组原补充：二极管、三极管开关特性

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1、2.1.1理想开关的开关特性一、静态特性①断开②闭合SAK2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性2.1.1理想开关的开关特性SAK2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性二、动态特性①开通时间：②关断时间：闭合）（断开断开）（闭合普通开关：静态特性好，动态特性差半导体开关：静态特性较差，动态特性好几百万/秒几千万/秒2.1.2半导体二极管的开关特性一、静态特性①外加正向电压(正偏)二极管导通(相当于开关闭合)②外加反向电压(反偏)二极管截止(相当于开关断开)阴极A阳极KPN结-AK+P区N区++++++++--------1.结构示意图、符号和伏安特性D+-+-2.二极管的

2、开关作用：[例]uO=0VuO=2.3V电路如图所示，试判别二极管的工作状态及输出电压。二极管截止二极管导通[解]D0.7V+-一、静态特性NPN2.1.3半导体三极管的开关特性发射结集电结发射极emitter基极base集电极collectorbiBiCec(电流控制型)NNP1、结构示意图和符号2.半导体三极管的开关应用发射结反偏T截止发射结正偏T导通+RcRb+VCC(12V)+uoiBiCTuI3V-2V2k2.3k2.1.4MOS管的开关特性(电压控制型)MOS（Mental–Oxide–Semiconductor）金属–氧化物–半导体场效应管一、静态特性1.结构和特性

3、：(1)N沟道栅极G漏极DB源极SiD+-uGS+-uDS衬底P沟道增强型MOS管与N沟道有对偶关系。(2)P沟道栅极G漏极DB源极SiD+-uGS+-uDS衬底参考方向2.MOS管的开关作用：(1)N沟道增强型MOS管+VDD+10VRD20kBGDSuIuO+VDD+10VRD20kGDSuIuO开启电压UTN=2ViD+VDD+10VRD20kGDSuIuORONRD(2)P沟道增强型MOS管-VDD-10VRD20kBGDSuIuO-VDD-10VRD20kGDSuIuO-VDD-10VRD20kGDSuIuO开启电压UTP=-2ViD