元件静电敏感度

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1、元件静电敏感度 元器件静电敏感度等级静电敏感器件静电敏感度静电敏感度等级特一级特二级一级二级三级静电耐受能力0V-500V500V-1000V1000V-2000V2000V-4000V4000V-8000V代表器件GaAs器件、光发送接受器件、管芯CMOS集成电路TTL集成电路二极管、三极管、继电器阻容器件、开关、变压器一般规定，静电损伤电压不小于16000V的为静电不敏感器件，小于16000V的为静电敏感器件。静电敏感度分级： 1级：不大于1999V  2级：2000～3999V 3级：4000～15999V  ESDS产品及其组件应有ESD保护电路，其最低要求应耐

2、ESD电压值为： 组件：不低于2000V  产品：不低于4000V 电子元器件静电敏感度的分级： 1级（≤1999V）ESDS元器件 a．微波器件（萧特基二极管，点接触二极管和f>1GHZ的检波二极管）；b．MOS场效应晶体管（MOSFET）； c．结型场效应晶体管（JFET）； d． 声表面波器件（SAW）； e．电荷藕合器件（CCD）；f．精密稳压二极管（线性或负载电压调整率小于0.5％）； g．运算放大器（OP AMP）； h．集成电路（IC）； i．混合电路（由1级ESDS元器件组成）； j．特高速集成电路（VHSIC）； k．薄膜电阻器 l．可控硅整流器（Pt

3、≤100mW，Ic<100mA）。 2级（2000～3999V）ESDS器件： a． MOS场效应晶体管； b．结型场效应晶体管； c．运算放大器； d．集成电路； e．特高速效应晶体管； f．精密电阻网络（RZ型）； g．混合电路（2级ESDS元器件组成）； h．低功率双极型晶体管（Pt≤100mW，Ic<100mA）。 3级（4000～15999V）ESDS元器件： a． MOS场效应晶体管； b．结型场效应晶体管； c．运算放大器； d．集成电路； e．特高速集成电路； f． ESDS1级或2级不包括的所有其他电子元器件； g．小信号二极管（P<1W，I<1A）；

4、 h．一般硅整流器； i．可控硅整流器（I>0.175A）； j．小功率双极型晶体管（350mW