半导体二极管和三极管的开关特性.ppt

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1、第二节半导体二极管和三极管的开关特性一、二极管的开关特性1.开关电路举例2.静态特性伏安特性等效电路在数字电路中重点在判断二极管开关状态，因此必须把特性曲线简化。（见右侧电路图）有三种简化方法：输入信号慢变化时的特性。第一种第三种+-0.5V第二种VON0.7V3.动态特性当外加电压突然由正向变为反向时，二极管会短时间导通。tre这段时间用tre表示，称为反向恢复时间。输入信号快变化时的特性。DRLi它是由于二极管正向导通时PN结两侧的多数载流子扩散到对方形成电荷存储引起的。二、半导体三极管的开

2、关特性（一）双极型三极管的开关特性1.静态特性可用输入输出特性来描述。基本开关电路如图：可用图解法分析电路：输入特性输出特性条件特点BE结BC结截止导通放大饱和

3、输入电压的变化。从而导致输出电压滞后于输入电压的变化。也可以理解为三极管的结电容起作用。注意：三极管饱和越深，由饱和到截止的延迟时间越长。饱和时截止时3.MOS管的基本开关电路当VI=VDD时，MOS管导通。当VI=0V时，MOS管截止，VO=VDD；MOS管工作在可变电阻区。若，则RONVDDD静态特性—三个工作区。等效电路如图，其中CI为栅极输入电容。约为几皮法。动态特性—延迟作用。由于是单极型器件，无电荷存储效应。动态情况下，主要是输入电容和负载电容起作用，使漏极电流和漏源电压都滞后于输入

4、电压的变化。其延迟时间比双极型三极管还要长。可变电阻区：截止区：恒流区：4.MOS管的开关特性及等效电路电路图5.MOS管的四种类型(1)N沟道增强型(2)P沟道增强型(3)N沟道耗尽型(4)P沟道耗尽型开启电压夹断电压P沟道增强型：