BGA封装工艺简介1

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1、IntroductionofBGAAssemblyProcessBGA封装工艺简介BGAPackageStructureTOP/BottomVIEWSIDEVIEWTypicalAssemblyProcessFlowFOL/前段EOL/中段Reflow/回流EOL/后段FinalTest/测试FOL–FrontofLine前段工艺BackGrinding磨片Wafer晶圆WaferMount晶圆安装WaferSaw晶圆切割WaferWash晶圆清洗DieAttach芯片粘接EpoxyCure银浆固化Wi

2、reBond引线焊接Optical检验Optical检验EOLFOL–FrontofLineWafer【Wafer】晶圆……FOL–BackGrinding背面减薄Taping粘膜BackGrinding磨片De-Taping去胶带将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到封装需要的厚度（5mils~10mils）；磨片时，需要在正面（ActiveArea）贴胶带保护电路区域同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；FOL–WaferSaw晶圆切割WaferMount晶圆安装WaferSa

3、w晶圆切割WaferWash清洗目的：将晶圆粘贴在蓝膜（Tape）上，使得即使被切割开后，不会散落；通过SawBlade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的DieAttach等工序；WaferWash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer；FOL–BackGrinding背面减薄FRAMETAPEWAFERFOL–WaferSaw晶圆切割WaferSawMachineSawBlade(切割刀片)：LifeTime：900~1500M；SpindlierSpeed：30~50Krp

4、m：FeedSpeed：30~50/s;FOL–OpticalInspection主要是针对WaferSaw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有出现不良产品。ChippingDie崩边FOL–DieAttach芯片粘接WriteEpoxyDieAttachEpoxyCureEpoxyStorage：零下50度存放；EpoxyAging：使用之前回温，除去气泡；EpoxyWriting：点银浆于L/F的Pad上，Pattern可选；FOL–DieAttach芯片粘接芯片拾取过程：1、Eject

5、orPin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于脱离蓝膜；2、Collect/Pickuphead从上方吸起芯片，完成从Wafer到L/F的运输过程；3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F的Pad上，具体位置可控；4、BondHeadResolution：X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；5、BondHeadSpeed：1.3m/s；FOL–DieAttach芯片粘接EpoxyWrite：Coverage>75%;DieAttach：Placement<0.0

6、5mm;DieBond(DieAttach)上片BONDHEADSUBSTRATEEPOXYEPOXYCURE(DIEBONDCURE)FOL–DieAttach芯片粘接FOL–EpoxyCure银浆固化，检验银浆固化：175°C，1个小时；N2环境，防止氧化：DieShear（芯片剪切力）FOL–WireBonding引线焊接利用高纯度的金线（Au）、铜线（Cu）或铝线（Al）把Pad和Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接点，Lead是LeadFrame上的连接点。W/B是封装工艺中

7、最为关键的一部工艺。FOL–WireBonding引线焊接【GoldWire】焊接金线实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接；金线采用的是99.99%的高纯度金；同时，出于成本考虑，目前有采用铜线和铝线工艺的。铜铝线优点是成本降低，同时工艺难度加大，良率降低；线径决定可传导的电流；0.8mil，1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；FOL–WireBonding引线焊接KeyWords：Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个BondingTool，内部为空心，中间

8、穿上金线，并分别在芯片的Pad和LeadFrame的Lead上形成第一和第二焊点；EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温，将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊点（BondBall）；BondBall：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点，一般为一个球形；Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在LeadFrame上形成的焊接