ＩＴＯ膜的方块电阻为４５Ω／□。蒸发前对基关键词：ＡＦＭ；ＸＰＳ；Ｒｕｂｒｅｎｅ／ＴＰＤ表面及其界面；片进行仔细地清洗：先用酒精棉球反复擦洗ＩＴＯ玻璃化学位移数遍，再分别在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声清洗中图分类号：ＴＮ３０４．５；ＴＢ３４文献标识码：Ａ２０ｍｉｎ，每次超声清洗完后都要用去离子水冲洗。然

4、后文章编号：１００１－９７３１（２０１０）增刊Ⅱ－０３４９－０４放入烘烤箱中烘干，然后立即装片到真空腔室中。所１引言用镀膜机为ＳＭ－３００Ｂ型真空镀膜机。采用多源蒸发的方式，在５．３×１０－４Ｐａ的真空度下依次蒸发ＴＰＤ和目前，在有机电致发光二极管（ＯＬＥＤ）研究中，对Ｒｕｂｒｅｎｅ到基片上，两种有机物在刚开始蒸发时蒸发红绿蓝三原色ＯＬＥＤ发光材料的研究受到广泛地关速率都控制在尽量低的水平，以免对界面造成大的损注，据市场调查，在被动式矩阵型的多色ＯＬＥＤ显示害。板产品中，黄色与蓝色的组合面板受到欢迎，日本三洋Ｒｕｂｒｅｎｅ／ＴＰＤ的表面形貌由具有高

5、分辨率［１］柯达用天蓝加黄光的组合作为ＯＬＥＤ白光光源，黄（１６ｎｍ）的原子力显微镜获得。表面和界面电子态数光材料的重要性由此可见一斑，对黄光材料研究十分据用ＡＸＩＳＵｌｔｒａ（英国Ｋｒａｔｏｓ公司）高真空Ｘ射线光迫切。Ｒｕｂｒｅｎｅ是最常使用的黄色发光材料之一，其电子能谱仪采集。该光电子能谱仪的本底真空度优于［２］蒸发温度约为２００℃，具有较高的空穴迁移率和几－９１０Ｐａ。Ｘ射线源采用功率为２２５Ｗ（工作电压为乎１００％的荧光量子效率，抗浓度淬熄可维持到高达１５ｋＶ，发射电流为１５ｍＡ）的ＡｌＫα（ｈν＝１４８６．７ｅＶ）。７％的掺杂浓度和双偶极

6、性。由于它的这些优良特性，能谱仪的通过能量为４０ｅＶ，扫描步长为１００ｍｅＶ，最小近年来很多研究都通过加入Ｒｕｂｒｅｎｅ来实现高效、高能量分辨率为０．４８ｅＶ（Ａｇ３ｄ５／２），污染碳（内标）２８４．８［１，３］稳定性和长寿命的ＯＬＥＤ。在ＯＬＥＤ中，ＲｕｂｒｅｎｅｅＶ。数据处理使用Ｖｉｓｉｏｎ（ＰＲ２．１．３）和ＣａｓａＸＰＳ（２．［４－６］既可以单独作为一个发光层也可以掺杂在主体材３．１５）。为了研究Ｒｕｂｒｅｎｅ／ＴＰＤ样品的界面特性，用［７－９］料中作为染料客体。多层结构的ＯＬＥＤ中，有机Ａｒ＋离子束进行溅射。此时的真空度为１×１０－８Ｐａ

7、。层界面效应的形成是一种非常普遍的现象，它会影响溅射动能为４ｋｅＶ。为了减轻氩离子束轰击对Ｒｕ－器件的性能。例如，界面处形成的陷阱会影响器件的ｂｒｅｎｅ结构的破坏作用，采用大的溅射面积（０．７５ｃｍ×载流子传输特性，激基复合物发光则会影响器件的电０．７５ｃｍ）。致发光光谱。然而目前还没有对Ｒｕｂｒｅｎｅ／ＴＰＤ界面＊基金项目：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目（ｌｚｕｊｂｋｙ－２００９－６０）；兰州大学物理学基地国家基础科学人才培养基金———能力提高（科研训练）资助项目（５１３－０４１１０２）收到初稿日期：２０１０－０４－１８收到修改稿日期：２

8、０１０－０７－２５通讯作者：李海蓉作者简介：冷重钱（１９８６－），男，重庆人，硕士，主要从事有机半导体材料及器件的研究。３